日本黄色一级经典视频|伊人久久精品视频|亚洲黄色色周成人视频九九九|av免费网址黄色小短片|黄色Av无码亚洲成年人|亚洲1区2区3区无码|真人黄片免费观看|无码一级小说欧美日免费三级|日韩中文字幕91在线看|精品久久久无码中文字幕边打电话

  • 貿(mào)澤電子榮獲2017第六屆中國財經(jīng)峰會杰出品牌形象獎

    第六屆中國財經(jīng)峰會于7月19日拉開序幕，半導體與電子元器件業(yè)頂尖工程設計資源與授權分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)在“光榮與夢想”致敬盛典上榮獲“2017杰出品牌形象獎”。本評選由知名研究機構、咨詢公司、專家學者、媒體領袖組成的評審委員會，通過的綜合評估體系，進行可量化的數(shù)據(jù)比對，最終評選出獲評名單。貿(mào)澤電子憑借優(yōu)秀的創(chuàng)新能力、強勢的業(yè)績成長、杰出的社會貢獻、優(yōu)良的企業(yè)文化、深度的品牌影響、領先的行業(yè)地位，更因其在未來經(jīng)濟發(fā)展中有引領作用等指標獲得了全方位認可，獲此殊榮。 貿(mào)澤電子獲得2017杰出品牌形象獎 本屆峰會主題為“中國經(jīng)濟新圖景：轉型與變革”，將邀請政界精英、工商界領袖、經(jīng)濟學界翹楚、創(chuàng)業(yè)家及新青年代表，圍繞實業(yè)振興、一帶一路、互聯(lián)網(wǎng)+、創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新、人工智能、國企改革、共享經(jīng)濟、金融科技等重要議題進行討論。“致敬盛典”旨在遴選新常態(tài)下推動經(jīng)濟增長與社會進步的企業(yè)和人物典范。 貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場及業(yè)務拓展副總裁田吉平作為代表出席了本次峰會，她表示：“感謝主辦方授予貿(mào)澤電子這一榮譽，作為一家源自美國的半導體與電子元器件分銷商，獲得‘2017杰出品牌形象獎’是對貿(mào)澤電子長期深耕中國市場、對品牌打造不懈追求的肯定，也是鞭策我們繼續(xù)為中國廣大創(chuàng)客群體和設計工程師服務的動力。” 田吉平女士代表貿(mào)澤電子領獎 目前我國正處在經(jīng)濟結構調(diào)整和轉型升級的關鍵階段，新動能的壯大、新經(jīng)濟的加快發(fā)展成為當下國家發(fā)展的重要引擎，而貿(mào)澤電子看重的是中國創(chuàng)客潮、原創(chuàng)設計的興起。貿(mào)澤電子是由美國高中電子學教師Jerry Mouser在洞悉電子教學過程中元器件購買的困難而創(chuàng)立的公司，至今已經(jīng)邁過了第52個年頭，“專注小批量”、“速度”、“深化服務”是貿(mào)澤電子的三大理念。 專注小批量需求是因為許多創(chuàng)客、設計工程師在研發(fā)過程中需要的零件有時候只有1-2片，而大廠并不會為此拆包出貨，貿(mào)澤電子推出“一個元器件也能出貨”的準則，有針對性的解決了此痛點。 由于在設計過程中，元器件遲遲不到貨會影響開發(fā)進度，深知速度的重要性的貿(mào)澤電子通過先進倉儲的管理和調(diào)度，讓設計工程師在產(chǎn)品研發(fā)過程中快人一步，并借由其常年贊助的華人第一賽車手董荷斌在賽場上的杰出表現(xiàn)將“速度”這一理念傳達給全世界。 “中國擁有龐大的人口基數(shù)，隨著教育水平的深化，越來越多的創(chuàng)客、設計工程師人才會涌現(xiàn)出來。貿(mào)澤電子做的就是讓他們能夠和全球各個角落的工程師同一時間獲得最新產(chǎn)品和技術信息，最大程度降低他們的學習成本并提供相關軟件加速他們的設計。”田副總裁說道：“如果你登錄貿(mào)澤電子的網(wǎng)站，就會發(fā)現(xiàn)這不單單是元器件采購網(wǎng)站, 更是一個技術信息平臺，貿(mào)澤電子還對網(wǎng)站進行了大量的優(yōu)化，在深耕大陸市場的過程中陸續(xù)推出更多本地服務，盡力讓客戶獲得簡潔、高效的采購體驗。” 貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服，通過提供采用先進技術的最新產(chǎn)品來滿足設計工程師與采購人員的創(chuàng)新需求。我們庫存有全球最廣泛的最新半導體及電子元件，為客戶的最新設計項目提供支持。Mouser網(wǎng)站Mouser.cn不僅有多種高級搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫存情況，而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗。此外，Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊、供應商特定參考設計、應用筆記、技術設計信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。

    半導體 元器件 貿(mào)澤電子 杰出品牌形象獎

  • 大聯(lián)大世平集團推出基于NXP產(chǎn)品的多個智能手機用智能音頻功放解決方案

     近日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平憑借恩智浦(NXP)產(chǎn)品在音響耐用性和EMC性能方面所具有的強大領先優(yōu)勢，推出多個基于NXP芯片的智能音頻功放參考方案，力求幫助客戶實現(xiàn)手機音質(zhì)的提升，同時能夠節(jié)省設計的空間。 大聯(lián)大世平此次推出的智能手機用智能音頻功放解決方案包括： 一、基于NXP TFA9888的單聲道智能音頻方案 二、基于NXP TFA9911的單聲道智能音頻方案 三、基于NXP TFA9896的立體聲智能音頻方案 四、基于NXP TFA9890的立體聲智能音頻方案 一、基于NXP TFA9888的智能手機用單聲道智能音頻方案 圖示1-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9888的智能手機用單聲道智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 立體聲Class-D類智能音頻功放 ② 能升壓到9.5V，將音量抬升 ③ 實時偵測振幅、溫度及腔體環(huán)境變化 ④ 兼容標準聲學回聲消除 ⑤ 支持混合側音 重要特性 ① 低RF敏感度 ② 高效率和低功耗 ③ 能極大提升音質(zhì)的充足余量 ④ 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ⑤ 可以偵測腔體是否損壞或漏氣 ⑥ 削波抑制 二、基于NXP TFA9911的智能手機用單聲道智能音頻方案 圖示2-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9911的智能手機用單聲道智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 立體聲Class-D類智能音頻功放 ② 能升壓到9.5V，將音量抬升 ③ 實時偵測振幅、溫度及腔體環(huán)境變化 ④ 兼容標準聲學回聲消除 ⑤ 專用揚聲器作為麥克風的反饋路徑 重要特性 ① 能極大提升音質(zhì)的充足余量 ② 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ③ 可以偵測腔體是否損壞或漏氣 ④ 低RF敏感度 ⑤ 削波抑制 三、基于NXP TFA9896的智能手機用立體聲智能音頻方案 圖示3-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9896的智能手機用立體聲智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 基于NXP TFA9896智能音頻系統(tǒng)模塊 ② 驅動雙聲道喇叭工作 ③ 支持I2S音頻輸入，高保真D類音頻輸出 ④ 通過I2C接口對其進行控制 ⑤ 自適應偏移控制，以保護揚聲器振膜 重要特性 ① 內(nèi)置DSP，嵌入揚聲器提升和保護算法 ② D類放大器 ③ 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ④ 自適應DC-DC轉換器供電 圖示4-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9896的智能手機用立體聲智能音頻方案照片 四、基于NXP TFA9890的智能手機用立體聲智能音頻方案 圖示5-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9890的智能手機用立體聲智能音頻方案系統(tǒng)框架圖 功能描述 ① 基于NXP TFA9890智能音頻系統(tǒng)評估板 ② 驅動左右聲道喇叭工作 ③ 支持I2S音頻輸入，高保真D類音頻輸出 ④ 通過I2C接口對其進行控制 ⑤ 自適應偏移控制，以保護揚聲器隔膜 重要特性 ① 內(nèi)置DSP, 嵌入揚聲器提升和保護算法 ② D類放大器, 輸出功率2.65W ③ 支持8kHz~48kHz的采樣頻率 ④ 自適應DC-DC轉換器供電 圖示6-大聯(lián)大世平推出基于NXP TFA9890的智能手機用立體聲智能音頻方案照片

