【導讀】半導體業(yè)者搶建12吋廠，世界、華虹明年跟進       北美半導體設備訂單／出貨比值（B／B值）7月開始走軟，但半導體業(yè)12吋廠投資并不手軟，除了臺積電、聯(lián)電、中芯與特許外，明年將有更多半導體業(yè)者搶進。據了解，臺積、世界先進、力晶竹科篤行園區(qū)用地，可望于年底點交，計劃明年3月動土興建12吋廠，另外，大陸除了中芯國際外，上海華虹集團年初則成立了華虹國際，計劃明年興建12吋晶圓廠。       未來一季到二季，半導體景氣的動向將相對不明朗，盡管如此，臺積、聯(lián)電、中芯、特許等一線晶圓廠，明年仍將持續(xù)投資新建12吋廠外，據了解世界先進、華虹NEC等也有意在明年興建12吋廠。       竹科園區(qū)三、五路沿線毗鄰用地約34公頃，扣除公共設施與服務設施，約有22公頃可供廠商建廠，竹科人士指出，目前已有臺積、力晶、世界先進遞件申請12吋廠建廠用地，年底土地即將進行點交，預計明年3月動土，總投資額估計約在新臺幣2000億元以上。       因此，臺積電資本支出明年的用途，除了用于擴建在南科的14廠第3期工程外，加上竹科三、五路新建1座12吋廠，將擁有3座12吋廠，至于世界先進目前的惟一1座8吋廠，第4季月產能已擴至6．5萬片，未來幾無擴產空間，但對于明年建廠與資本支出計劃，世界先進發(fā)言系統(tǒng)不予置評。       據了解，由于12吋廠經濟效益已超過8吋廠，世界先進內部正在就技術、訂單來源以及造成的資金壓力等因素，討論興建12吋廠可行性，但仍未最后定案。       至于聯(lián)電目前擁有新加坡UMCi與南科12廠，目前12吋廠為聯(lián)電研發(fā)中心，目前正進行45nm制程研發(fā)，而產線則由0．13微米到65nm制程，據了解為應客戶明年訂單需求，聯(lián)電正評估在新加坡或南科新建12吋廠的可能性。      前美商應材全球資深副總裁王寧國，轉任大陸上海華虹集團執(zhí)行長后，于年初成立了華虹國際，估計將在明年于上海興建12吋廠，另外，中芯臺北時間31日的法說上，透露明年資本支出大削三成，不過，主要是因為與北京、四川政府合資新建12吋廠，因而省下資本支出所致。