飛思卡爾半導(dǎo)體日前憑借推出專為無(wú)線網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的宏基站、中繼站和家庭基站的高性能而設(shè)計(jì)和優(yōu)化的四款新器件，進(jìn)入砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）市場(chǎng)。

這些器件適合低噪放大器和發(fā)射功率放大器 – 它們是無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備的兩個(gè)基本組成部分，對(duì)它們來(lái)說(shuō)，極高射頻性能是至關(guān)重要的。此外，這些器件還專為低功耗而設(shè)計(jì)，從而提供優(yōu)化的能效和長(zhǎng)期可靠性。

飛思卡爾是用于無(wú)線基站的硅片射頻LDMOS功率晶體管方面的全球領(lǐng)導(dǎo)者，它擁有大量有關(guān)GaAs的專利，是首批開(kāi)發(fā)基于GaAs技術(shù)器件的公司之一。飛思卡爾不斷發(fā)展的通用放大器（GPAs）系列基于InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBTs）和GaAs異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HFETs），該系列包括大量的射頻和微波應(yīng)用。

飛思卡爾副總裁兼射頻部總經(jīng)理Gavin P. Woods表示：“飛思卡爾的高性能MMIC器件為需要高性能的應(yīng)用，如3G和4G蜂窩式基站、中繼站和家庭基站等，提供綜合的射頻有效解決方案。 在質(zhì)量和可靠性方面，我們開(kāi)發(fā)出與先進(jìn)的LDMOS RF技術(shù)有相同標(biāo)準(zhǔn)的新款MMIC產(chǎn)品。此外，我們的GaAs MMIC提供軟硬件工具，爭(zhēng)取以最小成本獲取最佳性能?！?/p>

MML09211H是增強(qiáng)型模式pHEMT MMIC的低噪放大器，非常適合從865 – 960 MHz頻段的W-CDMA基站到728 - 768 MHz頻段中當(dāng)前正在實(shí)施的高數(shù)據(jù)速率的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。該器件還提供特別低噪數(shù)0.6 dB，包括電路損耗，并支持從400至1400 MHz的運(yùn)行。小信號(hào)增益在900 MH時(shí)為20 dB，P1dB輸出功率為21 dBm，隔離為 -35 dB，以及三階輸出攔截點(diǎn)（IP3）在900 MHz時(shí)為32 dBm。

MMA20312B是一個(gè)2階InGaP HBT功率放大器，專為無(wú)線基站、中繼站和家庭基站的使用而設(shè)計(jì)。尤其是，對(duì)于家庭基站來(lái)說(shuō)，該器件實(shí)現(xiàn)了高能效，同時(shí)符合線性要求。放大器范圍從1800到2200 MHz，在2140 MHz時(shí)提供的P1dB輸出功率為31 dBm，小信號(hào)增益為26 dB。

同樣，其他兩個(gè)新寬帶MMIC放大器適合用作發(fā)射鏈中的驅(qū)動(dòng)器放大器或者接收鏈中二階低噪放大器。它們展示出具有比典型HBT解決方案更低的電流消耗的出色線性。MMG15241H是一個(gè)覆蓋500至2800 MHz的pHEMT器件，噪音數(shù)在2140 MHz時(shí)為1.6 dB， P1dB輸出功率為24 dBm，IP3為39 dBm，以及小信號(hào)增益為15 dB。MMG20271H低噪放大器覆蓋1500至2400 MHz頻率，噪音數(shù)在2140 MHz時(shí)為1.8 dB， P1dB輸出功率為27 dBm，IP3為42 dBm，以及小信號(hào)增益為15 dB。

為了與新的MMIC互補(bǔ)，飛思卡爾還為MMG3004NT1、MMG3005NT1和 MMG3006NT1 GPA推出了應(yīng)用板卡和射頻特征數(shù)據(jù)。板卡和數(shù)據(jù)展示了實(shí)際基站發(fā)射器器件系列的MMIC功能。最新的數(shù)據(jù)顯示，這些器件的電流消耗可比產(chǎn)品介紹中最初條件下的消耗減少幾乎50%，幾乎沒(méi)有任何線性損失。

新款MMIC是目前正在開(kāi)發(fā)的很多規(guī)劃的飛思卡爾MMIC器件中的第一批產(chǎn)品，涵蓋熱門的無(wú)線頻段和應(yīng)用。

飛思卡爾的四個(gè)新款MMIC器件計(jì)劃2010年6月限量打樣，2010年8月進(jìn)行大量樣品供應(yīng)。規(guī)劃的產(chǎn)品支持包括參考設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)者的其他支持工具。