    半導體 半導體 智能化

  • 半導體產(chǎn)業(yè)福音！EUV極紫外光時代真的快來了

     盡管所花的時間與成本幾乎比所有人預期得要多，半導體產(chǎn)業(yè)終于還是快要盼到極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影技術的大量生產(chǎn)──在近日于美國舊金山舉行的2017年度Semicon West半導體設備展，微影設備大廠ASML宣布該公司已經(jīng)達成了最重要且長期難以突破的里程碑：250瓦(watt)的EUV光源。 光源功率(source power)──也就是傳送到掃描機以實現(xiàn)晶圓曝光的EUV光子(photon)數(shù)量之量測值──直接等同于生產(chǎn)力，芯片制造商一直以來都堅持250瓦的光源功率是達成每小時125片晶圓(WPH)生產(chǎn)量的必要條件，而且將ASML與光源技術供應商Cymer (已在2013年被ASML收購)未能實現(xiàn)該光源功率目標，視為EUV微影在近年來發(fā)展不順的主要原因。 在Semicon West期間，ASML行銷策略總監(jiān)Michael Lercel則表示，該公司已經(jīng)實現(xiàn)了250瓦光源，而且不但是：“透過真正了解光源的轉換效率達到了一致性，也實現(xiàn)了正確的控制;”不過他補充指出，經(jīng)證實的250瓦光源還沒正式出貨。 包括英特爾(Intel)、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)與Globalfoundries等頂尖芯片制造商，都打算在接下來兩年將EUV微影導入量產(chǎn)制程，ASML在今年2月展示了104WPH的生產(chǎn)量，該公司高層并聲稱，甚至在250瓦光源實現(xiàn)之前，該公司的微影設備可達到125WPH的產(chǎn)量。 與2012年約25瓦的光源相較，250瓦光源意味著十倍的進步;Lercel在簡報EUV生產(chǎn)經(jīng)濟學時笑言，當他在幾年前仍任職于Cymert時，達到250瓦光源功率：“永遠都是明年的目標。”他表示，ASML目前在EUV領域有14種開發(fā)工具，已曝光超過100萬片晶圓，光是過去一年就曝光了50萬片;ASML的NXE:3400B量產(chǎn)型EUV微影設備已在今年稍早首度出貨。 截至4月份，ASML積壓了21臺EUV系統(tǒng)等待出貨，據(jù)說其中有大部分是英特爾的訂單;而ASML應該會在第二季財報發(fā)布時提供未出貨訂單的更新數(shù)字。 EUV技術可追溯至1970年代X光微影開發(fā)過程不順的那時候，而半導體產(chǎn)業(yè)原本期望能在2010年就開始利用EUV微影量產(chǎn)，但該技術一再推遲;有人估計，產(chǎn)業(yè)界對EUV技術的開發(fā)已經(jīng)耗費了超過200億美元。 而盡管ASML有所進展，批評者仍會繼續(xù)對EUV抱持質(zhì)疑態(tài)度;如長期觀察半導體產(chǎn)業(yè)的市場研究機構VLSI Research總裁暨分析師G. Dan Hutcheson就表示：“總有人一直說該技術不可能成功;確實花了很長的時間，但我們終究還是走到了某個地方。” 除了宣布達成光源功率里程碑，Lercel也詳述了EUV工具疊對(overlay)性能的大幅改善，以及產(chǎn)業(yè)界在布建EUV基礎建設方面的進展，包括光罩(reticle)、光罩護膜(pellicle)以及光阻劑(photoresist);此外他的簡報主要聚焦于EUV能為客戶帶來的“經(jīng)濟價值”，考量到該類工具的成本──EUV微影設備一套要價超過1億美元──聽起來是個吊詭的議題。 高成本是EUV微影技術最被詬病的特性之一，但ASML表示，EUV──在達到125WPH的產(chǎn)量目標時──與采用傳統(tǒng)浸潤式微影工具進行三重或四重圖形(patterning)的高昂成本相較，能帶來更高的經(jīng)濟優(yōu)勢。 Lercel表示：“如果你看采用多重浸潤式微影步驟的成本，加上搭配的制程步驟──包括清潔以及度量──我們相信EUV的每層光罩成本還是低于三重圖形浸潤式微影，而且絕對低于四重以上圖形的成本;”他并指出，EUV也能提供更快速周期時間(cycle times)、變異性更少以及晶圓片出現(xiàn)隨機缺陷機率更低等經(jīng)濟優(yōu)勢。 “我們相信EUV是在未來實現(xiàn)成本可負擔之微影制程微縮、非常具成本效益的技術;”Lercel表示：“我們已經(jīng)在EUV系統(tǒng)性能方面有大幅進展，能滿足業(yè)界期待。特別是有鑒于其成像表現(xiàn)如預期、疊對性能至少能與浸潤式技術媲美，以及其生產(chǎn)量已經(jīng)能超過每小時100片晶圓;這些讓我們達成了目前已經(jīng)能陸續(xù)將支援大量生產(chǎn)的設備送交客戶。”

