60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
[導讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用雙面冷卻、導通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅動下的最大導通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用雙面冷卻、導通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅動下的最大導通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。
N溝道SiE876DF的目標應用是工業(yè)型電源、馬達控制電路、用于服務器和路由器的AC/DC電源，以及使用負載點(POL)功率轉換的系統(tǒng)，還可以在更高電壓的中間總線轉換(IBC)設計中用做初級側開關或次級側整流。
在這些應用中，低導通電阻的SiE876DF可以產生更低的傳導損耗，從而節(jié)約能源。除了TrenchFET硅技術對降低導通損耗的貢獻外，PolarPAK封裝的雙面冷卻還能為高電流應用提供更好的熱性能，這樣器件可以在更低的結溫下工作。PolarPAK的引線框封裝設計還能提高保護性能和可靠性，此外，由于硅片不是暴露在外的，這種封裝還能簡化制造過程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的，漏源電壓等級低于150V，因此能簡化PCB設計。SiE876DF還百分之百通過了Rg和UIS測試。
60V的SiE876DF現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
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