亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3bt 受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4294，該器件適用于需要高達(dá) 71W 傳送功率的應(yīng)用。IEEE 802.3bt 這種新的以太網(wǎng)供電 (PoE) 標(biāo)準(zhǔn)提高了功率預(yù)算，以支持新的應(yīng)用和功能，同時(shí)支持 10Gb 以太網(wǎng) (10GBASE-T)，并保持與較舊的 IEEE 802.3af 和 802.3at PoE 設(shè)備的向后兼容性。當(dāng)與 LT4321 PoE 理想二極管橋接控制器結(jié)合使用時(shí)，符合 IEEE 802.3bt 草案 2.3 要求的 LT4294 PD 控制器從 RJ-45 連接器向熱插拔輸出提供高達(dá) 99% 的可用功率，同時(shí)支持新推出的功能，包括額外的 PD 類(lèi) (5、6、7 和 8)、PD 型 (Type 3 和 Type 4) 以及 5 事件分級(jí)。

LT4294 是一款單特征 802.3bt PD 控制器，可與任何高效率開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器結(jié)合使用。單特征 PD 無(wú)需第二個(gè) PD 控制器，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。無(wú)論使用了隔離式還是非隔離式開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)的靈活性都可支持使用現(xiàn)成有售和專(zhuān)有電源解決方案。與集成了功率 MOSFET 的傳統(tǒng) PD 控制器不同，LT4294 控制一個(gè)外部 MOSFET，以大幅度地減少 PD 產(chǎn)生的總熱量，并最大限度提高電源效率，這在 802.3bt 的較高功率水平時(shí)尤其重要。外部 MOSFET 架構(gòu)允許用戶(hù)選擇 MOSFET 的尺寸以適合應(yīng)用需求。基于 LT4294 的標(biāo)準(zhǔn)解決方案通常選擇低 RDS(ON) 30mΩ MOSFET。

LT4294 可提供工業(yè)和汽車(chē)溫度級(jí)版本，分別支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 的工作溫度范圍。LT4294 的千片批購(gòu)價(jià)為每片 1.95 美元，已生產(chǎn)供貨。LT4294 具集成式開(kāi)關(guān)，對(duì) LT4295 802.3bt PD 接口控制器起到了補(bǔ)充作用，這兩款器件都提供了從凌力爾特現(xiàn)有 PoE+ / LTPoE++® PD 控制器 (包括 LT4276 和 LT4275 控制器) 升級(jí)的途徑。

性能概要： LT4294

• IEEE 802.3af/at/bt (草案 2.3) 受電 (PD) 控制器

• 外部熱插拔 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)最低功耗和最高系統(tǒng)效率

• 支持高達(dá) 71W 的 PD

• 5 事件分級(jí)檢測(cè)

• 卓越的浪涌保護(hù) (100V 絕對(duì)最大值)

• 很寬的結(jié)溫范圍 (–40°C 至 125°C)

• 支持低至 9V 的可配置輔助電源

• 采用 10 引線(xiàn) MSOP 和 3mm x 3mm DFN 封裝