    半導體 半導體 euv 極紫外光

  • 格芯與芯原聯(lián)袂實現(xiàn)適合次世代物聯(lián)網(wǎng)的單芯片解決方案

     格芯(GLOBALFOUNDRIES，原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布，將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX®FD-SOI 技術開發(fā)可支持完整蜂巢式調(diào)制解調(diào)器模塊的單芯片專利，包括集成基帶、電源管理、射頻以及結合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現(xiàn)有產(chǎn)品，該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本。 隨著智慧城市、家居與工業(yè)應用中互聯(lián)設備的數(shù)量日益增加，網(wǎng)絡供應商也著手開發(fā)全新的通訊協(xié)議，以期更加符合新興物聯(lián)網(wǎng)標準的需求。LPWA 技術利用現(xiàn)有的LTE頻譜及移動通信基礎設施，但更著重于為例如聯(lián)網(wǎng)水表和煤氣表等傳輸少量低頻數(shù)據(jù)的設備提供超低功耗、擴大傳輸范圍以及降低數(shù)據(jù)傳輸率。 兩大領先的LPWA連接標準包括在美國前景看好的LTE-M，以及逐漸在歐洲、亞洲取得一席之地的NB-IoT。舉例而言，中國政府已將NB-IoT定為明年全國部署的對象。根據(jù)美國市場研究公司 ABI Research 的研究，該兩大技術的結合將推動蜂窩M2M模塊的出貨量到2021年可能逼近5億。 格芯與芯原微電子目前已著手開發(fā)IP套件，以雙模運營商等級的基調(diào)制解調(diào)器帶搭配集成的射頻前端模組，旨在讓客戶開發(fā)出成本及功耗優(yōu)化的單芯片解決方案，以供全球部署。該款設計將采用格芯的22FDX工藝，運用22nm FD-SOI技術平臺為物聯(lián)網(wǎng)應用提供成本優(yōu)化的微縮能力并降低功耗。22FDX是唯一能夠以單芯片高效整合射頻、收發(fā)器、基帶、處理器和電源管理元件的技術。相較于現(xiàn)有的40nm技術，這款集成方案預計在功耗和裸片尺寸方面，將達到80%以上的提升。 格芯產(chǎn)品管理高級副總裁Alain Mutricy表示：“低功耗、電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設備正處于爆發(fā)性增長態(tài)勢，22FDX技術完美契合了其需求。對中國市場帶來的機會，我們尤為興奮。中國正以領先姿態(tài)在全國范圍大力發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)與智慧城市。芯原微電子是我們重要的合作伙伴，他們協(xié)助我們在成都建設以全新300mm晶圓廠為中心的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)。此次新的合作計劃也將進一步深化我們的長期合作關系。” 芯原股份有限公司創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民表示：“自五年前開始，作為芯片平臺即服務 (SiPaaS) 的設計代工公司，芯原即開始開發(fā) FD-SOIIP，并基于FD-SOI 技術一次流片成功了多款芯片產(chǎn)品。就物聯(lián)網(wǎng)應用而言，除了成本優(yōu)勢之外，集成式射頻、體偏壓以及嵌入式內(nèi)存如MRAM，都是28mm CMOS 工藝節(jié)點往后，F(xiàn)D-SOI 技術所具備的重要優(yōu)勢。在格芯22FDX上集成射頻與功率放大器后，基帶和協(xié)議?？稍诟吣苄铱删幊痰腪SPnano 上得以實現(xiàn)，ZSPnano 專為控制和具有低延遲的數(shù)據(jù)流、單周期指令的信號處理而優(yōu)化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圓廠，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M單芯片解決方案等IP 平臺，都將對中國的物聯(lián)網(wǎng)和 AIoT(物聯(lián)人工智能) 產(chǎn)業(yè)帶來重大的影響。” 格芯與芯原微電子預計將于2017年第四季度對基于此集成方案的測試芯片進行流片，并完成驗證。雙方計劃于2018年年中獲得運營商許可。

    半導體 半導體 物聯(lián)網(wǎng) 技術創(chuàng)新

  • 三星稱10nm工藝技術已穩(wěn)定 將專注7nm芯片

     在看到處理器和存儲器芯片的需求不斷增長之后，三星公司最近將半導體芯片制造業(yè)務分解成一個單獨的實體。該公司目前專注于其SoC業(yè)務，并在德克薩斯州的芯片廠投資近10億美元?，F(xiàn)在據(jù)報道，三星今天早些時候主辦了一個代工論壇，與其合作伙伴公司分享其分部的愿景。 根據(jù)“韓國先驅報”的報道，三星在該論壇跟本土企業(yè)分享了其半導體市場的愿景。隨著對半導體芯片需求的增長，該公司擴大了與更多企業(yè)和合作伙伴的聯(lián)系。除了智能手機和可穿戴設備，這些芯片也被用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品，智能汽車和人工智能解決方案。 這個韓國半導體巨頭還宣布，其10nm FinFET技術已經(jīng)非常穩(wěn)定，現(xiàn)在正在關注7nm制造技術。該公司計劃很快開始制造7nm芯片。三星也將增加其在中國工廠的內(nèi)存芯片生產(chǎn)能力，該公司目前為高通公司生產(chǎn)10nm芯片，為AMD生產(chǎn)14nm芯片，但前者將轉向臺積電生產(chǎn)7nm處理器。

