當(dāng)前位置：首頁 > 電源 > 功率器件

全新高密度溝槽MOSFET（安森美）

時(shí)間：2009-10-26 04:20:51

關(guān)鍵字： MOSFET 安森美器件 TMS

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝，為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝，為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。

新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場(chǎng)驗(yàn)證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、服務(wù)器、游戲機(jī)、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)及負(fù)載點(diǎn)(POL)應(yīng)用中的同步直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封裝方案，以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案，就其封裝尺寸而言，提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通阻抗。

安森美半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)領(lǐng)域的電源管理設(shè)計(jì)工程師能夠利用安森美半導(dǎo)體最新的30 V溝槽MOSFET方案提升總能效。我們利用電源管理及封裝技術(shù)專長(zhǎng)，為我們的客戶提供多種方案，以應(yīng)對(duì)提升能效及節(jié)省空間等設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)?！?/p>

安森美半導(dǎo)體的新MOSFET采用先進(jìn)的封裝系列，具有優(yōu)化的低門電荷及低導(dǎo)通阻抗，提升開關(guān)性能及系統(tǒng)總能效。所有器件均為無鉛、無鹵素器件，且符合RoHS指令。

器件及封裝
NTD49x系列32至79安培(A)器件包括NTD4904N、NTD4905N、NTD4906N、NTD4909N、NTD4910N及NTD4913N。這些器件采用6.7 mm x 10.4 mm DPAK封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.28至0.50美元。

NTMFS49x系列35至166 A器件包括NTMFS4935N、NTMFS4936N、NTMFS4937N、NTMFS4939N、NTMFS4941N、NTMFS4943N及NTMFS4945N。 NTMFS4933N將于2010年初之前推出。這些器件采用5 mm x 6 mm SO8FL封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.26至0.50美元。

NTTFS49x系列34至79 A器件包括NTTFS4932N、NTTFS4937N、NTTFS4939N、NTTFS4941N、NTTFS4943N及NTTFS4945N。這些器件采用3.3 mm x 3.3 mm µ8FL封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.30至0.60美元。

NTMS49x系列12.5至17 A器件包括NTMS4920N、NTMS4935N、NTMS4937N及NTMS4939N。這些器件采用5 mm x 6 mm SOIC-8封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.30至0.80美元。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。

換一批

CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢(shì)，第一部分

傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)

[通信先鋒]

增產(chǎn)16倍以滿足需求，安森美SiC工廠落戶捷克

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日安森美在捷克共和國的SiC工廠的擴(kuò)建落成，捷克的工業(yè)和貿(mào)易部科長(zhǎng)、茲林州州長(zhǎng)以及市長(zhǎng)等政府官員出席了剪彩儀式，安森美表示工廠將在未來兩年內(nèi)將SiC晶圓產(chǎn)能提高16倍以滿足急劇增長(zhǎng)的微芯片需求。

關(guān)鍵字：安森美 SiC 捷克

[產(chǎn)業(yè)新聞]

液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范在OCTC開放計(jì)算標(biāo)委會(huì)成功立項(xiàng)

北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日，國內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過項(xiàng)目評(píng)審和論證，在開放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)（OCTC）獲批立項(xiàng)。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位，將牽頭圍繞冷板、連...

關(guān)鍵字： OCT 器件數(shù)據(jù)中心 TC

[美通社全球TMT]

同方股份核技術(shù)應(yīng)用成果亮相中國-東盟博覽會(huì)

（全球TMT2022年9月20日訊）9月16日至18日，借第19屆中國—東盟博覽會(huì)開展之機(jī)，首屆中國—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng)，并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中國原子能工業(yè)有限公司...

關(guān)鍵字：分布式器件安防并聯(lián)

[功率器件]

柵極驅(qū)動(dòng)器的重要性，第二部分

為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來最小化這個(gè)過渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來說，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

關(guān)鍵字：柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET

[英飛凌]

采用高可信度的MOSFET模型進(jìn)行基于模型的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

[產(chǎn)業(yè)新聞]

共建安寧家園，同方股份核技術(shù)應(yīng)用成果亮相中國-東盟博覽會(huì)

北京, 2022年9月20日 /美通社/ -- 9月16日至18日，借第19屆中國—東盟博覽會(huì)開展之機(jī)，首屆中國—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng)，并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中...

關(guān)鍵字： BSP 全自動(dòng) 分布式器件

[意法半導(dǎo)體]

意法半導(dǎo)體推出符合 VDA 標(biāo)準(zhǔn)的LIN 交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車電氣系統(tǒng)的性能和靈活性

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...

關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管

[安森美(onsemi)]