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第三代高速600V和1200V IGBT（英飛凌）

時間：2010-05-16 01:00:58
關鍵字： IGBT    英飛凌    器件    開關損耗   
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[導讀]英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產品系列。該系列經過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關應用，在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標桿，并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需

英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產品系列。該系列經過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關應用，在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標桿，并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。

近年來，各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開關和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源（SMPS 和UPS）等高頻應用，幫助最大限度發(fā)揮系統的性能。

英飛凌公司IGBT功率分立式器件高級營銷經理Roland Stele指出：“最近幾年，工業(yè)驅動、感應加熱、電焊機、UPS和太陽能逆變器等應用對IGBT的需求大幅提高。所有這些產品都需要具有特定優(yōu)化特性的功率開關。英飛凌提供的新一代突破性IGBT針對高頻應用進行優(yōu)化，具備最低的開關損耗并提高了系統效率?！?/p>

全新的高速3 IGBT系列經過優(yōu)化，適用于開關頻率高達100 kHz的產品。它相對于上一代器件，總關斷損耗降低35％。關斷損耗的大幅降低主要源自于極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短75%，并表現出類似MOSFET的關斷開關行為。

由于Vce(sat)（通態(tài)飽和電壓）對總體損耗也很關鍵，因此需要在開關損耗和導通損耗之間實現最佳平衡。全新的高速3系列不僅具備極低的開關損耗，而且具備較低的導通損耗，這主要得益于采用本身具備較低通態(tài)飽和電壓的、成熟的Trenchstop™ 技術。

對于高速3系列中具備續(xù)流二極管的IGBT而言，其二極管的尺寸經過優(yōu)化，適用于高速開關，同時可維持較高的軟度，使產品具備出色的抗電磁干擾性能。

供貨與定價
符合RoHS標準的全新高速3 IGBT系列，其600V器件的電流范圍為20A至50A，其1200V器件的電流范圍為15A至40A。該系列目前全面投入量產。

樣品數量的價格范圍為1.90歐元（600V 20A）至5.10歐元（1200 40A）。

來源：21ic

作者：manan

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