    半導體 三星 芯片 處理器

  • 揭秘：16nm/10nm/7nm處理器差距有多大？

     隨著智能手機的發(fā)展，半導體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導體代工廠們每天爭相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。 半導體行業(yè)離我們似乎很遙遠，F(xiàn)inFET是什么東西，EUV又是什么新技術，每次看到這種相關的新聞都讓我們?nèi)缤评镬F里，不知所謂。其實它離我們很近，無論是FinFET還是EUV都是為了完善制程工藝所做的努力。而一款處理器的性能表現(xiàn)、散熱效率、功耗等等都和制程息息相關。 今天，我們來聊聊手機處理器的這些事。 ●16nm、10nm，這些數(shù)字到底是啥? 說起這個話題，我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實這些數(shù)值所代表的都是一個東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡單的講，就是我們能夠把一個單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。 手機處理器不同于一般的電腦處理器，一部手機中能夠給它留下的尺寸是相當有限的。蝕刻尺寸越小，相同大小的處理器中擁有的計算單元也就越多，性能也就越強。這也是為何廠商會頻繁強調(diào)處理器制程的原因。 同時，因為隨著頻率的提升，處理器所產(chǎn)生的熱量也隨之提高，而更先進的蝕刻技術另一個重要優(yōu)點就是可以減小晶體管間電阻，讓CPU所需的電壓降低，從而使驅動它們所需要的功率也大幅度減小。所以每一代的新產(chǎn)品不僅是性能大幅度提高，同時還有功耗和發(fā)熱量的降低。 綜合以上，可以發(fā)現(xiàn)處理器的制程對于手機十分重要，更高的性能帶來更流暢的游戲體驗，而一個保持正常溫度的機身更是能保證大家擁有一個良好的使用體驗。一次制程的升級，帶來了散熱效果與計算性能的雙重提升。 無論什么電子產(chǎn)品，CPU都稱得上是核心部件 ●手機制程的發(fā)展和性能永遠在一起 所以手機性能不斷提升的今天，半導體行業(yè)功不可沒。從32nm的Exynos 4412到如今10nm的Exynos 8895才過去了不到5年，可是手機的性能提升卻是數(shù)以倍計的。屏幕分辨率的提升，鏡頭像素的提升，這些其實都與手機性能息息相關。只有更高的運算速度支持，我們才能支持更大分辨率的圖像輸出，更強的相機算法。 目前的手機處理器大部分交由兩家廠商代工。除了上文中提到的臺積電之外，還有就是三星。它們兩者也一直在你追我趕，毫不放松。三星剛推出32nm工藝，臺積電就緊追不舍放出28nm新制程。這邊剛拿出16nm方案，那邊就宣布14nm即將投入商用。 沒有競爭就沒有發(fā)展，正是因為兩家之間互有勝負的不斷角逐，才能讓手機行業(yè)不至于類似電腦處理器那般陷入“擠牙膏”一般的提升節(jié)奏。這不，我們的10nm芯片還沒用上多久，三星的8nm，臺積電的7nm已經(jīng)爭著發(fā)布了。 采用了最新10nm技術的驍龍835 ●在制程之下，其實還有更多的博弈 說了這么多，處理器的制程真的這么重要嗎?以蘋果為例，當初一直選擇三星作為自家處理器代工廠的蘋果為何在iPhone 7/Plus選擇了臺積電的16nm工藝而放棄了三星的14nm技術，自然是因為在16/14nm這一制程上臺積電的工藝更加成熟完善。 當初兩個版本的A9處理器，蘋果分別選擇了三星和臺積電各自代工生產(chǎn)了一版，而臺積電略強于三星的表現(xiàn)，想來也是蘋果在iPhone 7上徹底倒戈臺積電的原因之一吧。 不過除了制程之外，其實廠商需要考慮的還有更多。Helio X30是聯(lián)發(fā)科在年初的MWC上發(fā)布的新一代旗艦級處理器，而且搶在了三星高通之前率先使用了10nm工藝。 可惜，前期新的生產(chǎn)工藝下良品率并不理想，而如今臺積電又要為了完成蘋果的A11訂單火力全開。同樣由它代工的X30就難免產(chǎn)能不足，這個被聯(lián)發(fā)科寄予厚望的芯片我們至今仍未得一見。 傳聞華為的麒麟系列處理器也即將發(fā)布新品 ●5nm，3nm，或者干脆量子計算? 其實半導體蝕刻尺寸發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)很吃力，每個原子的大小約為0.1nm，在10nm的情況下，一條線只有不到100顆原子，在制作上相當困難，而且只要有一個原子的缺陷，像是在制作過程中有原子掉出或是有雜質(zhì)，就會因為量子效應產(chǎn)生不知名的現(xiàn)象，影響產(chǎn)品的良率。 FinFET技術概念圖 其實制程的瓶頸我們早已遇到，當初憑借將電晶體的平面結構轉化為立體結構，也就是FinFET(鰭式場效電晶體)的使用，我們突破桎梏，迎來了10nm制程的時代。而從10nm往后，處理器的發(fā)展就寄托于新的蝕刻工藝—極紫外光刻(EUV)，用更小更鋒利的“手術刀”來切割出更小的電晶體結構。 目前看來，蘋果的下一代產(chǎn)品A11使用的將依然是10nm的工藝，那么究竟誰會搶先帶來更新更好的制程工藝，是臺積電的7nm還是三星的8nm，首發(fā)處理器又將花落誰家?我們拭目以待。

    半導體 半導體 處理器

  • 三星分離半導體代工業(yè)務后,7nm加速超越臺積電

    目前，半導體制程最尖端為10nm工藝，而面向預計年內(nèi)上市的蘋果“iPhone 8”，則由臺積電的10nm CPU(中央處理器)獨家獲得訂單。 新一代的7納米芯片除了智能手機之外，在支撐人工智能(AI)的數(shù)據(jù)中心領域，需求也有望擴大。 在公開資料的制程工藝進展中，GF和臺積電的7nm進展最速，由此，傳出高通把驍龍845的代工轉交給了臺積電，而和好伙伴三星分道揚鑣。 據(jù)外媒報道，三星半導體高管，營銷副總裁Sanghyun Lee透露，我們的7nm EUV極紫外光刻技術會是完整的EUV技術。當我們在明年推出該技術的時候，我們將在生產(chǎn)良率和價格上超過他們(臺積電)。 同時，該人士還表示，純代工的營收也有信心反超天字一號TSMC。 目前，三星正提供最先進的10nm芯片代工，包括兩款已經(jīng)上市的驍龍835和Exynos 8895。 另外，明年上半年，三星計劃先進入8nm工藝，隨后才是7nm。 看著兩個后進生如此你爭我奪，不知道依然致力于優(yōu)化14nm的Intel做何感想。  

    半導體 三星 晶圓 臺積電

  • Littelfuse 宣布收購溫度傳感器制造商 U.S. Sensor

     中國, 北京, 2017年7月 11訊 — Littelfuse 公司于今天宣布收購 U.S. Sensor 公司的資產(chǎn)?？偛吭O在加利福尼亞州的奧蘭治，U.S. Sensor 是一家最嚴苛的溫度傳感應用中所用熱敏電阻和探頭組件的制造商。交易條款并未披露。 “U.S. Sensor 公司在幾個關鍵的電子和工業(yè)終端市場，包括家庭自動化、HVAC 和家用電器，拓展了我們現(xiàn)有的傳感器產(chǎn)品組合，”電子部高級副總裁和總經(jīng)理Deepak Nayar說道, “這個交易加強了能促使增長計劃完成的設計能力。“? U.S. Sensor 總裁 Roger Dankert 表示：“這是 U.S. Sensor 公司下一個令人興奮的階段， 我們在客戶關注和創(chuàng)新方面擁有同樣的觀點，并將受益于 Littelfuse的全球業(yè)務和規(guī)模。” Littelfuse 并不希望此次交易會對其 2017 年收入或調(diào)整后的盈利預測產(chǎn)生重大影響。

