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  • 面對(duì)三星追趕,緊壓英特爾加速發(fā)展芯片業(yè)務(wù)

     IC Insights預(yù)計(jì)今年二季度Intel的營(yíng)收為144億美元，三星則可能高達(dá)149億美元，這將是三星首次在半導(dǎo)體市場(chǎng)超過(guò)Intel奪得全球老大的位置。面對(duì)巨大的壓力，一直在存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)上搖擺的Intel將需要在擴(kuò)建大連工廠或收購(gòu)美光上盡快做出抉擇，以確保自己在半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 Intel搖擺的存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)戰(zhàn)略 面對(duì)三星的步步緊逼，Intel當(dāng)然看在眼里，早在2012年存儲(chǔ)巨頭之一的爾必達(dá)倒閉，媒體報(bào)道指Intel開始大量招聘爾必達(dá)的工程師。發(fā)展存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)除了對(duì)抗三星外，當(dāng)時(shí)Intel的計(jì)劃是將內(nèi)存整合到處理器中，這樣可以大幅度提升整機(jī)的性能，增強(qiáng)Intel的處理器業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，畢竟隨著制造工藝的提升越來(lái)越困難，處理器的頻率提升受到功耗和目前硅材料的限制也有極限。 Intel是PC和服務(wù)器芯片市場(chǎng)的霸主，占有PC市場(chǎng)處理器約八成的市場(chǎng)份額，在服務(wù)器芯片市場(chǎng)更是占據(jù)超過(guò)九成的市場(chǎng)份額。近幾年P(guān)C市場(chǎng)的發(fā)展出現(xiàn)停滯跡象，ARM陣營(yíng)推出的平板電腦侵占了部分PC市場(chǎng)，主要采用ARM架構(gòu)處理器的chromebook已在教育市場(chǎng)迅猛發(fā)展，這迫使Intel將希望放在依然擁有壟斷性優(yōu)勢(shì)的服務(wù)器芯片市場(chǎng)。 Intel占有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的服務(wù)器芯片市場(chǎng)也面臨著ARM陣營(yíng)的進(jìn)攻，高通、AMD都已開發(fā)出ARM架構(gòu)的服務(wù)器芯片，全球第四大服務(wù)器供應(yīng)商華為也是中國(guó)最強(qiáng)大的手機(jī)芯片企業(yè)已針對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)獲取ARM的授權(quán)開發(fā)自主架構(gòu)服務(wù)器芯片，面對(duì)著競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的進(jìn)攻如何強(qiáng)化自己的服務(wù)器芯片優(yōu)勢(shì)就成為Intel的重中之重，而發(fā)展存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)如上述恰可以增強(qiáng)其服務(wù)器芯片的整體性能。 Intel發(fā)展存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略卻一再搖擺，2015年底Intel宣布在中國(guó)大連投資55億美元生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，但是到去年7月卻又暫停了擴(kuò)建大連工廠的計(jì)劃，消息指它有可能收購(gòu)或控股美光，時(shí)至今日這兩個(gè)計(jì)劃都沒(méi)有明確的消息，如今面對(duì)三星的趕超將迫使它做出抉擇，到底要如何發(fā)展自己的存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)。 發(fā)展存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)有助于Intel加快工藝研發(fā) Intel同時(shí)擁有芯片設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)。早幾年其通過(guò)Tick-Tock戰(zhàn)略成功壓制AMD的發(fā)展，即是第一年升級(jí)半導(dǎo)體制造工藝次年升級(jí)微架構(gòu)，由于AMD缺乏足夠的資金同時(shí)進(jìn)行這兩項(xiàng)研發(fā)工作，迫使后者出售了半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)并衰落至今天的地位。 ARM陣營(yíng)則與Intel不同，當(dāng)前全球領(lǐng)先的兩大半導(dǎo)體制造企業(yè)三星和臺(tái)積電專注于半導(dǎo)體制造，ARM負(fù)責(zé)核心架構(gòu)研發(fā)，高通、蘋果、華為海思、三星等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)芯片，形成一條完整的芯片設(shè)計(jì)制造鏈條，通過(guò)這種共同協(xié)作的方式與Intel的模式競(jìng)爭(zhēng)，從目前來(lái)看ARM陣營(yíng)的這種模式是相當(dāng)有效的。 Intel則由于PC市場(chǎng)的衰落，導(dǎo)致這幾年在半導(dǎo)體工藝研發(fā)方面有逐漸落后于三星和臺(tái)積電的危險(xiǎn)(當(dāng)前Intel的14nmFinFET工藝其實(shí)與三星和臺(tái)積電目前最先進(jìn)的10nm工藝相當(dāng))，預(yù)計(jì)明年后兩者量產(chǎn)7nm工藝后將有可能真正實(shí)現(xiàn)在工藝方面超越Intel，如果在半導(dǎo)體制造工藝方面被超越，ARM陣營(yíng)對(duì)Intel的進(jìn)攻將會(huì)更猛。 當(dāng)前ARM陣營(yíng)的蘋果開發(fā)的A10X處理器性能有望達(dá)到Intel的酷睿i水平，該芯片采用的正是臺(tái)積電的10nm工藝，由此可以推測(cè)蘋果的A11X處理器如果采用臺(tái)積電更先進(jìn)的7nm工藝將有多么可怕的性能。 在這樣的情況下Intel急需加快其半導(dǎo)體制造工藝的研發(fā)，而發(fā)展存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)恰恰有利于Intel加快工藝研發(fā)進(jìn)度。三星作為全球最大的存儲(chǔ)芯片企業(yè)正是通過(guò)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)來(lái)錘煉自家的半導(dǎo)體制造工藝，而其在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)所獲得的豐厚利潤(rùn)也為它研發(fā)半導(dǎo)體制造工藝提供了資金，幫助它成功趕超第一大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺(tái)積電。 因此，筆者認(rèn)為Intel有很大可能會(huì)加快其存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展，以應(yīng)對(duì)三星和ARM陣營(yíng)的挑戰(zhàn)，只不過(guò)目前不知道它會(huì)采取與美光合作還是收購(gòu)后者的方式進(jìn)行。對(duì)于美光來(lái)說(shuō)其實(shí)也非常需要Intel的支持，它在存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)方面與三星、東芝、SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)中已處于劣勢(shì)。

