【導(dǎo)讀】NAND Flash進(jìn)入x3世代 消費(fèi)性電子產(chǎn)品價(jià)格將下滑     新帝4月量產(chǎn)16Gb產(chǎn)品 與產(chǎn)業(yè)龍頭三星差距拉近

   c新帝將在4月量產(chǎn)16Gb容量的3-Bit-Per-Cell產(chǎn)品，預(yù)計(jì)在同一世代制程下，采用3-Bit-Per-Cell技術(shù)可較MLC(Multi-Level Cell)技術(shù)增加20%產(chǎn)出；此外，三星電子(Samsung Electronics)2008年同樣會(huì)有x3產(chǎn)出品問(wèn)世，而這也代表整個(gè)NAND Flash產(chǎn)業(yè)世代交替下，x3世代的接班態(tài)勢(shì)已正式浮出臺(tái)面。

    與過(guò)去SLC世代轉(zhuǎn)換到MLC世代的歷史相同，這次NAND Flash產(chǎn)業(yè)技術(shù)再度由MLC世代晉級(jí)到x3世代，且確定再度由新帝和東芝(Toshiba)陣營(yíng)搶得頭香，領(lǐng)先三星、海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)陣營(yíng)推出x3高容量NAND Flash產(chǎn)品。

    新帝指出，采用56奈米制程16Gb容量3-Bit-Per-Cell產(chǎn)品，將會(huì)于4月正式量產(chǎn)，3-Bit-Per-Cell技術(shù)已發(fā)展2年的時(shí)間，是使用新帝自己的專(zhuān)利，與策略聯(lián)盟伙伴東芝共同生產(chǎn)研發(fā)，是MLC下一世代的產(chǎn)品。目前東芝雖然未公布量產(chǎn)x3技術(shù)NAND Flash的時(shí)間點(diǎn)，但預(yù)計(jì)也將于近期推出。

    NAND Flash技術(shù)最早以SLC結(jié)構(gòu)為主，進(jìn)入MLC技術(shù)世代后，MLC技術(shù)的成本整整較SLC成本節(jié)省50%，這樣的成本優(yōu)勢(shì)結(jié)構(gòu)，也讓MLC快速取代SLC成為NAND Flash技術(shù)的主流；目前整個(gè)NAND Flash產(chǎn)業(yè)中，MLC產(chǎn)出比重占了80%，SLC比重只剩下20%。

    新帝表示，MLC技術(shù)進(jìn)入x3技術(shù)世代后，在同一個(gè)制程下，采用x3技術(shù)的每片NAND Flash晶圓的產(chǎn)出可較MLC技術(shù)成長(zhǎng)20%。根據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露，未來(lái)由x3技術(shù)轉(zhuǎn)換到x4(4-Bit-Per-Cell)技術(shù)，成本下降的空間會(huì)逐漸被壓縮，顯示NAND Flash產(chǎn)業(yè)技術(shù)的開(kāi)發(fā)難度越來(lái)越高。

    這次新帝和東芝陣營(yíng)在x3世代上，再度搶得頭香，領(lǐng)先其它NAND Flash大廠(chǎng)，將x3技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，恐再度掀起NAND Flash降價(jià)戰(zhàn)，有機(jī)會(huì)再度拉近與龍頭廠(chǎng)三星之間的距離；由于英特爾和美光陣營(yíng)，在x3或是x4技術(shù)的時(shí)程表還未出爐，因此新帝陣營(yíng)盡快量產(chǎn)x3產(chǎn)品，也可防堵其勢(shì)力范圍的擴(kuò)大。

    內(nèi)存業(yè)者表示，目前SLC芯片只用在少數(shù)像是固態(tài)硬盤(pán)(SSD)或是高專(zhuān)業(yè)級(jí)的高速快閃記憶卡、隨身碟等，需要較高效能的要求，一般的快閃記憶卡、隨身碟、MP3播放器等，以MLC芯片都可支應(yīng)，未來(lái)x3技術(shù)普及后，消費(fèi)性電子的價(jià)格將可進(jìn)一步下滑。