內(nèi)存市場包含NAND Flash、NOR及DRAM，從2016年底開始到2017年第三季，受供給短缺，以及需求大幅增長的影響，各種內(nèi)存的每季報價都有10%以上的成長，可想而知三星存儲業(yè)務在2017年有多賺錢。明年，三星將投入大量的人力物力繼續(xù)耕耘內(nèi)存市場，減緩DRAM和NAND降價速度。

據(jù)外媒報道，經(jīng)過50年的發(fā)展，半導體市場仍然顯得非常活躍，它在今年有望增長20%。隨著高增長而來的是供應短缺，這就是DRAM和閃存價格為什么今年會上漲的原因。

三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預算提到1.5倍，提高至260億美元。相對而言，英特爾在2017年的資本支出預算僅為120億美元，較2016年增長了25%。事實上，三星的預算約為2017年三家大公司英特爾、臺積電和SK海力士的資本支出預算的總和。

三星的主要競爭對手現(xiàn)在面臨著一個艱難的抉擇。它們要么提高資本支出預算，保障足夠的供應量，從而保有自己的市場份額，要么干脆放棄競爭，因為三星更高的產(chǎn)能將會產(chǎn)生別人難以企及的規(guī)模經(jīng)濟效應。

任何想要追趕三星的公司都面臨著整個行業(yè)供給過剩、價格下滑以及虧損擴大的問題。半導體工廠必須全負荷運行，才能維持最低的成本，只要價格能夠支付各種可變開支和固定成本，那就值得繼續(xù)維持工廠運轉。

但是，如果它們不增加預算，提高產(chǎn)能，那么它們就可能面臨市場份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠對抗三星。英特爾幾十年前就退出了DRAM業(yè)務。

英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場上占有一席之地。但是，這一希望注定落空，因為它們決定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外，三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買或獲得授權使用與NVRAM競爭的技術。

對于消費者來說，一個利好的消息是：在未來12-18個月內(nèi)，我們應該會看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)。但是，從長遠來看，我們可能會看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn)，減緩價格下降速度以及遏制競爭。