21ic訊 一體型 (All-In-One, AIO) 應用設備電源的設計人員一直面對對空間有限、滿足世界各地能源法規(guī)要求，以及提供易于設計之解決方案的挑戰(zhàn)。

為了應對這些挑戰(zhàn)，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 推出一款采用mWSaver™技術的雙管反激式解決方案。

用于AIO設備的傳統電源拓撲解決方案包括LLC和單開關準諧振 (QR) 反激式拓撲。要在易于設計性、不同負載水平的功率損耗，以及效率三方面取得平衡時，每種拓撲都各有其優(yōu)劣之處。對于AIO設備的功率范圍，LLC提供最佳的總體效率，優(yōu)于雙管QR和單開關QR反激式轉換器。不過，由于LLC變壓器的設計很難，因此在三種拓撲中具有最高的輕負載功耗。單開關QR反激式轉換器的效率最低，但是它們易于設計且在輕負載下具有低功耗。

飛兆半導體的雙管QR反激式拓撲和次級端同步整流方案是用于AIO應用設備的理想解決方案，能夠提供良好的總體效率，降低輕負載功耗，而且易于設計。

飛兆半導體提供的AIO解決方案非常適合75W~230W功率范圍應用，包括FAN6920MR集成式臨界導通模式PFC和準諧振電流模式PWM控制器產品；FAN7382柵極驅動器；以及用于反激式拓撲和正激續(xù)流整流的FAN6204次級端同步整流(SR)控制器。而且，這些器件都具有同級最佳的無/輕負載功耗，能夠實現達到2013 ErP標準的設計，并可省去LLC解決方案所需的附加電路。

此外，這些器件采用了mWSaver™技術，可為AIO解決方案提供最低的待機輸入功率。準諧振控制技術既能夠減少緩沖器和泄漏電感的損耗，同時也可改進散熱性能。此外，它更降低了SR MOSFET的Vds以提高效率，并實現更小的電路板尺寸。其內置兩級電平PFC輸出提升了低壓輸入的效率。

飛兆半導體增添高端和低端柵極驅動IC產品FAN7382，能夠驅動電壓高達600V的高壓MOSFET器件，大大豐富了公司的產品系列。該器件可在高dv/dt噪聲環(huán)境下實現高端驅動器的穩(wěn)定運作。

FAN6920MR結合了一個功率因數校正 (PFC) 控制器和一個準諧振PWM控制器，實現了使用更少外部組件的高成本效益設計。在PFC部分，該器件使用受控導通時間技術以提供穩(wěn)定的直流輸出電壓，實現正常的功率因數校正。FAN6920MR使用了創(chuàng)新的總體諧波失真 (THD) 優(yōu)化器，通過減小過零期間的輸入電流失真來改善THD性能。在PWM控制部分，FAN6920MR提供了數項功能以提高電源系統性能，其中包括：能夠降低開關頻率的最多第12個谷底周期的擴展谷底檢測功能、更高的輕負載效率、綠色工作模式、內部10ms軟啟動和高/低線路超功率補償功能。

飛兆半導體FAN6204器件采用專有的線性預測時序控制技術，不受限于SR MOSFET的導通阻抗RDS(ON)，適合于固定頻率或準諧振 (QR) 反激式轉換器，以及不連續(xù) (DCM) 或連續(xù)導通模式 (CCM) 運作。這項技術包含無電流檢測電路的簡單控制方法，能夠提供更好的抗噪能力。該器件采用PWM頻率跟蹤和次級端繞組電壓檢測技術，可在固定頻率和可變頻率系統中工作，因而適用于反激式和正激續(xù)流拓撲。FAN6204還具有電流超低的綠色工作模式 (典型值1.1mA)，這種內部綠色模式可以提供更低的空載功耗和更高的輕載效率。　　

FAN7382能夠驅動飛兆半導體的超級結SupreMOS® 和SuperFET® MOSFET器件，其高壓 (高達600V)工藝和共模噪聲消除技術在高dv/dt噪聲環(huán)境下實現了穩(wěn)定的運作。該器件具備先進的電平轉換電路，允許高端柵極驅動器工作于波動高達-9.8 V (典型值) (@VBS = 15V)的負VS范圍。輸入邏輯電平兼容標準TTL系列邏輯柵極，兩個通道上的欠壓鎖定(UVLO)電路可在VCC和VBS低于特定閾值電壓的情況下防止出現故障。

飛兆半導體通過先進的硅技術和封裝選項來提供較小的尺寸和更高的性能，推動工程師實現設計創(chuàng)新。這些用于AIO PC應用設備的雙開關反激式解決方案采用mWSaver™技術，可讓工程師滿足現今嚴苛的節(jié)能和性能要求。