中低壓變頻器市場(chǎng)爭(zhēng)奪,IGBT等核心器件研發(fā)能力成籌碼
變頻器市場(chǎng)中,高壓變頻器一直占據(jù)重要位置,而低壓變頻器則增長(zhǎng)緩慢,但從2011年起,低壓變頻器一改低迷態(tài)勢(shì),以30%加速發(fā)展的高姿態(tài)呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。
我國(guó)變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展與發(fā)達(dá)國(guó)家相比還不夠成熟,中高端變頻器市場(chǎng)目前被國(guó)外品牌所占據(jù)。而我國(guó)變頻器發(fā)展未來爭(zhēng)奪的主戰(zhàn)場(chǎng)將落到中低壓變頻器領(lǐng)域。變頻器行業(yè)的發(fā)展,也對(duì)變頻器核心電子器件提出了的新的要求和挑戰(zhàn)。
從原來的SCR、BJT、SITH、MGT以及MCT等,變頻器的核心電子器件逐漸發(fā)展為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)等。核心電子器件的發(fā)展,不僅為變頻器帶來了更廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域,同時(shí)也使得如IGBT等核心電子器件市場(chǎng)迅速發(fā)展起來。
未來變頻器企業(yè)想要在市場(chǎng)中占據(jù)領(lǐng)先地位,就必須具備IGBT等核心器件的研制能力,才能夠真正獲得發(fā)展和競(jìng)爭(zhēng)力。





