效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。

在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲?；谶@些平臺英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術的潛力。

英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點，考慮到成本效益，它已可用于不少應用中。不過，為了讓這一新的半導體技術成為可以依靠的革命性技術，需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應用量身定制產(chǎn)品、我們的生產(chǎn)能力、綜合技術實力和對應用系統(tǒng)的全面了解：這四大優(yōu)勢使我們成為功率半導體市場的領導者。依托英飛凌碳化硅產(chǎn)品系列，我們希望并且能夠達成這一目標。”

全新1200V碳化硅MOSFET已進行優(yōu)化，同時具備高可靠性與性能優(yōu)勢。其動態(tài)功率損耗要比1200V硅(Si)IGBT低一個數(shù)量級。首批產(chǎn)品將主推光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和充電/儲電系統(tǒng)等應用市場。不久的將來推出的新型號，也將為打造適用于工業(yè)變頻器、醫(yī)療設備或鐵路設備輔助電源的革命性解決方案創(chuàng)造條件。

1200V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術的一大優(yōu)勢在于持久的堅固耐用性。這是由于其具備較低的菲特率(FIT)和承受短路能力，可適應不同的應用。得益于4 V的閾值電壓(Vth)和+15 V的推薦柵極驅動電壓(VGS))，這些SIC MOSFET可以采用IGBT一樣驅動控制，在發(fā)生故障時得以安全關斷。碳化硅MOSFET可以實現(xiàn)高速開關，但英飛凌碳化硅MOSFET技術可以通過柵極電阻調節(jié)來改變開關速度，因此，可以輕松優(yōu)化EMC性能。

早在去年，英飛凌就已推出主導產(chǎn)品EASY 1B(半橋/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin產(chǎn)品。EASY 1B平臺十分成熟，是實現(xiàn)快速開關器件的理想模塊平臺。在今年的PCIM展會上，英飛凌展出了基于1200 V SiC MOSFET技術的其他模塊平臺和拓撲。它們將逐步擴大CoolSiC MOSFET的性能范圍。英飛凌展出的碳化硅模塊包括：

• 采用B6(Six-Pack)拓撲的EASY1B：該模塊的特點是成熟的英飛凌模塊配置，導通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續(xù)流功能。該EASY 1B適用于傳動、太陽能或焊接技術領域的應用。

• 采用半橋拓撲的EASY2B：這個較大的EASY器件，其性能增強，每個開關的RDS(ON)為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過50 kW和快速開關應用的理想選擇，比如太陽能逆變器、快速充電系統(tǒng)或不間斷電源解決方案等。

• 采用半橋拓撲的62 mm：附加的半橋配置，具備更大功率，每個開關功能的RDS(ON)為6 mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統(tǒng)實現(xiàn)低電感連接創(chuàng)造了條件。這一特性適合諸多應用，包括醫(yī)療設備或鐵路設備的輔助電源等。由于有大量潛在應用，英飛凌預計該模塊將迅速普及。