[導讀]【導讀】07年NAND閃存需求翻倍
4月20日，“Flashtopia by Samsung”大會在廣東深圳舉行。會上，三星半導體部門數位副總裁以及多名三星市場人士或工程師分別發(fā)表演講，向受邀的61家共計350余人次的客戶及代理
【導讀】07年NAND閃存需求翻倍
4月20日，“Flashtopia by Samsung”大會在廣東深圳舉行。會上，三星半導體部門數位副總裁以及多名三星市場人士或工程師分別發(fā)表演講，向受邀的61家共計350余人次的客戶及代理商人士介紹了三星的產品方案及最新技術，并對未來幾年的閃存市場的發(fā)展做出了分析和預測。
這是三星首次舉辦以“Flashtopia”為主題的活動。據介紹，去年三星成功研制40nm工藝的32Gbit NAND Flash產品時，提出了“Flashtopia”的概念，取義為“Flash Utopia”，即“閃存烏托邦”，意為用最新閃存技術創(chuàng)造完美的數字消費生活。三星深圳分公司市場部人士透露，以“Flashtopia”為主題的會議將在未來的幾年連續(xù)舉辦，本次選擇深圳作為首屆會址，是因為華南地區(qū)聚集了許多三星的客戶，并擁有強大的制造實力。
“07年NAND閃存需求翻倍，供貨稍遜”
三星對NAND市場持有相當樂觀的態(tài)度，NAND產品部高級市場經理J.J.KIM在演講時援引SEC Marketing的數據表示，2007年全球手機出貨量將超過10億臺，較06年增長10%，由于i-Phone將在今年5月實現(xiàn)量產，全球大手機廠商會對i-Phone全力阻擊，手機內存容量將被提升至4GB以上，此舉將給NAND內存市場帶來5%的增長。
另據預測，2007年，便攜式多媒體終端設備（包括手持導航設備）出貨量將達到4100萬部（2006年為2600萬部），其中近7成將采用NAND閃存作為存儲方式，這將加大NAND閃存的市場需求，預計2008年之前，NAND的需求將比2007年第一季度翻倍。
J.J.KIM同時表示，由于今年有些企業(yè)將部分精力轉移至DRAM，NAND晶圓生產能力的不足，以及基于多層單元（MLC）技術的NAND產品上市時間的一再延遲，將可能導致2007年下半年NAND閃存供貨無法滿足市場需求的現(xiàn)象出現(xiàn)。
“MLC NAND產品從16Gbit開始領先業(yè)界”
三星在會上還展出了移動處理器芯片的多種解決方案，以及基于NAND/Nor技術的產品，其中，曾在IIC China 2007展深圳站出現(xiàn)的“世界第一款”40nm工藝32Gbit NAND閃存和12英寸晶圓再次被展出。
對于在計算機消費產品上向來喜歡爭“World First”的三星而言，此次會議再次強調了該公司在內存領域的地位。三星宣稱在基于單層單元（SLC）技術的NAND產品上，領先對手一年，而對于被認為是三星軟肋的基于多層單元（MLC）技術的NAND產品，三星亦表示自2007年第二季度以來，三星已憑借其51nm工藝16Gbit MLC技術領先所有競爭對手。
三星NAND應用工程師S.C.Kwon介紹，三星目前已經做好了量產50nm 工藝NAND閃存的準備，40nm工藝的產品有望在2008年第三季度實現(xiàn)量產。英特爾日前宣布將于2007年下半年實現(xiàn)50nm工藝 NAND閃存的量產，并將于2008年達到35nm工藝，這對于在NAND閃存領域領先的三星而言是否為一個威脅（三星預計2008年實現(xiàn)40nm工藝），該名工程師表示“我是工程師，不是市場人員，不便評價”。
這是三星首次舉辦以“Flashtopia”為主題的活動。據介紹，去年三星成功研制40nm工藝的32Gbit NAND Flash產品時，提出了“Flashtopia”的概念，取義為“Flash Utopia”，即“閃存烏托邦”，意為用最新閃存技術創(chuàng)造完美的數字消費生活。三星深圳分公司市場部人士透露，以“Flashtopia”為主題的會議將在未來的幾年連續(xù)舉辦，本次選擇深圳作為首屆會址，是因為華南地區(qū)聚集了許多三星的客戶，并擁有強大的制造實力。
“07年NAND閃存需求翻倍，供貨稍遜”
三星對NAND市場持有相當樂觀的態(tài)度，NAND產品部高級市場經理J.J.KIM在演講時援引SEC Marketing的數據表示，2007年全球手機出貨量將超過10億臺，較06年增長10%，由于i-Phone將在今年5月實現(xiàn)量產，全球大手機廠商會對i-Phone全力阻擊，手機內存容量將被提升至4GB以上，此舉將給NAND內存市場帶來5%的增長。
另據預測，2007年，便攜式多媒體終端設備（包括手持導航設備）出貨量將達到4100萬部（2006年為2600萬部），其中近7成將采用NAND閃存作為存儲方式，這將加大NAND閃存的市場需求，預計2008年之前，NAND的需求將比2007年第一季度翻倍。
J.J.KIM同時表示，由于今年有些企業(yè)將部分精力轉移至DRAM，NAND晶圓生產能力的不足，以及基于多層單元（MLC）技術的NAND產品上市時間的一再延遲，將可能導致2007年下半年NAND閃存供貨無法滿足市場需求的現(xiàn)象出現(xiàn)。
“MLC NAND產品從16Gbit開始領先業(yè)界”
三星在會上還展出了移動處理器芯片的多種解決方案，以及基于NAND/Nor技術的產品，其中，曾在IIC China 2007展深圳站出現(xiàn)的“世界第一款”40nm工藝32Gbit NAND閃存和12英寸晶圓再次被展出。
對于在計算機消費產品上向來喜歡爭“World First”的三星而言，此次會議再次強調了該公司在內存領域的地位。三星宣稱在基于單層單元（SLC）技術的NAND產品上，領先對手一年，而對于被認為是三星軟肋的基于多層單元（MLC）技術的NAND產品，三星亦表示自2007年第二季度以來，三星已憑借其51nm工藝16Gbit MLC技術領先所有競爭對手。
三星NAND應用工程師S.C.Kwon介紹，三星目前已經做好了量產50nm 工藝NAND閃存的準備，40nm工藝的產品有望在2008年第三季度實現(xiàn)量產。英特爾日前宣布將于2007年下半年實現(xiàn)50nm工藝 NAND閃存的量產，并將于2008年達到35nm工藝，這對于在NAND閃存領域領先的三星而言是否為一個威脅（三星預計2008年實現(xiàn)40nm工藝），該名工程師表示“我是工程師，不是市場人員，不便評價”。
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