臺(tái)系內(nèi)存廠(chǎng)商在遷移至20nm及更高級(jí)節(jié)點(diǎn)制程時(shí)，可能會(huì)由于資金籌措方面的困難抽不出手來(lái)購(gòu)買(mǎi)價(jià)格高昂的EUV極紫外光刻設(shè)備，而在制程轉(zhuǎn)換技術(shù)升級(jí)方 面處于不利地位。

EUV光刻設(shè)備目前的每套價(jià)格已經(jīng)達(dá)到了近1億美元，而且這種設(shè)備的安裝也需要花費(fèi)大量的資金。這方面，三星和Hynix兩家韓國(guó)廠(chǎng)商走 在了前面，由于在資源和財(cái)力方面的強(qiáng)勢(shì)，他們已經(jīng)搶在臺(tái)系內(nèi)存廠(chǎng)商之前和光刻設(shè)備廠(chǎng)商簽署了EUV采購(gòu)訂單，而且他們也已經(jīng)在亞50nm級(jí)別制程的競(jìng)爭(zhēng)中 取得領(lǐng)先地位。

而近期低迷的內(nèi)存芯片市場(chǎng)則是給臺(tái)系內(nèi)存芯片廠(chǎng)商的利潤(rùn)額雪上加霜。那些資源有限的內(nèi)存芯片廠(chǎng)商在制程方面已經(jīng)至少落后韓國(guó)人兩代。

大部分臺(tái)系內(nèi)存廠(chǎng)商都才剛剛開(kāi)始使用液浸式光刻設(shè)備，這種設(shè)備對(duì)亞50nm制程產(chǎn)品的量產(chǎn)具有關(guān)鍵作用。這方面南亞和華亞兩家內(nèi)存公司走在了臺(tái)系廠(chǎng)商的前面，他們于去年末便已經(jīng)安裝了首批液浸式光刻設(shè)備。

液浸式光刻設(shè)備的單套價(jià)格在3360-5040萬(wàn)美元左右。去年下半年，內(nèi)存芯片的價(jià)格開(kāi)始回彈，可是就在眾內(nèi)存廠(chǎng)商懷著對(duì)內(nèi)存價(jià)格回彈帶來(lái)的財(cái)政收入感到喜悅的心情，準(zhǔn)備花錢(qián)購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備時(shí)，液浸式光刻設(shè)備又由于訂貨量激增而開(kāi)始出現(xiàn)供貨緊缺的情況。

在幾家主要的臺(tái)系內(nèi)存廠(chǎng)商中，華亞擁有的液浸式光刻機(jī)數(shù)量最多，華亞的廠(chǎng)房中共安裝有9套這樣的設(shè)備，而瑞晶則有6套。

可惜花無(wú)百日紅，內(nèi)存廠(chǎng)商還沒(méi)有能夠在那一輪漲價(jià)潮中積攢到足夠的資金，今年12月下旬，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的合約價(jià)便跌到了1美元以下，而現(xiàn)貨市場(chǎng)上的內(nèi)存芯片價(jià)格還在繼續(xù)走低，2Gb DDR3的報(bào)價(jià)目前已跌入2美元大關(guān)。

有市場(chǎng)觀(guān)察者甚至認(rèn)為今年第四季度臺(tái)系內(nèi)存廠(chǎng)商幾乎會(huì)全軍覆沒(méi)，沒(méi)有一家能實(shí)現(xiàn)盈利，這種態(tài)勢(shì)甚至可能延續(xù)到明年第一季度。

只有瑞晶才有可能幸免于難，成為唯一一家有可能在今年第四季度盈利的廠(chǎng)商，他們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了向45nm制程的成功轉(zhuǎn)換，這樣其生產(chǎn)內(nèi)存芯片的成本便有可能低于銷(xiāo)售價(jià)。

同時(shí)瑞晶據(jù)報(bào)也是唯一一家已經(jīng)提早預(yù)訂EUV光刻設(shè)備的臺(tái)系內(nèi)存廠(chǎng)商，不過(guò)據(jù)消息來(lái)源猜測(cè)他們直到2014年以前還不會(huì)正式推出采用這種光刻設(shè)備生產(chǎn)的量產(chǎn)產(chǎn)品。