【導(dǎo)讀】隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。

上游廠大幅衰退

隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。

受到10月DRAM價(jià)格大跌影響，上游DRAM廠10月?tīng)I(yíng)收都呈現(xiàn)大幅衰退，南亞科和華亞科雖然50奈米制程大量產(chǎn)出，但受到下游客戶季底作帳因素，部分出貨延宕至11月;至于力晶和瑞晶則受到現(xiàn)貨價(jià)格跌幅較深影響，10月?tīng)I(yíng)收相較于9月跌幅都超過(guò)20%。

上游DRAM廠為因應(yīng)價(jià)格崩跌困境，日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)已開(kāi)出減產(chǎn)第1槍?zhuān)瑢p少?gòu)V島廠產(chǎn)能，以及延后對(duì)轉(zhuǎn)投資瑞晶12寸晶圓廠R2擴(kuò)廠時(shí)程，至于臺(tái)DRAM廠亦開(kāi)始降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能，但其它國(guó)際DRAM大廠如三星電子(SAMSungElectrONics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)等尚未宣示將跟進(jìn)減產(chǎn)。

DRAM業(yè)者認(rèn)為，如果只有爾必達(dá)和臺(tái)系DRAM廠進(jìn)行少量減產(chǎn)，對(duì)于全球DRAM產(chǎn)業(yè)供過(guò)于求情況是不會(huì)有所幫助，尤其目前三星全球DRAM市占率超過(guò)40%，三星若沒(méi)有節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，DRAM產(chǎn)業(yè)供過(guò)于求情況不會(huì)改變。

值得注意的是，DRAM價(jià)格出現(xiàn)崩跌，除上游制造廠受到嚴(yán)重沖擊，下游模塊廠亦一并受累，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收為28.6億元，較9月減少17.1%，較2009年同期減少34.49%，累計(jì)2010年前10月?tīng)I(yíng)收為354.89億元，較2009年同期成長(zhǎng)36.12%。

在各產(chǎn)品線營(yíng)收比重方面，威剛10月DRAM產(chǎn)品營(yíng)收較9月減少22.14%，營(yíng)收比重約54%;NANDFlash產(chǎn)品營(yíng)收較9月減少10.36%，占整體營(yíng)收比重攀升至46%。威剛表示，DRAM營(yíng)收貢獻(xiàn)減少，主要是因?yàn)镈DR3市場(chǎng)供過(guò)于求，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)跌逾15%之故，預(yù)計(jì)第4季DRAM和NANDFlash新供給量會(huì)陸續(xù)增加，若上游DRAM和NANDFlash大廠不減產(chǎn)，供過(guò)于求情形恐將持續(xù)。

展望第4季營(yíng)運(yùn)，威剛表示，9、10月旺季出貨高峰已過(guò)，對(duì)于11月?tīng)I(yíng)運(yùn)展望，預(yù)期營(yíng)收將隨著產(chǎn)業(yè)進(jìn)入淡季效應(yīng)而呈現(xiàn)衰退，未來(lái)在庫(kù)存管理策略上，將以維持營(yíng)運(yùn)基本需求為主，庫(kù)存將控制在3~4周低水位。