    半導體 溫度傳感器 littelfuse

  • 套路非出路 國產(chǎn)半導體設備產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展之道

     在極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專項(簡稱“集成電路專項”)以及其他國家相關產(chǎn)業(yè)政策的推動下，近年來我國半導體設備產(chǎn)業(yè)取得較快進步，部分關鍵設備從無到有，實現(xiàn)了與國際先進技術水平的同步發(fā)展。同時，部分國產(chǎn)設備進入大生產(chǎn)線，在產(chǎn)業(yè)化進程上取得突破。在此情況下，如何讓產(chǎn)品在推向市場的過程中獲得合理的利潤，以利持續(xù)發(fā)展，成為國產(chǎn)設備廠商關注的重點。 半導體設備國產(chǎn)化率提升存挑戰(zhàn) 中國半導體行業(yè)要想實現(xiàn)從跟隨到引領的跨越，設備產(chǎn)業(yè)的成長是重要環(huán)節(jié)之一。但是半導體設備行業(yè)卻存在技術難度大，進入門檻高的特點。目前為止，我國半導體設備領域仍然存在著國產(chǎn)化率較低的問題。 對此，半導體專家莫大康指出，上世紀80年代末期開始，半導體設備企業(yè)開始把工藝能力整合在設備中，讓用戶買到設備就能保證使用，并且達到工藝要求。因此有“一代器件，一代設備”之說。這是半導體設備如此昂貴的原因，也是國內(nèi)企業(yè)面對的極大挑戰(zhàn)。 此外，一臺設備從研發(fā)、樣機開始，必須經(jīng)過大量硅片通過等工藝試驗，才能發(fā)現(xiàn)問題，并進行改型。這樣的過程要重復多次，改型多次后才能最后定型。另外，出廠前還要經(jīng)過馬拉松試驗，測算平均無故障時間等。 這對實力尚弱的國產(chǎn)設備廠商來說，也是一個巨大的挑戰(zhàn)。 SEMI中國區(qū)總裁居龍也表示：“目前中國設備正在取得從0到1的突破，但是要認識到這一進程的長期性。” 《中國制造2025》對于半導體設備國產(chǎn)化提出了明確要求：在2020年之前，90～32納米工藝設備國產(chǎn)化率達到50%，實現(xiàn)90納米光刻機國產(chǎn)化，封測關鍵設備國產(chǎn)化率達到50%。在2025年之前，20～14納米工藝設備國產(chǎn)化率達到30%，實現(xiàn)浸沒式光刻機國產(chǎn)化。 “集成電路專項”加速產(chǎn)業(yè)整體布局 盡管存在挑戰(zhàn)，經(jīng)過多年來的不斷培育，特別是在國家“02專項”等政策的扶持下，國產(chǎn)半導體設備產(chǎn)業(yè)還是取得了一定進步。日前，科技部會同北京市和上海市人民政府組織召開了國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”成果發(fā)布會。在過去的九年里，集成電路專項對中國半導體設備產(chǎn)業(yè)整體布局，既有全面填空，又有重點突破。 根據(jù)成果發(fā)布，北方華創(chuàng)通過近九年的科技攻關，完成了刻蝕機、磁控濺射、氧化爐、低壓化學氣相沉積、清洗機、原子層沉積等集成電路設備90/55/40/28納米工藝驗證，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。公司的刻蝕機等三大類集成電路設備進入14納米工藝驗證階段，首次實現(xiàn)與國外設備同步驗證。在集成電路專項的支持下，12英寸集成電路設備實現(xiàn)從無到有，并實現(xiàn)批量銷售，成為公司的主要收入來源之一。中微半導體先后承擔并圓滿完成65～45納米、32～22納米、22～14納米等三項等離子介質(zhì)刻蝕設備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的集成電路專項任務，使我國在該項設備領域中的技術基本保持了與國際先進水平同步。中微半導體已經(jīng)有460多個介質(zhì)刻蝕反應臺在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上高質(zhì)穩(wěn)定地生產(chǎn)了4000多萬片晶圓。 根據(jù)中科院微電子所所長葉甜春的介紹，在關鍵裝備和材料方面，我國實現(xiàn)了從無到有的跨越，大部分產(chǎn)品水平達到28納米，部分產(chǎn)品進入14納米，被國外生產(chǎn)線采用;國產(chǎn)設備驗證和應用整體累積流片突破150萬片，銷售數(shù)量超過265臺。從工藝分布上看，國產(chǎn)設備橫跨了12英寸集成電路生產(chǎn)線90～14納米各個技術節(jié)點的關鍵性工藝大類，并基本與國內(nèi)14nm先進工藝研發(fā)同步進行驗證。 用產(chǎn)品差異化取代低價競爭 在產(chǎn)業(yè)化進程取得一定突破的情況下，如何讓發(fā)展來之不易的國產(chǎn)半導體設備業(yè)得到持續(xù)發(fā)展，逐漸成為國產(chǎn)設備業(yè)關注的重點。 其中，最核心的一個問題就是產(chǎn)品的價格問題。目前，國內(nèi)半導體設備廠商存在低價競爭的狀況，一些用戶企業(yè)在面對國產(chǎn)設備廠商時，也會盡量壓低價格，國產(chǎn)設備仿佛給人留下的印象就是低價。 對此，盛美半導體董事長兼CEO王暉指出，半導體設備制造是一個門檻很高的行業(yè)，不僅技術高度密集，廠商需要掌握嚴密的IP，而且產(chǎn)品售出之后還有大量后續(xù)服務需要做好。 如果售價被壓得過低，勢必會大幅壓低設備企業(yè)的利潤空間。短期內(nèi)用戶企業(yè)雖然可能獲利，但是勢必會影響到后續(xù)服務的進行。而且，設備行業(yè)的競爭十分激烈，企業(yè)必須保證對每一代技術的持續(xù)跟進，才能保持技術的領先性。這就需要企業(yè)持續(xù)進行投入。然而，如果獲利過低，將導致企業(yè)無力跟進技術的進步。 王暉認為，對于國產(chǎn)設備業(yè)者來說，最佳的解決之道就是做產(chǎn)品的差異化技術開發(fā)，而不是僅憑低價格來爭取訂單。 “面對同一個應用，同一個技術挑戰(zhàn)，你要比大公司做得好，就要尋求差異化的解決方法，否則很難超過大公司。”他說。 在王暉看來，從技術創(chuàng)新的角度，小公司未必會輸給大公司。反而因為小公司具備靈活性及高效率，更容易做出突破性的技術。以點帶面，從點上取得突破，方是國產(chǎn)設備企業(yè)長期持續(xù)的成長之道。

    半導體 半導體 產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  • ROHM發(fā)售支持USB Type-C的USBPD評估板“BM92AxxMWV-EVK-001” 從移動設備到100W級的家電，從此可輕松導入USBPD

