支持寬溫并符合AEC Q100驗證規(guī)范的非易失性內存技術

富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出全新FRAM(鐵電隨機存儲器)解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此為該全新產(chǎn)品系列的首推器件。這兩款器件可在高達攝氏125度的高溫環(huán)境下運作，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機的工業(yè)控制機械等設計，且符合嚴苛的汽車行業(yè)AEC Q100標準規(guī)范。富士通電子希望通過該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場的各種應用，并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項目。

車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高效能非易失性內存技術的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM屬于非失去性內存，不僅能進行高速隨機存取，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應用的需求。目前，F(xiàn)RAM器件能支持如安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、事故數(shù)據(jù)記錄器(EDR)、電池管理系統(tǒng)(BMS)、汽車駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及導航與信息娛樂系統(tǒng)等應用中的實時且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存，故能降低系統(tǒng)復雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。

富士通電子的全新車用FRAM 產(chǎn)品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit兩個容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度，這樣的寬溫范圍符合車用市場標準及高溫環(huán)境下的工業(yè)應用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高達10兆次的寫入次數(shù)，采用標準SOP-8封裝。

富士通電子產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新表示：“汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉型。通過全新FRAM解決方案，我們得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉化為實際產(chǎn)品。我們不只為全球的客戶提供器件，更為基于此FRAM的每項開發(fā)項目提供顧問服務，與客戶一起克服挑戰(zhàn)并協(xié)助他們加快創(chuàng)新流程。”

MB85RS128TY，MB85RS256TY現(xiàn)已提供工程樣品。AEC Q100認證預計在2017年7月完成。