21ic訊 英飛凌科技股份公司進一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標準封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負載條件下實現(xiàn)能效改進。C7適用于連續(xù)導通模式功率因數(shù)校正(CCM PFC)、雙管正激(TTF)和太陽能升壓拓撲等硬開關(guān)拓撲，典型應用包括太陽能、服務器、電信設備和UPS(不間斷電源)。650V擊穿電壓還使C7適用于需要額外安全裕度的應用。

硬開關(guān)應用帶來全球最低的通態(tài)電阻" />

“C7延續(xù)了高品質(zhì)超結(jié)CoolMOS技術(shù)12年創(chuàng)新發(fā)展之路，進一步鞏固了英飛凌在高端功率轉(zhuǎn)換領域的領導地位。”英飛凌高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品負責人Jan-Willem Reynaerts指出，“憑借CoolMOS C7一流的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)*EOSS)，我們的客戶可以設計出前所未有的具有更高功率密度和效率的新一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。”

C7系列提供全球最低導通電阻，TO247封裝可以到19mΩ，TO220和D2PAK可以到45mΩ。如今，C7的快速開關(guān)性能可使客戶服務器PFC級首次實現(xiàn)100 kHz以上的開關(guān)頻率，同時達到鈦級能效。這可降低對無源組件的空間要求，從而提高功率密度。

此外，降低的輸出電容(Eoss)以及低柵極電荷(Qg)還提高了輕載條件下的能效。將性能一流的C7與英飛凌全新的碳化硅(SiC)thinQ!™第五代肖特基二極管系列和ICE2 / ICE3控制IC結(jié)合在一起，可設計出性能無與倫比的CCM PFC電路。

供貨情況

650V CoolMOS C7現(xiàn)已可提供樣品。將于2013年6月開始量產(chǎn)。