當(dāng)前位置：首頁 > 電源 > 功率器件

高能效同步穩(wěn)壓器（安森美半導(dǎo)體）

時間：2010-06-22 02:13:41

關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器安森美半導(dǎo)體 NCP MOSFET

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步穩(wěn)壓器新系列，應(yīng)用于消費(fèi)電子，如機(jī)頂盒(STB)、數(shù)字視盤(DVD)/硬盤驅(qū)動器、液晶顯示器/液晶電視、免提電話、線纜調(diào)制解調(diào)器和電信/數(shù)據(jù)通信設(shè)備。 N

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步穩(wěn)壓器新系列，應(yīng)用于消費(fèi)電子，如機(jī)頂盒(STB)、數(shù)字視盤(DVD)/硬盤驅(qū)動器、液晶顯示器/液晶電視、免提電話、線纜調(diào)制解調(diào)器和電信/數(shù)據(jù)通信設(shè)備。

NCP3125、NCP3126和NCP3127是同步脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān)降壓穩(wěn)壓器，集成了高端和低端MOSFET，分別能夠提供2 A、3 A和4 A的連續(xù)輸出電流。這些新器件為集成開關(guān)提供極低導(dǎo)通阻抗(RDS(on))，達(dá)致高能效的系統(tǒng)方案。NCP3125集成了60毫歐(mΩ)的高端MOSFET和
36 mΩ的低端MOSFET，提供高于90%的系統(tǒng)級能效。這三款新器件在+5伏(V)至+12 V的輸入電源下，全都能夠產(chǎn)生低至0.8 V的輸出電壓。所有三款器件都引腳對引腳兼容，使設(shè)計人員能夠在產(chǎn)品開發(fā)過程中靈活地增大或減小輸出電流，或快速在新設(shè)計中重復(fù)采用，以加快產(chǎn)品開發(fā)。這些器件支持−40 °C至+125 °C的工作結(jié)溫度。

安森美半導(dǎo)體電源開關(guān)產(chǎn)品總監(jiān)John Blake說：“這些新器件與使用由一顆控制器集成電路(IC)配以獨(dú)立MOSFET的分立元器件方案相比，使設(shè)計師能實(shí)踐更高密度的電源設(shè)計。我們新系列提供的能效等級超越市場上的集成穩(wěn)壓器競爭產(chǎn)品。因此，設(shè)計團(tuán)隊將能夠以更小巧緊湊的集成方案，設(shè)計出更高性能基準(zhǔn)的電源。這是我們的關(guān)鍵實(shí)力，令客戶可加強(qiáng)他們的設(shè)計，符合不同消費(fèi)電子產(chǎn)品的新能效標(biāo)準(zhǔn)。”

NCP3125、NCP3126和NCP3127器件采用SOIC-8封裝，每10,000片批量的單價分別為0.40、0.35和0.30美元。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系本站刪除。

換一批

爆料！安森美蘇州廠，F(xiàn)A測試部門漏水停產(chǎn)！

美國ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）公司是全球首屈一指，針對多元終端市場提供高性能功率產(chǎn)品的全球第二大供應(yīng)商。1999 年，安森美半導(dǎo)體從摩托羅拉分離出來，于 2000 年成為一家上市公司，2018年成為...

關(guān)鍵字：終端市場電力行業(yè) 安森美半導(dǎo)體

[功率器件]

CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第一部分

傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...

關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)

[功率器件]

柵極驅(qū)動器的重要性，第二部分

為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗，必須盡快對柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個過渡期。如果驅(qū)動器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會更短。一般來說，柵極驅(qū)動器執(zhí)行以下任務(wù)...

關(guān)鍵字：柵極驅(qū)動器 MOSFET

[英飛凌]

采用高可信度的MOSFET模型進(jìn)行基于模型的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計

在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，可以使用仿真模型在多個設(shè)計維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡易的器件模型無法在設(shè)計中提供與之相匹敵的可信度。本文...

關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

[意法半導(dǎo)體]

意法半導(dǎo)體推出符合 VDA 標(biāo)準(zhǔn)的LIN 交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車電氣系統(tǒng)的性能和靈活性

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵磁電流，當(dāng)勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸...

關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管

[半導(dǎo)體工程師]

新品推薦：-60V SGT介紹

2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制，使其成為...

關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅(qū)動

[電源電路]

電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開關(guān)時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件，這個問題...

關(guān)鍵字：電力電子 MOSFET IGBT

[功率器件]

評估 SiC 在汽車行業(yè)之外的潛力

碳化硅 (SiC) 因其更高的開關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過去五年中，汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場。事實(shí)證明，通過 SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 A...

關(guān)鍵字：碳化硅 (SiC) MOSFET

[功率器件]

設(shè)計齊納二極管穩(wěn)壓器

IC 參考在電路設(shè)計人員中很受歡迎，因?yàn)樗鼈儨?zhǔn)確且漂移低。我未來的一些專欄將涵蓋三種類型的 IC 參考：掩埋齊納二極管、帶隙和 XFET。我們使用齊納二極管開發(fā)參考設(shè)計程序;齊納二極管的簡單說明了設(shè)計過程，它的問題讓我們...

關(guān)鍵字：齊納二極管穩(wěn)壓器

[模擬技術(shù)]

穩(wěn)壓器的工作原理怎么樣？穩(wěn)壓器與變壓器的區(qū)別

穩(wěn)壓器是使輸出電壓穩(wěn)定的設(shè)備。穩(wěn)壓器由調(diào)壓電路、控制電路、及伺服電機(jī)等組成。當(dāng)輸入電壓或負(fù)載變化時，控制電路進(jìn)行取樣、比較、放大，然后驅(qū)動伺服電機(jī)轉(zhuǎn)動，使調(diào)壓器碳刷的位置改變，通過自動調(diào)整線圈匝數(shù)比，從而保持輸出電壓的穩(wěn)...

關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器工作原理電源