臺灣后段內(nèi)存測試產(chǎn)能，因為近幾年產(chǎn)業(yè)低迷廠商擴充設備不足，致使2003年在各DRAM大廠持續(xù)增加產(chǎn)出，臺灣內(nèi)存測試產(chǎn)能出現(xiàn)失衡跡象，第三季市場缺口高達2成，致使內(nèi)存測試價格攀升。第四季時，部分測試大廠，添購愛德萬(Advantest)T5585測試機及二手機臺陸續(xù)到位，臺灣內(nèi)存測試自市場缺口才稍有纖解。2004年后，礙于上游DRAM廠產(chǎn)出減少，測試產(chǎn)能吃緊情況已緩解。至于上游DRAM廠產(chǎn)出減少的原因有：淡旺季因素、月初盤點，及部分DRAM廠2003年底時因業(yè)績考量，將產(chǎn)出的晶圓片全拿出來做后段封測，導致2004年1月初需要后段封測的晶圓片數(shù)量銳減，致使整體后段測試需求降低。目前臺灣內(nèi)存測試市場供需平衡，因此，測試價格跨人年初后，出現(xiàn)持平。不過，業(yè)者認為，自2月起，DRAM廠將突破12寸晶圓0.15微米轉為0.13微米的制程瓶頸，DRAM產(chǎn)出增加的量與速度都會攀升，若業(yè)者機臺沒有大舉添購，則內(nèi)存測試市場缺口將再度出現(xiàn)，加上制程轉換后，DDR產(chǎn)出數(shù)量會多于2003年，屆時臺灣內(nèi)存供需失衡情況會日益嚴重，測試價格也會持續(xù)飆升。本文摘自《集成電路應用》