    半導(dǎo)體 三星 芯片業(yè)務(wù) 英特爾

  • AMD壓力山大！NV新顯卡又領(lǐng)先一整代

    近日，GPU技術(shù)大會(huì)正式拉開序幕，期間包括多達(dá)600場(chǎng)的主題演講。 昨天，我們認(rèn)為AMD有望借此機(jī)會(huì)公布Vega的性能，但現(xiàn)在看來(lái)，事情推遲到了16日的專門活動(dòng)中。 不過(guò)在日程中，依然有老朋友出現(xiàn)，NVIDIA CEO黃仁勛。 按計(jì)劃，周三，他將登臺(tái)演說(shuō)，其中一個(gè)重要的議題就是NVIDIA的下一代GPU架構(gòu)，代號(hào)“Volta(伏特)”。 不過(guò)，也許他并不會(huì)談及消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的進(jìn)展，因?yàn)榇舜蔚腣olta主要是服務(wù)IBM Power9高性能服務(wù)器的，后者支持NVlink 2，預(yù)計(jì)明年底發(fā)布。 目前，NV已經(jīng)宣布了多個(gè)集成Volta GPU的產(chǎn)品，包括人工智能超算SoC Xaiver。 現(xiàn)在已知的Volta核心規(guī)格并不多，包括HBM2顯存、12nm工藝等。 可能AMD被Ryzen轉(zhuǎn)移走太多資源，顯卡這塊的步伐明顯沒(méi)有NV快了。

