圖1所示的隔離反激式電源是圍繞著LinkSwitch-LP產(chǎn)品系列的LNK564DN(U1)而設(shè)計(jì)。在90-265 VAC的通用輸入電壓范圍內(nèi)輸出可達(dá)5 V/350 mA(1.75 W)。
二極管D1和D2對(duì)交流輸入電壓半波整流。存儲(chǔ)電容(C1)和L1衰減傳導(dǎo)EMI。電感L1外包熱縮套管,如果有元件損壞可做保險(xiǎn)絲使用。
LNK564DN利用次級(jí)繞組電壓在偏置繞組上的反射電壓來穩(wěn)定輸出電壓和電流,不再需要光耦器。在CV狀態(tài)(從空載到1.75 W)通過跳過MOSFET開關(guān)周期來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。當(dāng)負(fù)載電流超過峰值功率點(diǎn)后,MOSFET開關(guān)周期不再被跳過,而是內(nèi)部振蕩頻率隨FEEDBACK(FB)腳的電壓成比例地降低,當(dāng)此電壓達(dá)到0.8-1.7 V之間時(shí),為輸出VI曲線提供CC部分。如果FB腳的電壓低于0.8 V,U1將進(jìn)入自動(dòng)重啟動(dòng)狀態(tài)。在自動(dòng)重啟動(dòng)時(shí),大約每800 ms控制器會(huì)使MOSFET開關(guān)大約100 ms。LNK564DN會(huì)一直保持在自動(dòng)重啟動(dòng)狀態(tài),直到FB腳的電壓在100 ms開關(guān)周期內(nèi)上升到0.8 V以上。
搶答系統(tǒng)的基本功能就是搶答雙方,誰先按下?lián)尨痖_關(guān),誰的答題指示燈就亮。主持人根據(jù)答題指示燈即可知道誰先按下了開關(guān)。
關(guān)鍵字: 搶答系統(tǒng) 指示燈 開關(guān)傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個(gè)過渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來說,柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制,使其成為...
關(guān)鍵字: MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)