【導讀】包括在讀博士生Ravi Agrawal在內(nèi)的西北大學壓電研究人員表示，通過將納米氮化鎵(GaN，一種III-V族半導體)，以及氧化鋅(ZnO，一種II-VI半導體)納米線縮小到2.4nm以下，從運動產(chǎn)生的能量系數(shù)可分別提升20倍和100倍。他們還運用了密度泛函理論(density function theory， DFT)來計算降至0.6nm時的性能范圍。

關(guān)鍵字：納米，壓電，熱電， 氮化鎵， 半導體

在西北大學和波士頓學院的研究小組持續(xù)不懈地努力下，先進壓電和熱電材料的納米級關(guān)鍵尺寸，在朝向商用化能源采集應(yīng)用方向邁進的過程中，正歷經(jīng)不斷的改良。

由西北大學教授Horacio Espinosa領(lǐng)導的一個研究小組表示，通過將能源采集納米線縮小到2.4納米以下，壓電系數(shù)便可望推升20~100倍。而波士頓學院的研究員Xiao Yan所領(lǐng)導的研究組則聲稱，熱電材料可藉由對其進行5~10納米顆粒級的熱壓，從汽車排放獲得60%到90%的熱能。

包括在讀博士生Ravi Agrawal在內(nèi)的西北大學壓電研究人員表示，通過將納米氮化鎵(GaN，一種III-V族半導體)，以及氧化鋅(ZnO，一種II-VI半導體)納米線縮小到2.4nm以下，從運動產(chǎn)生的能量系數(shù)可分別提升20倍和100倍。他們還運用了密度泛函理論(density function theory， DFT)來計算降至0.6nm時的性能范圍。

熱電材料可藉由對其進行5~10納米顆粒級的熱壓，從汽車排放獲得60%到90%的熱能

“建構(gòu)納米發(fā)電機、傳感器和其他采用更小型納米線的裝置，都將能大幅提高其輸出和靈敏度?！盓spinosa說。

推升熱電系數(shù)

同樣，波士頓學院與麻省理工學院(MIT)、克萊姆森大學(Clemson University)，以及維吉尼亞大學(University of Virginia)合作的研究團隊則聲稱，通過首次將熱電材料球磨到10nm顆粒等級，熱電系數(shù)的質(zhì)量指標(figure-of-merit)可提升到60~90%左右，之后還能加熱使其結(jié)合在一起。如此一來，p-type的helf-Heusler熱電半導體可獲得所有今天被浪費的能源，并將它轉(zhuǎn)換為電能。

“helf-Heuslers可能會被廣泛用于汽車排放系統(tǒng)中，它能實現(xiàn)‘無廢氣浪費’的目標，而且能進行轉(zhuǎn)換為電能?！盰an說，“我們的工作有助于half-Heuslers在汽車排放系統(tǒng)和其他發(fā)電系統(tǒng)中成為更具競爭力的候選技術(shù)?！?/FONT>

Yan曾與波士頓學院教授Zhifeng Ren，以及麻省理工學院的Gang Chen教授合作，他表示，磨削和沖壓方法在商業(yè)上是可行的。

“這是一個可通過更經(jīng)濟方式提高熱電材料性能的大好機會?！盧en說，“我們的方法不僅成本低，還可實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)?！?/FONT>