    半導(dǎo)體 AMD 顯卡

  • 臺(tái)積電產(chǎn)A11處理器 預(yù)估7月下旬量產(chǎn)交貨

     蘋果啟動(dòng)新一代手機(jī)零組件備貨，臺(tái)積電以10奈米為蘋果生產(chǎn)A11處理器下月正式放量投片，預(yù)估7月下旬量產(chǎn)交貨，等于宣告蘋果新機(jī)iPhone 8將于7月密集備貨，讓整個(gè)蘋果供應(yīng)鏈動(dòng)起來(lái)。 臺(tái)積電預(yù)定在年底前為蘋果備貨1億顆的A11處理器，顥示蘋果仍看好十周年新機(jī)銷售，仍可締造歷年來(lái)最佳銷售紀(jì)錄。 法人看好，臺(tái)積電下半年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能強(qiáng)勁，買盤持續(xù)敲進(jìn)，本周股價(jià)有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)站上200元，帶領(lǐng)臺(tái)股再攻萬(wàn)點(diǎn)，其股價(jià)、市值將再改寫歷史新高紀(jì)錄。 臺(tái)積電上季法說(shuō)會(huì)時(shí)曾釋出本季因主要客戶處于新舊產(chǎn)品交替或進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整，預(yù)估本季合并營(yíng)收將季減8~9%，營(yíng)收將介于2，130億元至2，160億元;毛利率略降至50.5%~52.5%;營(yíng)業(yè)利益率約小幅下滑至39%~41%，預(yù)估4月合并營(yíng)收將會(huì)明顯下滑，但法人認(rèn)為利空已逐步消散，隨10奈米制程下半年量產(chǎn)，臺(tái)積電營(yíng)收仍可展現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)力道。 臺(tái)積電的10奈米制程是繼16奈米制程后的另一技術(shù)重要里程碑，雖然后來(lái)只導(dǎo)入聯(lián)發(fā)科、海思和蘋果三家公司的手機(jī)芯片，其余客戶決定大舉導(dǎo)入7奈米，但10奈米制程，幾乎是為蘋果新一代處理器A11量身打造的制程，因此何時(shí)放量投片，也成為全球關(guān)注蘋果啟動(dòng)新手機(jī)備貨的重要指針。 臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電原訂6月4日開始放量投片A11處理器，但時(shí)期延后一周至6月10日，雖凸顯10奈米制程遭遇難度比先前的16奈米還大，但在臺(tái)積電全力投入下，仍如期在6月初啟動(dòng)放量投片，7月大量交貨。 臺(tái)積電預(yù)估，將在7月底為蘋果新機(jī)備貨5，000萬(wàn)顆，凸顯臺(tái)積電10奈米制程正放量投片，以制程預(yù)估50天的周期計(jì)算，估計(jì)7月下旬密集交貨，等于宣告蘋果新機(jī)iPhone 8將于7月密集備貨，讓整個(gè)蘋果供應(yīng)鏈動(dòng)起來(lái)。 蘋果啟動(dòng)新一代手機(jī)零組件備貨，臺(tái)積電以十奈米為蘋果代工A 11處理器下月正式放量投片，預(yù)估七月下旬量產(chǎn)交貨，意謂整個(gè)蘋果供應(yīng)鏈將動(dòng)起來(lái)。 臺(tái)積電預(yù)定在年底前為蘋果備貨一億元的A 11處理器，反應(yīng)蘋果仍看好十周年新機(jī)銷售，仍可締造歷年來(lái)最佳銷售紀(jì)錄。 法人看好臺(tái)積電下半年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能強(qiáng)勁，買盤持續(xù)敲進(jìn)，本周股價(jià)有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)站上兩百元，臺(tái)積電股價(jià)、市值將再改寫歷史新高。 臺(tái)積電的十奈米制程，是繼十六奈米制程后的另一技術(shù)重要里程碑，雖然后來(lái)只導(dǎo)入聯(lián)發(fā)科、海思和蘋果三家公司的手機(jī)芯片，其余客戶決定大舉導(dǎo)入七奈米，但十奈米制程，幾乎是為蘋果新一代處理器A 11量身打造的制程，因此何時(shí)放量投片，也成為全球關(guān)注蘋果啟動(dòng)新手機(jī)備貨的重要指針。 臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電原訂六月四日放量投片A 11處理器，但延后一周至六月十日，雖凸顯十奈米制程遭遇難度比十六奈米大，但臺(tái)積電全力投入下，仍如期在六月初啟動(dòng)放量投片，七月大量交貨。 臺(tái)積電預(yù)估將在七月底為蘋果新機(jī)備貨五千萬(wàn)顆，顯示臺(tái)積電十奈米制程正放量投片，以制程預(yù)估五十天的周期計(jì)算，估計(jì)七月下旬密集交貨，等于宣告蘋果新機(jī)iPhone 8將于七月密集備貨，讓整個(gè)蘋果供應(yīng)鏈動(dòng)起來(lái)。 臺(tái)積電除了以十奈米為蘋果打造全新的A 11處理器外，也以新一代的整合型扇形封裝(InFO)提供封測(cè)服務(wù)，臺(tái)積電預(yù)估今年十奈米制程占全年?duì)I收約可達(dá)一成，以全年合并營(yíng)收超越兆元的規(guī)模計(jì)算，估計(jì)可締造千億元的銷售金額;至于高階封測(cè)InFO，到今年第四季營(yíng)收也可達(dá)一億美元。 臺(tái)積電除以10奈米為蘋果打造全新的A11處理器外，也以新一代的整合型扇形封裝(InFO)提供封測(cè)服務(wù)，預(yù)估今年10奈米制程占全年?duì)I收約可達(dá)10%，以全年合并營(yíng)收超越兆元的規(guī)模計(jì)算，估計(jì)可締造千億元的銷售金額;至于高階封測(cè)InFO，到今年第4季，單季營(yíng)收也可達(dá)1億美元，估計(jì)創(chuàng)造30多億元營(yíng)收。 臺(tái)積電在本季也持續(xù)擴(kuò)充28奈米產(chǎn)能，法人預(yù)估，下半年在10奈米/16奈米及28奈米制程同步增產(chǎn)下，臺(tái)積電全年?duì)I收和獲利仍可再創(chuàng)新猷。

