摘要： 據(jù)介紹，東芝2011年度在功率半導體方面，對低耐壓品和高耐壓品，均將采用新的元器件構造，以制造電力轉(zhuǎn)換效率高的產(chǎn)品。例如，低耐壓MOSFET將把原來的“UMOS型”改為新構造，而高耐壓MOS FET將導入具有東芝自主技術經(jīng)驗的Single Epi構造超結(Super Junction)MOS。據(jù)悉，IGBT的耐壓部分將采用較薄的新構造。另外，針對要求高頻工作的用途等，東芝正在開發(fā)采用SiC和GaN等新材料的功率半導體。
關鍵字： 功率半導體業(yè)務， 發(fā)布會， 市場份額
作為進行功率半導體業(yè)務的東芝公司在近期發(fā)布會上表示，奪取市場份額首位寶座的決心。因認為面向社會基礎設施和汽車等的功率半導體市場將大幅增長，因此東芝首席常務執(zhí)行董事、半導體和存儲器社長小林清志表示，“我們將向功率半導體投入大量資源，希望在幾年之內(nèi)登上業(yè)界首位的寶座，領先于其他公司”。目前，該公司的市場份額在業(yè)界位居第三，功率半導體市場排名前十強的公司依次為：1. Infineon 2. Mitsubishi 3. Toshiba 4.STMicroelectronics 5. Vishay 6. International Rectifier 7. Fairchild 8. Fuji Electric 9. Renesas 10. Semikron。東芝準備將自主開發(fā)的元器件工藝技術及大口徑化等作為競爭力的源泉，以提高市場份額。
據(jù)介紹，東芝2011年度在功率半導體方面，對低耐壓品和高耐壓品，均將采用新的元器件構造，以制造電力轉(zhuǎn)換效率高的產(chǎn)品。例如，低耐壓MOSFET將把原來的“UMOS型”改為新構造，而高耐壓MOS FET將導入具有東芝自主技術經(jīng)驗的Single Epi構造超結(Super Junction)MOS。據(jù)悉，IGBT的耐壓部分將采用較薄的新構造。另外，針對要求高頻工作的用途等，東芝正在開發(fā)采用SiC和GaN等新材料的功率半導體。
東芝今后考慮，將把NAND閃存生產(chǎn)基地——該公司四日市工廠的200mm生產(chǎn)線制造設備，轉(zhuǎn)用于功率半導體基地加賀工廠，從而實現(xiàn)“以少量的設備投資額，有效率地實現(xiàn)”大口徑化和產(chǎn)能的提高。由此，將200mm晶圓在功率半導體總產(chǎn)能中所占的比例，到2013年提高至80%以上。并且，因同年加賀工廠的現(xiàn)有生產(chǎn)線將達到滿負荷運轉(zhuǎn)(Full Capacity)，所以估計需要新建廠房。關于后工序，將把2012年產(chǎn)量的80%、2013年產(chǎn)量的90%轉(zhuǎn)移到海外，以降低生產(chǎn)成本。功率半導體的后工序在生產(chǎn)成本中所占的比例為40%左右，高于存儲器等，因此海外轉(zhuǎn)移的成效較大。
在發(fā)布消息后，東芝股價漲至346日元，漲幅為3%，這是東芝股價自7月24日以來的最大漲幅，股價也升至七周來新高。
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