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[導讀]日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK&

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK® SO-8或SO-8型封裝占位面積的1/3,可大大節(jié)省電路板空間。

新款Si7615DN提供了超低的導通電阻,在10V、4.5V和2.5V條件下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ。第三代TrenchFET功率MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗,使器件在執(zhí)行開關任務時比市場上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。

Si7615DN采用了與Vishay最近發(fā)布的第三代TrenchFET® 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK® SO-8封裝。為滿足各個應用的特殊需求,第三代P通道TrenchFET®封裝為設計工程師提供了多個選項,使工程師能夠在具有最大漏極電流和散熱功率的PowerPAK® SO-8封裝(分別比SO-8封裝高60%和75%),或是節(jié)省空間的PowerPAK® 1212-8封裝之間進行選擇。

直到最近,只有30V電壓的P通道功率MOSFET才具有這樣低的導通電阻范圍,因此Si7615DN的出現(xiàn)使設計工程師不再依賴于現(xiàn)有的高壓MOSFET。在競爭的30V器件中,采用PowerPAK® 1212-8封裝的器件在10V和4.5V柵極驅動電壓下的導通電阻分別為14.4mΩ和27mΩ。

Si7615DN可用做電源適配器開關,或用于筆記本電腦、上網本、工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負載切換應用。適配器開關(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)是始終導通的,并吸取電流。Si7615DN更低的導通電阻使其功耗更低,可節(jié)省電能并延長電池壽命。

新款TrenchFET® 功率MOSFET Si7615DN經過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定?,F(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產,大宗訂貨的供貨周期為10周至12周。

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