    <概要>   全球知名半導體制造商ROHM已經(jīng)開始在網(wǎng)上銷售6款供受電用評估板“BM92AxxMWV-EVK-001”系列，這是通過連接信息設備和周邊設備的USB Type-C連接器*1)實現(xiàn)“USB Power Delivery(簡稱USBPD)”的系列產(chǎn)品。 USBPD在以往僅可支持15W以內(nèi)供電的USB　Type-C設備間，可實現(xiàn)高達100W(20V / 5A)的供受電。因此，即使是筆記本電腦和TV等需要較大功率的設備，也可通過USB端子供電來驅動。另外，在家庭和賓館等USB插座日益普及，USBPD已發(fā)展到給基礎設施帶來變革的時代。 新發(fā)售的“BM92AxxMWV-EVK-001”中搭載ROHM開發(fā)的USBPD控制器IC，可適用于各種應用的6款評估板與供電端和受電端的電路板組合，可輕松實現(xiàn)使用USBPD的供受電及其評估。支持USB Type-C 標準Rev1.1和USBPD標準Rev2.0，因此還可與安裝有Type-C連接器的設備進行連接。 本評估板將于2017年7月起在AMEYA360、RightIC兩家在線平臺開始網(wǎng)絡銷售，電路板驅動所需的文件可從官網(wǎng)下載。 今后，ROHM將為普及打造安全舒適環(huán)境的USBPD，繼續(xù)推進領先業(yè)界的產(chǎn)品開發(fā)。 <背景> 近年來，以歐洲為首的很多地區(qū)均在倡議減少工業(yè)廢棄物，可在全世界所有電子設備中通用的充電器和通信連接器等成為必然趨勢。 在這種背景下，USB標準協(xié)會“USB Implementers Forum, Inc.*2)”推動的連接器標準“USB Type-C”和功率擴展標準“USBPD”備受矚目。利用小型且可支持正反插入的USB Type-C和可支持更大兼容設備的USBPD，同時進行數(shù)據(jù)傳輸和大功率供受電的接口已經(jīng)開始在眾多電子設備中普及。 ROHM利用先進的BiCDMOS工藝和電路技術優(yōu)勢，一直致力于有助于減少工業(yè)廢棄物和打造更加便利的環(huán)境的USBPD控制器IC的開發(fā)。 <支持USBPD的應用例> <網(wǎng)售信息與產(chǎn)品陣容> 網(wǎng)售開始時間：2017年7月起 網(wǎng)售平臺：AMEYA360、RightIC 產(chǎn)品型號 供受電 功能 備注 BM92A15MWV-EVK-001 受電端 標準評估板 5~20V　根據(jù)連接的目標設備可自動選擇 BM92A56MWV-EVK-001 供電端 標準評估板 5V, 9V, 12V, 15V, 20V輸出 BM92A14MWV-EVK-001 受電端 小型評估板 (9V) 5V, 9V根據(jù)連接的目標設備可自動選擇 BM92A13MWV-EVK-001 受電端 小型評估板 (15V) 5V, 15V根據(jù)連接的目標設備可自動選擇 BM92A12MWV-EVK-001 受電端 小型評估板 (20V) 5V, 20V根據(jù)連接的目標設備可自動選擇 BM92A21MWV-EVK-001 供電端 100W供電 AC/DC適配器 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/5A BM92A30MWV-EVK-001 受電端 支持AlternateMode*3) 支持AlternateMode 5, 12~20V　根據(jù)連接的目標設備可自動選擇 BM92A70MWV-EVK-001 供電端 支持AlternateMode 支持AlternateMode 5, 12～20V輸出 BM92A25MWV-EVK-001 供電端 45W供電AC/DC適配器 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A 標準評估板 小型評估板 100W充電AC/DC適配器 在所連接的兩個設備間進行USBPD專用通信，在供受電協(xié)議后，確定相互最佳的供受電電壓和電流。USBPD所需的通信，在新增設的專用線CC線上進行，因此，可與以往的USB數(shù)據(jù)通信獨立工作。<何謂USB Power Delivery?> 利用USB連接線，可進行高達100W供受電的USB功率擴展標準?？山o筆記本電腦等以往無法通過USB供電進行驅動的設備供電，可實現(xiàn)移動設備的快速充電(縮短充電時間)。 <術語解說> *1) USB Type-C標準(Type-C 連接器) 在USB3.1標準中定義的插座(凹端連接器)、插頭(凸端連接器)、連接線的USB連接器標準。與傳統(tǒng)產(chǎn)品不同的是，使用時不分Host端/Device端，連接器形狀也統(tǒng)一為小型且不分正反的形狀。 *2) USB Implementers Forum, Inc.(USB-IF) 1995年成立的推進USB(Universal Serial Bus)標準化的標準團體，進行USB的規(guī)格制定與管理等。如今已有超過800家的企業(yè)成為會員。 *3) AlternateMode 也可處理視頻信號的控制模式。無需再搭載以往在筆記本電腦等電子設備中必須的視頻專用端子。僅通過USB端子即可進行數(shù)據(jù)傳輸、供電受電、視頻信號傳輸?shù)龋奢p松打造更便利的環(huán)境。

    半導體 USB rohm usbpd type-c

  • 相約蓉城 助力中國制造2025 貿(mào)澤電子亮相成都電子展

     2017年7月11日-半導體與電子元器件業(yè)頂尖工程設計資源與授權分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 將亮相7月13日正式揭幕的成都電子展(展位號：4A216)，展會期間將攜手行業(yè)專家與開發(fā)者探討行業(yè)趨勢，并將邀請專家與創(chuàng)客結合自身體驗全方位深度剖析貿(mào)澤電子的本地化服務。 隨著西部大開發(fā)和科技興國戰(zhàn)略的實施，四川經(jīng)濟發(fā)展突飛猛進。其中電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展尤為迅速，已然成為四川省八大支柱產(chǎn)業(yè)之一，生產(chǎn)規(guī)模躍居全省各產(chǎn)業(yè)之首，是整個西部科技創(chuàng)新的中堅力量。有著“中國西部硅谷”之稱的成都有望將在2030年成為世界50大經(jīng)濟中心城市之一，作為西部最大的電子信息產(chǎn)業(yè)盛會，成都電子展旨在打造一個展示西部電子信息市場發(fā)展成果、助力電子信息產(chǎn)業(yè)知名企業(yè)走進西部的優(yōu)質(zhì)平臺。 貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場及業(yè)務拓展副總裁田吉平表示：“目前世界500強企業(yè)已有302家在成都落戶，其中不乏眾多世界頂尖電子制造企業(yè)，位居中西部城市首位。電子信息產(chǎn)業(yè)成為高新技術產(chǎn)業(yè)‘萬億俱樂部’的第一支柱產(chǎn)業(yè)，成都在電子信息行業(yè)正在逐步融入全球電子信息高端產(chǎn)業(yè)的核心版圖。貿(mào)澤電子參加成都電子展旨在與用戶更好的交流，深入了解內(nèi)在需求，優(yōu)化服務。與此同時，也讓更多的開發(fā)者、創(chuàng)客了解貿(mào)澤電子是研發(fā)過程中值得信賴的好伙伴。” 貿(mào)澤電子所打造的不單單是元器件采購網(wǎng)站, 更是一個技術信息平臺。在官網(wǎng)上除了可以找到用于研發(fā)使用的全套產(chǎn)品，還能搜索到廣泛的產(chǎn)品知識、更多的新產(chǎn)品手冊和前沿技術，用于滿足工程師群體以及采購人員對信息的需求。 “隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與進步，諸如基礎電子、高性能集成電路、測試測量、智能制造、軍民融合、智慧城市和大數(shù)據(jù)應用等產(chǎn)業(yè)熱門領域進入了前所未有的高速發(fā)展時期。”田副總裁補充道：“分銷商作為電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中的關鍵一環(huán)，在行業(yè)內(nèi)起到了承上啟下的作用。‘承上’就是在原廠優(yōu)質(zhì)元器件的基礎上擴大服務范圍，用全方位的服務覆蓋用戶;所謂‘啟下’就是通過服務讓開發(fā)者創(chuàng)客等時代的先行者無縫銜接全球最新產(chǎn)品和技術，為中國電子信息行業(yè)崛起打下堅實基礎。” 貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服，通過提供采用先進技術的最新產(chǎn)品來滿足設計工程師與采購人員的創(chuàng)新需求。我們庫存有全球最廣泛的最新半導體及電子元件，為客戶的最新設計項目提供支持。Mouser網(wǎng)站Mouser.cn不僅有多種高級搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫存情況，而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗。此外，Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊、供應商特定參考設計、應用筆記、技術設計信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。

