作者Email: gouyujie@sina.com

    摘要：針對不同廠家IPM要求的死區(qū)時間參數(shù)的不同，本文從硬件電路角度出發(fā)，提出一種延時電路方案，解決了因參數(shù)調整而引起軟件的不統(tǒng)一問題，進而為MCU的大批量mask降低成本提供可能。

    關鍵詞： IPM    死區(qū)時間 

    隨著現(xiàn)代電力電子技術的飛速發(fā)展，以絕緣柵雙晶體管（IGBT）為代表的功率器件在越來越多的場合得到廣泛地應用。IGBT是VDMOS與雙極晶體管的組合器件，集MOSFET與GTR的優(yōu)點于一身，既具有輸入阻抗高，開關速度快，熱穩(wěn)定性好和驅動電路簡單的長處，又具有通態(tài)電壓低，耐壓高和承受大電流的優(yōu)點，特別適合于電機控制?，F(xiàn)代逐漸得到普遍推廣的變頻空調，其內部的壓縮機控制單元就是采用以IGBT為主要功率器件的新型智能模塊（IPM）。

    IPM（智能功率模塊）即Intelligent Power Module的縮寫，它是將輸出功率器件IGBT和驅動電路、多種保護電路集成在同一模塊內，與普通IGBT相比，在系統(tǒng)性能和可靠性上均有進一步提高，而且由于IPM通態(tài)損耗和開關損耗都比較低，使散熱器的尺寸減小，故整個系統(tǒng)的尺寸減小。下面是IPM內部的電路框圖：

    IPM內部含有門極驅動控制、故障檢測和多種保護電路。保護電路分別檢測過流、短路、過熱、電源欠壓等故障，當任一故障出現(xiàn)時，內部電路會封鎖驅動信號并向外送出故障信號，以便外部的控制器及時處理現(xiàn)場，避免器件受到進一步損壞。下圖是變頻空調室外壓縮機控制驅動主電路的原理圖。

    220V交流電壓經(jīng)過由D1～D4和電解電容C1組成的橋式整流和阻容濾波電路后成為給IPM供電的直流電壓，六個開關管按照一定規(guī)律通斷，分別在U、V、W三相輸出一系列的矩形信號，通過調整矩形波的頻率與占空比達到調節(jié)輸出電壓頻率和幅度的目的，即現(xiàn)在應用最廣泛的PWM（PULSE WIDTH MODULATE 脈沖寬度調制）控制技術，PWM控制技術從控制思想上可以分成四類：等脈寬PWM法、正弦波PWM法、磁鏈追蹤PWM法和電流追蹤型PWM法。不管采用何種控制方式，都必須注意U、V、W任意一相上下兩個橋臂不能同時導通，否則直流電源將在IPM內部形成短路，這是絕對不允許的。為了避免電源元件的切換反應不及時可能造成的短路，一定要在控制信號之間設定互鎖時間，這個時間又叫換流時間，或者叫死區(qū)時間。

    死區(qū)時間，一般情況下軟件工程師在程序設計時就會考慮并寫進控制軟件。但是由于不同公司生產(chǎn)的IPM，對死區(qū)時間長短的要求不盡相同，這樣軟件就會出現(xiàn)多個版本，不便于管理，并且影響CPU的MASK(掩模)工作。為了控制軟件的統(tǒng)一性，有的軟件工程師將死區(qū)時間放到芯片外擴展的E2中，對不同公司的IPM，只需改變一下E2中的數(shù)據(jù)，即可簡單實現(xiàn)死區(qū)時間的匹配。這種方法的缺點是生產(chǎn)成本較高，在實際應用時受到一定限制。隨著集成電路工藝的不斷改進，各種邏輯門集成電路的價格不斷地下降，使采用硬件電路實現(xiàn)死區(qū)時間設定應用到生產(chǎn)上成為可能，這種方法的優(yōu)點是電路簡單，延時時間方便可調，成本低廉。

    方案原理圖如下圖3：

    控制過程如下：

    因為IPM控制輸入低電平有效。平時CPU輸出控制腳1處于高電平，邏輯或門輸出高電平，IPM輸入鎖定。當CPU輸出低電平有效時，高頻瓷片電容通過電阻放電，邏輯或門輸入腳2仍然維持高電平，邏輯或門輸出高電平，IPM輸入仍然鎖定。當電容放電完畢，或門輸入腳2變?yōu)榈碗娖綍r邏輯輸出才為低電平，IPM控制輸入有效，因此，電容放電時間就是CPU控制輸出到IPM控制輸入有效的延時時間。當CPU控制輸出關斷即輸出重新變?yōu)楦唠娖綍r，盡管電容處于充電狀態(tài)而使或門輸入腳2處于低電平，邏輯或門輸出仍然立即變?yōu)楦唠娖?，鎖定IPM輸入。上述電路只是六路IPM控制輸入的其中一路，其他五路做同樣處理，通過調整R、C的參數(shù)，就可以實現(xiàn)所需要的延時時間。下面是一相電路控制時序圖：

    下面我們推導圖3所示電路中電阻和電容的選擇：

    根據(jù)電工學公式，由電阻、電容組成的一階線性串聯(lián)電路，電容電壓Uc可以用下式表示：

    Uc=Uoexp（-t/τ）                     （1）

τ為時間常數(shù)    τ=RC

在圖3所示電路中，我們選擇ST公司生產(chǎn)的高速CMOS或門電路，它的關門電平為1.35V（電源電壓為4.5V），即當輸入電壓降至1.35/4.5U₀=0.3 U₀時，輸出電平轉換有效，因此由式（1）可以推導出：

t_d =-τln0.3=1.2RC                             （2）

    上式就是我們選擇R、C值的指導公式。

    例如：需要延時時間為10us，選擇精度為5%高頻瓷片電容，容量為103P，則

    R= 10 *10e-6/1.2C=833Ω，這樣R就可選擇精度為1%、阻值為820Ω的金屬膜電阻。

    小結：按照上述方案設計的硬件延時電路，結構簡單，成本低廉，可靠性極高，在實際使用時只需簡單調換一下電阻的阻值就可實現(xiàn)對死區(qū)時間要求不同的IPM的控制。


作者Email: gouyujie@sina.com