臺DRAM廠近期法說會剛告一段落，不過，真正的競逐才要展開，據(jù)了解，業(yè)者為進一步降低成本以避免跌價損失，紛投入70nm制程量產的競逐賽，其中茂德可望于2007年第一季底正式進入70nm制程量產，緊接在后的則是力晶，至于華亞科則預計第四季試產。

　　臺DRAM廠于2006年第四季以及全年均交出不錯的成績，目前則積極投入70nm制程競逐賽，希望能夠提前進入量產，以便能因應接下來DRAM平均售價的價格壓力。

　　茂德指出，日前提出第一批試產的70nm制程良率已相當不錯，最高還達到80％以上，而就近來幾批試產的70nm制程良率來看，結果更是讓生產人員信心大增，目前產出結果甚至比當初90nm制程更好，因此原預估至第二季才能導入量產，目前則可望提前。

　　茂德表示，目前初步估計應在第一季底時便可開始70nm制程量產，也希望能加緊腳步在第四季時讓FabIII廠能夠全部轉換為70nm制程，讓產能可一舉拉高至6萬片以上，不過，現(xiàn)階段要達到這樣目標，除了制造能力外，還需要考慮到機器設備是否能跟上擴產腳步。

　　至于力晶方面，董事長黃崇仁日前于法說會表示，90nm制程以下的轉換都不容易，他更指出，力晶的70nm制程才是真正70nm制程技術，由于采用爾必達（Elpida）70nm制程技術投產12吋晶圓，每片晶圓約可產出1，400顆512Mb的DRAM顆粒，而海力士（Hynix）僅約1，100顆，言下之意，便是力晶70nm制程產出顆粒數(shù)遠高于茂德。

　　目前力晶已投入70nm制程試產，將在第二季慢慢拉高投片數(shù)量，至第三季、第四季左右時，90nm制程技術與70nm制程可以正式轉換，而力晶與爾必達所合資成立的瑞晶，也將直接從70nm制程開始，據(jù)估計，下半年在轉入70nm制程后，成本可減少20％，目標轉入70nm制程滿1年后，成本可進一步減少40％。

　　至于南科目前自有的2座8吋廠目前以0.11微米制程為主，90nm制程的產品主要來自于華亞科，而在華亞科的部份，2006年10月才將90nm制程完全轉換完畢，也因為制程轉換不順，影響出貨數(shù)量，至于再轉到70nm制程部份，則預計在第四季左右會進入試產，不過華亞科也強調，2007年新臺幣400億元的資本支出僅包含了FabII的產能拉高至6萬片，以及小量70nm制程試產。