    半導體 通信 半導體 貿(mào)澤電子

  • 世強聯(lián)手EPC，合力布局國內(nèi)GaN功率器件市場

    近日，國內(nèi)著名半導體分銷商——世強宣布與基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商EPC(宜普電源轉換公司)簽約合作，作為EPC中國區(qū)代理，銷售其全線產(chǎn)品。 據(jù)悉，EPC(宜普電源轉換公司)為首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線充電，自動駕駛 、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(LiDAR)及D類音頻放大器等，GaN器件在速度，損耗，效率等性能上比硅材料的功率器件優(yōu)越很多。 通過增強型氮化鎵技術，不僅可以提高電源效率，還可以實現(xiàn)提升生活的全新應用，如無線充電、汽車自動駕駛、高速移動通信、低成本衛(wèi)星以及醫(yī)療護理應用等。 關于此次合作，世強市場總監(jiān)表示，“EPC利用氮化鎵技術不斷改革、持續(xù)前進的企業(yè)精神與世強及世強元件電商一直以來，致力于將全球最新的技術帶入中國，并與推動中國企業(yè)科技創(chuàng)新的理念一致。中國第一支光學鼠標，第一支光纖通信設備，都是我們第一個帶給中國企業(yè)的。而GaN技術，正在改變我們的生活方式，可以使我們各種電源的效率提升，體積縮小、做到高功率密度，同時也能在航空航天，醫(yī)療健康，汽車無人駕駛等領域帶來新的技術和應用。所以，我們也希望通過與EPC的合作，雙方可以合力布局國內(nèi)GaN功率器件市場，為中國企業(yè)科技創(chuàng)新，做出更多的貢獻。” 世強作為全球先進的元件分銷商，目前已經(jīng)代理了如SILICON LABS、RENESAS、ROGERS、MELEXIS、EPSON等四十余家歐、美、日著名半導體企業(yè)的產(chǎn)品，特別是2016年1月，上線了線上服務平臺——世強元件電商，更是利用互聯(lián)網(wǎng)進一步為中國數(shù)萬企業(yè)提供技術支持、元件供應等創(chuàng)新服務，獲得了業(yè)界一致好評。 未來兩家企業(yè)強強聯(lián)合，必將為廣大中國企業(yè)，提供更多優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與創(chuàng)新服務，以滿足企業(yè)多元化的需求。

    半導體 epc 世強 gan功率器件

  • FinFET并非半導體演進最佳選項

     在歷史上，半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulkhigh-Kmetalgate，HKMG)CMOS制程，與16/14奈米FinFET將催生更小的電晶體，不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMGCMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點，難以維持高參數(shù)良率(parametricyields)以及低缺陷密度(defectdensity)。 20奈米節(jié)點在達到低漏電方面有困難，是因為在摻雜均勻度(dopinguniformity)、線邊緣粗糙度(lineedgeroughness)以及其他物理性參數(shù)的控制上遭遇挑戰(zhàn)，那些參數(shù)對制程中的細微變化都十分敏感。此外20奈米節(jié)點對雙重圖形(doublepatterning)的需求，也帶來了比28奈米更高的每片晶圓成本。 16/14奈米FinFET制程節(jié)點與20奈米節(jié)點采用相同的導線結構，因此晶片面積只比20奈米節(jié)點小了8~10%;該制程節(jié)點也面臨與應力控制、疊對(overlay)，以及其他與3D結構的階梯覆蓋率(stepcoverage)、制程均勻度相關的因素。 半導體各個制程節(jié)點的每閘成本估計 成本問題將會永久存在，因為隨著28奈米塊狀CMOS制程日益成熟，晶圓折舊成本(depreciationcost)將比產(chǎn)量爬升與初始高量產(chǎn)階段下滑60~70%，因此28奈米塊狀HKMGCMOS制程的每閘成本將會比FinFET低得多，甚至到2017年第四季也是一樣。而20奈米HKMG制程也將在2018或2019年折舊成本下滑時，面臨類似的發(fā)展趨勢。 塊狀CMOS制程與FinFET制程的每閘成本估計 資料顯示，F(xiàn)inFET制程能應用在高性能或是超高密度設計，但用在主流半導體元件上卻不符合成本效益;因此半導體產(chǎn)業(yè)界面臨的問題是，晶圓代工業(yè)者所推動的技術與客戶的需求之間并不協(xié)調(diào)。這種情況沒有結束的跡象，當半導體制程微縮到10奈米與7奈米節(jié)點，將會承受產(chǎn)業(yè)界還未充分準備好因應的額外晶圓制程挑戰(zhàn)。 尋求解決之道 要降低半導體未來制程節(jié)點的電晶體與邏輯閘成本，產(chǎn)業(yè)界有四條主要的解決之道： 1.采用新元件結構 選項之一是全空乏絕緣上覆矽(fullydepletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)DSOI)，能帶來比塊狀CMOS與FinFET制程低的每閘成本以及漏電。 2.采用18寸晶圓 18寸(450mm)晶圓面臨的主要挑戰(zhàn)，是該選擇在哪個制程節(jié)點進行轉換;一個可能的情況是10奈米與7奈米節(jié)點。不過，18寸晶圓與超紫外光微影不太適合在同一個制程節(jié)點啟用，這讓問題變得復雜化。 一座18寸晶圓廠要在7奈米節(jié)點達到每月4萬片晶圓的產(chǎn)量，成本將高達120億到140億美元，而且必須要在短時間之內(nèi)迅速達到高產(chǎn)量，否則折舊成本將帶來大幅的虧損。這樣的一座晶圓廠會需要生產(chǎn)能迅速達到高產(chǎn)量的晶片產(chǎn)品。要克服這些挑戰(zhàn)需要付出很多努力，但全球只有很小一部分半導體業(yè)者有能力做到;估計18寸晶圓將在2020年開始量產(chǎn)。 3.強化實體設計與可制造性設計技術 復雜的16/14奈米FinFET設計成本可能高達4億美元以上，而要改善參數(shù)良率可能還要付出1億或2億美元;這意味著只有非常少數(shù)的應用能負擔得起，因為產(chǎn)品營收必須要是設計成本的十倍。此外，那些設計需要在12個月之內(nèi)完成，才能支援如智慧型手機等市場周期變化快速的終端應用。 4.利用嵌入式多核心處理器上的軟體編程能力 可編程架構預期將會被擴大采用，但嵌入式FPGA核心的耗電量與成本都很高，軟體客制化則需要相對較程的時間，才能針對復雜的任務進行開發(fā)與除錯。軟體開發(fā)工具需要強化，但進展速度緩慢。

