【導讀】受宏觀經(jīng)濟疲軟影響，2012年半導體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示，2013年的半導體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢，相反地，功率MOSFET領域則會在2013年預計將增長7.7%，移動通信應用將是主要動力。

摘要：  受宏觀經(jīng)濟疲軟影響，2012年半導體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示，2013年的半導體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢，相反地，功率MOSFET領域則會在2013年預計將增長7.7%，移動通信應用將是主要動力。

關鍵字：  英飛凌科技，  智能電網(wǎng)，  肖特基勢壘二極管

受宏觀經(jīng)濟疲軟影響，2012年半導體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示，2013年的半導體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢，相反地，功率MOSFET領域則會在2013年預計將增長7.7%，移動通信應用將是主要動力。

Thomas 表示，目前全球約1/3的能源消耗以電的方式被消耗掉，其中美國、歐洲和中國三個國家/地區(qū)是三大消耗大戶。然而，“大部分的能源實際上不是被用掉了，而是損失掉的，” Thomas說，“而通過使用電源半導體，可有效減少這部分能源損失。” 他指出，至2030年，半導體解決方案可望幫助節(jié)省27%的能源。

“傳統(tǒng)家庭能源消耗主要用于照明、做飯、取暖等，而現(xiàn)在生活中出現(xiàn)了越來越多的電子設備如多媒體技術、通信、IT設備等，” Thomas說，“這些變化應該促使我們重新思考，當過渡到智能城市時能源的利用方式，以最大限度地減少非必要的能源消耗，如電源損耗、待機功耗，使可再生能源的整合利用及和供/需平衡等?！?而解決所有這些問題，智能電網(wǎng)是必要的，而且是具有局部分布式智能、安全、高效及升級可控的現(xiàn)有電網(wǎng)的升級。

談到智能電網(wǎng)發(fā)展現(xiàn)狀時，Thomas指出，“對于建立智能電網(wǎng)來說，僅僅添加‘智能’是不夠的?！?新的智能電網(wǎng)系統(tǒng)需要同時實現(xiàn)以下三個目標：減少CO2排放量、電力供需實現(xiàn)平衡、電網(wǎng)實現(xiàn)穩(wěn)定性和安全性。 “更低的能源消耗可通過高性能半導體器件來實現(xiàn)。”他表示，功率半導體在提高整個電力供應鏈的能效方面發(fā)揮著至關重要的作用，從發(fā)電、輸配電到最后的用電。同時功率半導體可提高電子設備的電源能效，而在可再生能源領域，它們在將風電和太陽能電力接入電網(wǎng)以及減少輸電損耗方面，都發(fā)揮了極其重要的作用。此外，安全性—防止惡意攻擊;各種使電網(wǎng)實現(xiàn)分布式控制的配套智能設備、傳感器、微控制器;可減少電力損失并提供可靠能源的高能效半導體，這些因素都是需要考慮的。

因此英飛凌未來在智能電網(wǎng)領域，將重點發(fā)展能源效率、移動和安全性相關的業(yè)務。Thomas介紹說，現(xiàn)在英飛凌的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋智能電網(wǎng)所有領域，包括：電源轉換、先進傳輸、智能電表/家居、電動汽車和公共交通、高效率及照明。

針對這些應用，英飛凌在前不久推出旨在提升系統(tǒng)效率同時兼顧易于使用的最新600V CoolMOS P6產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列彌合了專注于提供極致性能的技術(CP)與強調易于使用的技術(如C6或E6)之間的鴻溝。P6系列可在服務器、通信設備等的整流器、臺式機電源和電子游戲機等應用的硬開關和軟開關PFC和PWM拓撲中實現(xiàn)出色性能。此外，得益于其細化的產(chǎn)品組合，CoolMOS P6產(chǎn)品系列的性價比在當前市場上的所有超級結技術的產(chǎn)品中罕有其匹。

Thomas介紹說，得益于其更低的Qg，P6提高了效率，尤其是在輕負載條件下。他解釋說，像電視機、電腦這些電子設備是不需要24小時開機的，但是不用時一般都處于待機狀態(tài)，即輕負載狀態(tài)，英飛凌就希望能提高這一狀態(tài)下的效率。該產(chǎn)品系列還具備較高的閾值電壓，實現(xiàn)提前關斷，從而提高軟開關應用的效率。由于其性能可靠的體二極管，P6不僅可用于硬開關 PFC，也可用于軟開關PWM(如LLC)。另外，經(jīng)優(yōu)化的Rg阻值最好地兼顧效率和易于使用性以及對開關行為的有效控制。較之于先前的技術， dv/dt從50V/ns提高至100V/ns，確保其更可靠的性能和更高開關效率。

除了P6系列，英飛凌同時發(fā)布的還有第五代650V thinQ! SiC 肖特基勢壘二極管。英飛凌將其榮獲專利的擴散焊接工藝成功地與更緊湊的全新設計和最新的薄晶圓技術有機結合在一起，改進了熱特性，并使一個優(yōu)值系數(shù)(Qc x Vf)與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。其結果是，新一代產(chǎn)品相對于英飛凌以往各代thinQ! 產(chǎn)品， PFC升壓級在所有負載條件下的效率都得到了進一步的提升。英飛凌第五代產(chǎn)品的目標應用是高端服務器和電信SMPS(開關模式電源)、PC銀盒和照明應用、太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng)等。通過利用新一代器件，這些應用不但可以提高能效，而且還可以降低EMI(電磁干擾)，提高系統(tǒng)可靠性，以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。Thomas表示，第五代SiC二極管相對于以往推出的各代產(chǎn)品，可進一步改進系統(tǒng)能效和功率密度，同時具有極具吸引力的性價比。而P6系列與SiC G5系列，經(jīng)優(yōu)化了的功率MOSFET和SiC二極管完美地實現(xiàn)了能效與易用性之間的平衡。