全新eGaN功率晶體管系列以MOSFET器件的價(jià)格實(shí)現(xiàn)更優(yōu)越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶體管，專為在價(jià)格方面競(jìng)爭(zhēng)而設(shè)計(jì)并且在性能上超越硅器件。 價(jià)格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化鎵(GaN)晶體管的普及化的最后一個(gè)壁壘，而價(jià)格已經(jīng)下降。這些全新產(chǎn)品可以替代硅半導(dǎo)體及為業(yè)界續(xù)寫摩爾定律的輝煌。

我們用作比較的功率MOSFET器件具有可比的最高導(dǎo)通電阻額定值((RDS(on))及相同的最高擊穿電壓額定值((VDS(max))。此外，以下的數(shù)據(jù)表比較了顯示開關(guān)速度的數(shù)據(jù)，包括QOSS、QGD及 QG，而較低的數(shù)值代表器件具備更優(yōu)越的性能。

此外，與等效MOSFET器件相比，EPC2035 及EPC2036器件的電容小很多。我們也比較了氮化鎵及MOSFET器件的面積-- EPC2035/EPC2036的面積大約是等效MOSFET的四十分之一。

功率系統(tǒng)工程師首次可以采用氮化鎵元件設(shè)計(jì)出具備更低的價(jià)格、更優(yōu)越的開關(guān)速度及更小的尺寸的最終產(chǎn)品。

開發(fā)板

為了簡(jiǎn)化對(duì)這個(gè)全新eGaN FET產(chǎn)品系列進(jìn)行評(píng)估，EPC推出開發(fā)板，使得工程師可以容易對(duì)EPC2035及EPC2036在“電路中”的性能進(jìn)行評(píng)估。開發(fā)板的尺寸是2” x 1.5”，采用半橋拓?fù)洳琫GaN FET、板載柵極驅(qū)動(dòng)器、電源及旁路電容。開發(fā)板包含所有重要元件并布局為可以實(shí)現(xiàn)最高的開關(guān)性能。

產(chǎn)品價(jià)格及實(shí)時(shí)供貨詳情

EPC2035功率晶體管在批量為一千片時(shí)的單價(jià)為0.36美元、一萬(wàn)片的單價(jià)為0.29美元。EPC2036晶體管在批量為一千片時(shí)的單價(jià)為0.38美元、一萬(wàn)片的單價(jià)為0.31美元。EPC9049及EPC9050開發(fā)板的單價(jià)為104.4美元。所有產(chǎn)品皆可以立即透過北高智科技公司及Digi-Key公司購(gòu)買。