瑞薩電子株式會社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在內的7款功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品主要面向汽車電子控制單元（如引擎控制單元和泵電機控制單元）的應用，采用了8引腳HSON封裝，在實現(xiàn)封裝尺寸小于原有TO-252產(chǎn)品約一半的同時，還可實現(xiàn)高達75A的電流。

作為半導體元件的MOSFET，由3個端子——柵極、漏極和源極組成，用于開關元件，可以通過向柵極發(fā)出信號來控制漏極和源極之間的導通。而功率MOSFET，則是用于處理幾十安培或更高電流的產(chǎn)品。由于功率MOSFET用于實現(xiàn)大電流開關，因此降低元件產(chǎn)生的熱量就變得尤為重要。為了解決這個問題，原來的功率MOSFET在設計上選擇了具有出色散熱特性的大封裝。然而，隨著用于汽車使用的電子控制單元數(shù)量的逐年增加，電子元件也逐步朝著外形更小巧、功能更強大的方向發(fā)展。這種趨勢引發(fā)了對更小巧的功率MOSFET的需求。

此次瑞薩電子推出的新款功率MOSFET產(chǎn)品正是為了滿足上述需求。它們采用全新開發(fā)、適于汽車電子系統(tǒng)的8引腳HSON封裝，同時保持了與早期MOSFET產(chǎn)品相同的性能。

新產(chǎn)品包括額定電壓為40V和60V的N-溝道MOSFET與額定電壓為-30V的P-溝道MOSFET，可以用作各類線圈、電機和電池反向保護裝置的開關等。其主要特性如下：

(1) 封裝尺寸小，約為現(xiàn)有產(chǎn)品（TO-252）的一半
新款產(chǎn)品所使用的全新8引腳HSON封裝，其表面積為TO-252封裝的一半。除了尺寸小以外，NP75N04YUG還能夠保證實現(xiàn)1.09°C/W的溝道-外殼熱阻（注釋1）。這就意味著，在外殼溫度固定在25°C的情況下，它可以處理138W的最高連續(xù)功率。因此，可以說其性能與采用TO-252封裝的產(chǎn)品一樣高。而其小于原有產(chǎn)品約一半的尺寸，則有助于設計出更小的汽車控制單元。

(2) 處理高達75A的大電流
新款產(chǎn)品在芯片和引腳之間采用了在汽車應用領域具有出色記錄的鋁互連線。同時，多引線連接的設計也有助于改善大電流特性。因此，NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG這3款產(chǎn)品的功率MOSFET均可保證處理75A的連續(xù)電流。

(3) 在高達175°C的溝道溫度下仍能保持其高性能
新款功率MOSFET產(chǎn)品在175°C的溫度下通過了1,000小時耐久性試驗，符合AEC-Q101標準對汽車應用可靠性的要求。這就意味著這些MOSFET產(chǎn)品適于在高溫環(huán)境下使用，如發(fā)動機艙等。

瑞薩電子相信，新款功率MOSFET產(chǎn)品會實現(xiàn)更小巧的汽車控制單元，使得系統(tǒng)設計者能夠有效利用汽車內的有限空間，并能為其增添更為高級的功能。

注釋1.溝道-外殼熱阻:這是一個用以說明熱量從溝道（芯片上發(fā)熱部分）中散出的難易程度的指數(shù)。 數(shù)值越小越好。

定價和供貨情況
目前新款功率MOSFET樣品已開始供貨。NP23N06YDG的單價為0.65美元，NP75N04YUG的單價為11.0美元。將于2010年7月開始批量生產(chǎn)，預計2012年度內月產(chǎn)量將達到200萬片。（定價和供貨情況如有變更，恕不另行通知。）