1MHz雙線串行總線EEPROM存儲(chǔ)器芯片（ST）
[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體（ST）推出1MHz雙線串行總線EEPROM存儲(chǔ)器芯片，存儲(chǔ)密度分別為256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit，兼容I2C Fast-Mode-Puls模式，數(shù)據(jù)速率可達(dá)I2C Fast-Mode 的2.5倍。
意法半導(dǎo)體（ST）推出1MHz雙線串行總線EEPROM存儲(chǔ)器芯片，存儲(chǔ)密度分別為256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit，兼容I2C Fast-Mode-Puls模式，數(shù)據(jù)速率可達(dá)I2C Fast-Mode 的2.5倍。工作頻率為1MHz，M24M01-HR完成1-Mbit的數(shù)據(jù)處理只需1秒鐘；256-Kbit的M24256-BHR只需四分之一秒；512-Kbit的M24512-HR完成數(shù)據(jù)處理只需半秒鐘。
這些新的雙線串行總線EEPROM支持多種訪存模式，包括按字節(jié)寫(xiě)入模式以及按64字節(jié)、128字節(jié) 和 256字節(jié)頁(yè)的寫(xiě)入模式、隨機(jī)寫(xiě)入模式、順序?qū)懭肽Ｊ健⒆詣?dòng)遞增尋址。除簡(jiǎn)化芯片在目標(biāo)應(yīng)用中的設(shè)計(jì)外，這些尋址模式還有助于工程師改進(jìn)系統(tǒng)性能和功耗問(wèn)題。新產(chǎn)品提供一個(gè)寫(xiě)控制輸入引腳，同時(shí)，三支引腳讓一條總線上可連接多達(dá)8個(gè)設(shè)備。為方便在低壓或標(biāo)準(zhǔn)電壓系統(tǒng)中采用，三款新產(chǎn)品都有不同版本，工作電壓從 1.8V到5.5V或2.5V到5.5V。
ST先進(jìn)的制造工藝讓新產(chǎn)性能非凡，兼有1MHz的讀寫(xiě)速度、競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格和三款微型表面貼裝，TSSOP8和3.8mm寬（150 mils）的SO-8封裝，厚度分別為1.2mm 和1.75mm，可用于纖薄的消費(fèi)電子產(chǎn)品中（如數(shù)字電視）。所有封裝均使用ST的ECOPACK® 環(huán)保技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)符合全球的綠色封裝標(biāo)準(zhǔn)，包括歐盟的有害物質(zhì)限用（RoHS）法規(guī)。
新產(chǎn)品還具有很好的耐用性，標(biāo)稱擦寫(xiě)循環(huán)100萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保存期限40年以上。
SO-8封裝的256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit樣片、TSSOP封裝的256-Kbit和512-Kbit樣片現(xiàn)已上市。
這些新的雙線串行總線EEPROM支持多種訪存模式，包括按字節(jié)寫(xiě)入模式以及按64字節(jié)、128字節(jié) 和 256字節(jié)頁(yè)的寫(xiě)入模式、隨機(jī)寫(xiě)入模式、順序?qū)懭肽Ｊ健⒆詣?dòng)遞增尋址。除簡(jiǎn)化芯片在目標(biāo)應(yīng)用中的設(shè)計(jì)外，這些尋址模式還有助于工程師改進(jìn)系統(tǒng)性能和功耗問(wèn)題。新產(chǎn)品提供一個(gè)寫(xiě)控制輸入引腳，同時(shí)，三支引腳讓一條總線上可連接多達(dá)8個(gè)設(shè)備。為方便在低壓或標(biāo)準(zhǔn)電壓系統(tǒng)中采用，三款新產(chǎn)品都有不同版本，工作電壓從 1.8V到5.5V或2.5V到5.5V。
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