    半導體 半導體 技術創(chuàng)新

  • 新晶體管能模擬單個神經(jīng)元執(zhí)行運算

     近日，中國和新加坡科學家合作，利用二硫化鉬創(chuàng)建出一種新型“神經(jīng)元晶體管”。每個晶體管能模擬大腦中的單個神經(jīng)元執(zhí)行計算任務，可成為構建各種類神經(jīng)硬件的基本組件。相關論文發(fā)表在最新一期《納米技術》雜志上。 只有具備能像神經(jīng)元一樣執(zhí)行加權和閾值運算等功能的晶體管，才能被稱為“神經(jīng)元晶體管”。加權和閾值運算是指，單個神經(jīng)元能接收到其他許多神經(jīng)元發(fā)來的信號并將這些信號進行加權計算，再將獲得的加權總值與閾值進行比較，決定是否激活某種神經(jīng)反應。人腦擁有數(shù)百億個神經(jīng)元細胞，這些神經(jīng)元每秒要進行很多次加權運算和閾值比較，對人類的意識和行為進行調(diào)控。 新研究中，成都電子科技大學和新加坡南洋理工大學的科學家們，從一類被稱為“過渡金屬硫化物”的新型二維半導體材料中，挑選出二硫化鉬取代傳統(tǒng)晶體管中的硅基，研制出了能模擬單個神經(jīng)元功能的晶體管。 研究小組對神經(jīng)元晶體管的類神經(jīng)功能進行了驗證，結果表明，神經(jīng)元晶體管能在兩個邏輯門的同步調(diào)控下，執(zhí)行加權運算功能，并完成了一個類似于用算盤進行的計算任務，且在運算速度上具有明顯優(yōu)勢。 研究還發(fā)現(xiàn)，其他研究人員之前創(chuàng)建的神經(jīng)元晶體管，通常只能以不到0.05赫茲的頻率執(zhí)行運算，這個頻率遠低于人腦神經(jīng)元激活神經(jīng)反應所需的5赫茲這一平均值，而這次獲得的二硫化鉬神經(jīng)元晶體管，能在0.01赫茲到15赫茲的大頻率范圍內(nèi)工作，因此在開發(fā)類神經(jīng)硬件方面具有無可比擬的優(yōu)勢。 研究團隊希望，接下來向神經(jīng)元晶體管加入更多邏輯門，創(chuàng)建出更實用的具有生物學功能的神經(jīng)元模型，進而將這些神經(jīng)元晶體管集成到模擬神經(jīng)突觸的憶阻器中，構建出模擬大腦功能的人工神經(jīng)系統(tǒng)。

    半導體 半導體 模擬技術

  • 意法半導體(ST)發(fā)布新款汽車芯片

     近日，橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商、先進汽車芯片頂級供應商意法半導體，發(fā)布了新的汽車信息娛樂處理技術，讓有助于提升普通汽車高檔感的純數(shù)字式儀表盤(俗稱液晶儀表盤)走進中低端車型。 意法半導體新推出的Accordo5汽車處理器產(chǎn)品家族可以讓一個低功耗、小尺寸的處理器平臺滿足經(jīng)濟型汽車顯示屏的主要性能要求。新產(chǎn)品單片集成完整的圖形控制和音視頻處理功能，有助于汽車系統(tǒng)廠商節(jié)省研發(fā)成本，簡化組裝工序，降低全數(shù)字儀表盤和影像導航主機的成本。Accordo5汽車處理器可實現(xiàn)駕駛者十分看重的實用功能，例如智能手機投屏可以讓駕駛者在車載顯示屏幕上安全查看或使用手機上的內(nèi)容，例如音樂和導航服務。先進的主處理器和高性能圖形及音視頻引擎可以實現(xiàn)復雜的信息顯示功能，例如，同時顯示用戶界面、倒車影像、導航地圖、視頻預覽。播放功能支持H.264和DivX®等主要視頻編碼格式，以及涉及圖形混合覆蓋等圖效處理的2D和3D圖形。新產(chǎn)品提供USB接口和SD存儲卡接口。 安全是用戶看不到的，但對于今天網(wǎng)絡化越來越高的汽車至關重要，Accordo5汽車芯片集成一個高性能安全微控制器，保護多媒體主機與汽車網(wǎng)絡之間的連接通信安全。這款安全微控制器內(nèi)置啟動代碼鑒權、安全互連和高性能數(shù)據(jù)加密等功能。 意法半導體汽車產(chǎn)品與分立器件事業(yè)部副總裁兼汽車數(shù)字產(chǎn)品部總經(jīng)理FabioMarchio表示：“用圖形界面的數(shù)字儀表盤代替?zhèn)鹘y(tǒng)的機械開關旋鈕、按鍵和指示燈，可以讓駕駛者更方便地了解汽車狀況和車輛周圍情況，數(shù)字影像主機可提升駕駛安全性和便利性。Accordo5汽車處理器通過高成本效益的單片解決方案提供最先進的功能，讓汽車企業(yè)能夠將這些好處提供給更多的客戶。” 技術細節(jié)：Accordo5產(chǎn)品家族是意法半導體取得市場成功的Accrodo產(chǎn)品線的最新一代產(chǎn)品，集成ARM®Cortex®-A7處理器，各項參數(shù)領先于市場上其它品牌的數(shù)字信息娛樂芯片。Cortex-A7架構不僅尺寸小，而且性價比高，運算處理性能優(yōu)異，訪存速度快。Accordo5系列為設計人員提供多種配置選擇，單核CortexA7支持外部16位高性能DDR3存儲器，以及雙核Cortex-A7支持外部16或者32位高性能DDR3儲存器。 Accordo5雖然主打中檔汽車市場，但是500MHz3D圖形處理器內(nèi)核使其圖形處理性能遠超同級產(chǎn)品。系統(tǒng)架構支持1080p分辨率的2D和3D圖形，常用格式包括OpenVG、OpenGLES-2.0，具有圖形效果功能，例如，靈活的多達四圖層混合和視頻覆蓋功能。多格式視頻子系統(tǒng)提供圖效后處理功能，例如畫中畫。高性能音頻DSP、六個立體聲模擬聲道和支持多個工業(yè)標準的音頻接口使提Accordo5具有非凡的音頻性能。內(nèi)置顯示控制器支持全高清分辨率的TFT-LCD觸屏。 新產(chǎn)品家族進一步強化了安全性，內(nèi)部集成一個ARMCortex-M微控制器，專門管理數(shù)字儀表盤與汽車主網(wǎng)絡之間的CAN接口的安全。Accordo5芯片集成三個CAN端口，其中一個支持最新的CANFD高速傳輸標準，片上硬件密碼加速器支持SHA-2、PK和AES加密算法，一次性可編程(OTP)存儲器用于保存主密鑰，防止數(shù)據(jù)被惡意篡改。這款微控制器的待機電流極小，整個芯片的功耗都經(jīng)過精心優(yōu)化，從而最大限度降低對汽車的電池消耗。 關于其它的先進技術，更高的熱耗散-執(zhí)行性能比有助于簡化熱管理設計，提高運行可靠性;靈活的信號布線可簡化音頻設計。 意法半導體為設計人員提供功能全面的軟件和中間件IP，使用這個平臺開發(fā)功能豐富的顯示屏和儀表板變得更加簡單。

    半導體 半導體 汽車研究

發(fā)布文章