瑞薩電子近日發(fā)布了性能指數(shù)(FOM)較上代產(chǎn)品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新產(chǎn)品“G8H系列”，已開始供應(yīng)樣品。FOM是開關(guān)損耗與集電極-發(fā)射極間飽和電壓(VCE(sat))的乘積，F(xiàn)OM越小則性能越高。這是瑞薩的第8代IGBT，特點是采用了該公司獨有的溝槽柵結(jié)構(gòu)。由此降低了造成導(dǎo)通損耗的集電極-發(fā)射極間飽和電壓，同時成功降低了開關(guān)損耗。G8H系列適用于光伏發(fā)電用逆變器及不間斷電源(UPS)等配備的逆變器(DC-AC轉(zhuǎn)換器)電路。

新產(chǎn)品有耐壓為+650V和+1250V兩大類，各有最大集電極電流不同的3款產(chǎn)品。+650V耐壓的3款產(chǎn)品分別是，最大集電極電流為 40A(100℃時)的“RBN40H65T1GPQ-A0(40A)”、50A(100℃時)的“RBN50H65T1GPQ-A0(50A)”及 75A(100℃時)的“RBN75H65T1GPQ-A0(75A)”。這三款產(chǎn)品的柵極-發(fā)射極間電壓為±30V，集電極-發(fā)射極間飽和電壓為 1.5V，柵極-發(fā)射極間截止電壓為+5.0～6.8V。封裝均為TO-247。

+1250V耐壓的3款產(chǎn)品分別為最大集電極電流為25A(100℃時)的“RBN25H125S1GPQ-A0(25A)”、40A(100℃時)的“RBN40H125S1GPQ- A0(40A)”及75A(100℃時)的“RBN75H125S1GP4-A0(75A)”。柵極-發(fā)射極間電壓為±30V，集電極-發(fā)射極間飽和電壓為2.1V，柵極-發(fā)射極間的截止電壓為+5.0～6.8V。25A產(chǎn)品和40A產(chǎn)品采用TO-247封裝，75A產(chǎn)品為TO-247plus封裝。

新產(chǎn)品還降低了開關(guān)工作時產(chǎn)生的噪聲。因此不再需要外置柵極電阻來降低噪聲。通過使封裝內(nèi)側(cè)的散熱用金屬板露出，提高了散熱特性。因此，工作接合部溫度的最高值高達(dá)+175℃。樣品價格方面，650V/50A產(chǎn)品為330日元(不含稅)。新產(chǎn)品將于2016年9月開始量產(chǎn)，2017年3月開始以月產(chǎn)60 萬個的規(guī)模量產(chǎn)。今后瑞薩還將G8H系列的產(chǎn)品，計劃推出用于家電及工業(yè)設(shè)備的產(chǎn)品等。