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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認證,非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計是為了提供強固及可靠的工作,這些器件全都有豐富的自保護特性,包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護,以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。
安森美半導(dǎo)體汽車電源產(chǎn)品總監(jiān)Jim Alvenaz說:“汽車中的電子成分持續(xù)增加,需要提供能幫助減少元器件數(shù)量及節(jié)省珍貴電路板空間的半導(dǎo)體方案。安森美半導(dǎo)體的NCV840x系列幫助設(shè)計人員達到這些目的,提供強固的系統(tǒng)設(shè)計足以配合汽車嚴峻的應(yīng)用環(huán)境?!?nbsp;
NCV840x驅(qū)動器能用于多種電阻型、電感型及電容型負載的開關(guān),使設(shè)計人員能夠以更緊湊、更強固及工作壽命更長的另一選擇,替代機電式繼電器或分立電路。所有這些器件都提供邏輯電平輸入。
NCV8401、NCV8402D及NCV8403的額定漏極至源極電壓(VDSS)為42伏特(V),最大漏極電流(ID)分別為33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS為40 V,最大額定ID為6 A。所有這些器件的柵極至源極電壓(VGS)為±14 V。
這新系列的所有器件均提供低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))值,幫助實現(xiàn)更高能效的系統(tǒng)設(shè)計。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分別為23毫歐(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。
這些器件都提供−40 °C至150 °C的寬工作溫度范圍及高靜電抑制等級(25°C結(jié)溫時為4,000 V)。當(dāng)VGS為5 V及10 V時,關(guān)閉溫度限制分別設(shè)定在175⁰C及165⁰C。
NCV840x器件采用無鉛SOT-223、DPAK及SOIC8封裝,批量每1,000片的單價介于0.25美元至0.58美元之間。
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