——支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001)，有助于大功率應用的高效化與小型化

全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。

本產(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應用的進一步節(jié)能。不僅如此，由于可高頻驅(qū)動，還有利于外圍元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。例如，根據(jù)冷卻機構(gòu)中的損耗仿真進行計算，與同等額定電流的IGBT模塊相比，使用SiC模塊可使水冷散熱器的體積減少88%※。

本模塊將于2017年6月開始出售樣品。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京都)。

※1200V 600A產(chǎn)品、PWM逆變器驅(qū)動、開關頻率20kHz、導熱硅脂厚度40μm以下、散熱器規(guī)格采用市場上可獲得信息的產(chǎn)品、其他溫度條件等相同時

<背景>

近年來，SiC因其優(yōu)異的節(jié)能效果而在汽車和工業(yè)設備等領域的應用日益廣泛，并且市場對更大電流SiC產(chǎn)品的需求越來越旺盛。為了最大限度地發(fā)揮SiC產(chǎn)品的優(yōu)勢--高速開關性能，尤其是功率模塊這類額定電流較大的產(chǎn)品，需要開發(fā)可抑制開關時浪涌電壓影響的新封裝。

2012年3月，ROHM于世界首家開始量產(chǎn)內(nèi)置的功率半導體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，相繼開發(fā)出直到1200V、300A額定電流的系列產(chǎn)品，在眾多領域中被廣為采用。在IGBT模塊市場，ROHM擁有覆蓋主要額定電流范圍100A到600A的全SiC模塊產(chǎn)品陣容，預計未來的需求會進一步增長。

<特點>

1. 開關損耗大幅降低，有助于設備節(jié)能

搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的全SiC功率模塊，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低64%(芯片溫度150℃時)。因此，可降低應用的功率轉(zhuǎn)換損耗，實現(xiàn)進一步節(jié)能。

2. 高頻驅(qū)動，有利于外圍元器件的小型化

PWM逆變器驅(qū)動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關頻率的損耗5kHz驅(qū)動時降低30%、20kHz驅(qū)動時降低55%，綜合損耗顯著減少。20kHz驅(qū)動時，所需散熱器尺寸可減少88%。

不僅如此，由于可高頻驅(qū)動，還有助于外圍無源器件的小型化。

<實現(xiàn)更大電流的技術要點>

1. 封裝內(nèi)部電感顯著降低

隨著功率模塊產(chǎn)品的額定電流越來越大，開關工作時的浪涌電壓變大，因此需要降低封裝內(nèi)部的電感。此次的新產(chǎn)品通過優(yōu)化內(nèi)置的SiC元器件配置、內(nèi)部版圖及引腳結(jié)構(gòu)等，內(nèi)部電感比以往產(chǎn)品低約23%。同時，開發(fā)了相同損耗時的浪涌電壓比以往封裝低27%的G型新封裝，從而成功實現(xiàn)額定電流400A、600A的產(chǎn)品。而且，在同等浪涌電壓驅(qū)動條件下，采用新封裝可降低24%的開關損耗。

2. 封裝的散熱性能顯著提升

要實現(xiàn)額定600A的大電流，不僅需要降低內(nèi)部電感，還需要優(yōu)異的散熱性能。新產(chǎn)品提高了對模塊的散熱性影響顯著的底板部分的平坦性，從而使底板和客戶安裝的冷卻機構(gòu)間的熱阻減少57%。

另外，與之前的SiC模塊產(chǎn)品一樣，此次也推出了用來評估的驅(qū)動用柵極驅(qū)動器板，幫助客戶輕松進行產(chǎn)品評估。

＜SiC功率模塊產(chǎn)品陣容＞

<術語解說>

・電感

表示使流動的電流發(fā)生變化時因電磁感應產(chǎn)生的電動勢的大小的量。

・浪涌電壓

在電流平穩(wěn)流動的電路中瞬間急劇變動的電壓。本文中具體是指關斷MOSFET的開關時產(chǎn)生的電壓。

・IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

絕緣柵雙極晶體管。在柵極裝有MOSFET的雙極晶體管。

・MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field　Effect　Transistor)

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管。是FET中最被普遍使用的結(jié)構(gòu)。作為開關元件使用。

・SBD(Schottky Barrier Diode)

通過使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結(jié)，利用其可獲得整流性(二極管特性)的二極管。具有“無少數(shù)載流子存儲效應、高速性能卓越”的特點。

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