北京時間2013年12月20日下午消息，根據一項報告，英特爾(25.05,-0.09,-0.34%)公司下一代Broadwell架構芯片的高性能版本將擁有18內核，其將成為英特爾公司迄今為止內核數最多的芯片。同時，另一份報告指出下一代Broadwell架構芯片將廣泛應用于平板電腦。

新加坡虛實區(qū)域(Vr-zone)網站本周報道稱，英特爾計劃基于其即將發(fā)布的14納米工藝流程開發(fā)下一代擁有18內核的Broadwell-EP或EX架構至強芯片。

虛實區(qū)域網站稱：“英特爾公司并沒有提高芯片速度，只不過在單個芯片或晶片中布置更多的芯片。虛實區(qū)域同時發(fā)布了一組據稱為英特爾公司產品開發(fā)未來藍圖的幻燈片。

根據虛實區(qū)域網站的消息，下一代多核芯片在2015年之前不會面世。

該網站還稱英特爾公司正在計劃醞釀開發(fā)一款用于臺式機和計算機工作站的擁有8到10內核數的高性能處理器。

首個Broadwell架構芯片預計將在明年上半年問世。Broadwell架構芯片基于當前第四代酷睿(Haswell)處理器設計。目前英特爾芯片內核數量為12，穩(wěn)居第一。

如果軟件能夠充分利用新增的內核容量，則新增的處理器內核將會為計算機帶來更強大的處理性能。

不過，這并不是英特爾計劃開發(fā)Broadwell架構芯片的全部初衷。中央處理器世界(CPUWorld)網站報道，在處理器產品系列的另一端，下一代耗能的Broadwell架構芯片可能擁有低至4.5瓦的熱封套。

這將使得Broadwell架構芯片很容易應用于平板電腦以及一體機——這是英特爾最近一直非常關注的市場。

英特爾公司拒絕對上述報道發(fā)表評論。