安森美半導體（ON Semiconductor）推出八款新型N溝道和P溝道、低壓溝道MOSFET，進一步豐富了其業(yè)內領先的溝道技術器件系列。這些器件降低了漏極和源極之間的電阻（RDS(on)），整體電源電路效率比其它同類封裝的解決方案提高30%。

    新器件為小信號、20伏（V）MOSFET，特別適用于-430毫安（mA）至-950 mA的應用，如功率負載開關、電源轉換器電路以及手機、數(shù)碼相機、PDA、尋呼機、媒體播放器和便攜式GPS系統(tǒng)中的電池管理等。這些新型的低壓MOSFET采用安森美半導體的溝道技術，增大了溝道長度和等效溝道密度。RDS(on)比目前同類封裝的MOSFET降低60％，可導通更大電流。

    安森美半導體的溝道MOSFET有三種微?。?.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封裝選擇，節(jié)約了寶貴的板空間。因MOSFET極易受到靜電放電（ESD）的損害，且封裝越小，受ESD損害的可能性越大，安森美半導體所以將齊納二極管集成至溝道MOSFET門，提供優(yōu)異的ESD保護?？傊?，這些封裝、性能和集成度的改進進一步簡化整體板設計并騰出額外的板空間。

- NTA4151PT1，NTE4151PT1，NTZS3151PT1和NTZD3152PT1：用于達850 mA高端負載開關的P溝道MOSFET。提供單模式和雙模式。

- NTA4153NT1，NTE4153NT1   和NTZD3154NT1：用于高達915 mA低端負載開關的N溝道MOSFET。提供單模式和雙模式。

- NTZD3155CT1：互補N溝道和P溝道的組合，用于集成負載開關或小電流直流至直流轉換。

    每個器件有三種薄型的1.6mm×1.6mm封裝。六引腳高度0.6mm的SOT-563和三引腳高度0.8mm的   SC-89為扁平引腳封裝。三引腳高度1.0mm的SC-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業(yè)內標準的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能，并使高度得到改進。

    新器件每10,000件的批量單價在0.10美元至0.12美元之間。