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[導讀]全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,DRAM產業(yè)進入寡占結構后,市場從去年開始進入全面獲利的狀況,2014年第一季DRAM產值再度攀升至99.4億美元,較上季成長2%,逼近百億美元規(guī)模。三大

全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,DRAM產業(yè)進入寡占結構后,市場從去年開始進入全面獲利的狀況,2014年第一季DRAM產值再度攀升至99.4億美元,較上季成長2%,逼近百億美元規(guī)模。

三大DRAM廠中SK海力士(Hynix)自無錫廠火災后浴火重生,營業(yè)利益從29%躍升至36%,表現(xiàn)最為亮眼,而其他廠商也都有不錯的表現(xiàn),堪稱DRAM產業(yè)狀況極佳的一年,預估2014年DRAM產值可望來到455億美元,較2013年成長30%。

以各家廠商表現(xiàn)來看,三星(Samsung)算是最早進入25nm制程的DRAM廠商,現(xiàn)階段良率已進入成熟階段,今年上半年產出可望突破50%;下一代23nm甚至21nm制程接近開發(fā)完成,有機會于下半年開始導入量產規(guī)模。受到均價下降影響,營收較上季衰退7%,但由于成本結構領先同業(yè),第一季的三星半導體營業(yè)利益仍成長至21%。

SK海力士由于今年第一季無錫廠已完全恢復商轉,新購機臺亦順勢從38nm提升至29nm制程,加上第四季因火災導致基期較低的關系,第一季營收大幅成長近21%,營業(yè)利益來到28%。而近期正式投片量產25nm制程,下半年將逐步提升產出量。

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2014第一季DRAM廠營收排行

美光(Micron)仍以穩(wěn)健的經營方式固守DRAM市場,營收雖維持持平,但因產品比重調整關系,獲利依然成長當中,營業(yè)利益約在21%,現(xiàn)階段技術方面仍以30nm制程為主。原爾必達(Eplida)工廠將在下半年大幅轉進25nm制程,原采用美光技術的工廠則在第四季直接導入20nm制程試產,量產時間點將落在明年上半年,產品規(guī)劃上將著重于行動式記憶體及伺服器用記憶體等毛利較高的產品。

臺廠南科轉型為生產利基型記憶體為主的DRAM廠后,仍有部份產能生產標準型記憶體,在第一季獲利上有著不錯的表現(xiàn),雖然營收下滑8%,整體營業(yè)利益大幅攀升至34%。力晶第一季DRAM營收較上季成長42%,其主因來自于P1+P2廠日前移入一臺浸潤式機臺,挪移部份產能生產標準型記憶體所致,未來將視市場狀況機動調整代工與標準型記憶體的生產比重。

華邦受惠于利基型記憶體與小容量行動式記憶體銷售暢旺,整體營收較上季成長6.2%,其中行動式記憶體的成長約在17%,利基型記憶體也有6%的成長;今年華邦更將擴大資本支出,除了投片提升至40K外,46nm制程的轉進也是重點,生產成本降低讓營業(yè)利益成長至25%。

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2014第一季各區(qū)域DRAM產出比重

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