【導(dǎo)讀】臺積電遭UniRAM指控 判賠3，050萬美元
    臺積電證實，舊金山聯(lián)邦地方法院確實認定臺積電對UniRAM公司所指控不當使用營業(yè)秘密的案件必須支付3，050萬美元做為賠償，但據(jù)臺積電了解，此案僅是初判，未來仍可進行審判后的救濟，并得就此案繼續(xù)上訴。臺積電法務(wù)長暨副總杜東佑表示，未來將采取一切可能的行動保護自身權(quán)益。    

    此外，臺積電表示，過去一向秉持最高標準來尊重知識產(chǎn)權(quán)，因此對此案陪審團初判的裁決并不認同。外界推測，雖然賠償金相當于約新臺幣10億元，對于現(xiàn)金充裕的臺積電而言如「九牛一毛」，但臺積電將據(jù)理力爭，不該付的賠償金絕不妥協(xié)。至于初判賠償金，未來是否將納入財報中認列，臺積電則未予置評。     

    UniRAM成立于1998年，主要從事高效能內(nèi)存IC的設(shè)計研發(fā)，并將其成功開發(fā)的硅智財IP對外進行技術(shù)授權(quán)，以收取權(quán)利金，營運模式類似目前內(nèi)存DDR、DDR2技術(shù)授權(quán)知名業(yè)者Rambus，而目前Rambus也與美光(Micron)、三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)及島內(nèi)DRAM業(yè)者南亞科亦進行訴訟之中。     

    2004年UniRAM也曾與內(nèi)存IP授權(quán)業(yè)者Mosys發(fā)生過專利訴訟，但后來雙方達成和解，Mosys向UniRAM償付240萬美元。而這次UniRAM所控告的臺積電，近年來積極投入系統(tǒng)單芯片(SoC)領(lǐng)域并布局嵌入式內(nèi)存產(chǎn)品代工，過去也曾與Mosys也過合作關(guān)系。盡管UniRAM及臺積電對于此案究竟事涉哪些相關(guān)的「營業(yè)秘密」皆三緘其口，但外界預(yù)料，臺積電將訴諸各種行動，力爭權(quán)益到底，因此距離此案終判，還需一段時日觀察。     

    目前臺積電布局嵌入式內(nèi)存市場愈發(fā)積極，其中eDRAM工藝技術(shù)已開發(fā)90、65納米工藝2個世代，并積極著手邁入下一世代55納米工藝技術(shù)，半導(dǎo)體業(yè)者認為，隨著臺積電對于嵌入式閃存、嵌入式DRAM的著墨愈多，內(nèi)存相關(guān)IP的合作伙伴，或是相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)者主動「找上門」的機會也將愈多。