    半導(dǎo)體 iPhone 臺(tái)積電 8 a11

  • 驍龍835疑似出問(wèn)題導(dǎo)致手機(jī)出現(xiàn)自動(dòng)重開機(jī)的情況

     高通的Snapdragon 835芯片組疑似又出現(xiàn)問(wèn)題，導(dǎo)致三星電子(Samsung)的Galaxy S8、小米的小米6手機(jī)都出現(xiàn)自動(dòng)重開機(jī)的情況。 由于重開機(jī)不是出現(xiàn)在為手機(jī)充電時(shí)，就是出現(xiàn)在插入MicroSD記憶卡時(shí)，因此業(yè)界推測(cè)，這次事件的根源可能與電源管理的設(shè)計(jì)有關(guān)。 所幸這個(gè)問(wèn)題不大，業(yè)界認(rèn)為應(yīng)可透過(guò)更新軟件來(lái)解決。 近來(lái)許多Galaxy S8及小米6手機(jī)用戶都在網(wǎng)站上留言表示，自己的智能型手機(jī)經(jīng)常會(huì)無(wú)故自動(dòng)重開機(jī)。 其中，用戶最常遇到的問(wèn)題是手機(jī)會(huì)在充電時(shí)自動(dòng)重開機(jī)。 但也有Galaxy S8用戶發(fā)現(xiàn)，只要停用SD記憶卡，重開機(jī)的情況就能改善許多。 綜合網(wǎng)絡(luò)上用戶所描述的情況，芯片設(shè)計(jì)業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，出問(wèn)題的環(huán)節(jié)應(yīng)該與電源管理的設(shè)計(jì)有關(guān)。 由于小米6和出問(wèn)題的Galaxy S8，均采用高通Snapdragon 835處理器，因此與該處理器搭配，同樣由高通提供的電源管理芯片，很可能是造成問(wèn)題的主因。 據(jù)了解，由于處理器芯片制程日益先進(jìn)，電壓衰退(IR Drop)對(duì)處理器運(yùn)作的影響變得更加明顯，只要電源管理芯片供應(yīng)給處理器的電壓稍微衰退，就會(huì)讓處理器的時(shí)序(TIming)大幅飄移而無(wú)法正常運(yùn)作，導(dǎo)致系統(tǒng)重開機(jī)。 事實(shí)上，除了Snapdragon 835，Snapdragon 820處理器也曾經(jīng)出現(xiàn)過(guò)類似問(wèn)題。 后來(lái)業(yè)者透過(guò)修改韌體，提高電源管理芯片的輸出電壓，問(wèn)題便獲得解決。 因此，這次用戶所遭遇到的問(wèn)題，最后應(yīng)該也會(huì)用類似的方法處理。 提高電源管理芯片的輸出電壓，會(huì)帶來(lái)電池續(xù)航力縮短、芯片溫度上升等副作用，但至少能讓手機(jī)維持正常運(yùn)作。

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  • 北航大與微電子所成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片器件

     近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。 STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國(guó)在該項(xiàng)技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲(chǔ)芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對(duì)我國(guó)100%的壟斷。 微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過(guò)3年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm磁隧道結(jié)，器件性能良好，其中器件核心參數(shù)包括隧穿磁阻效應(yīng)達(dá)到92%，可實(shí)現(xiàn)純電流翻轉(zhuǎn)且電流密度達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。 在北京市科委的大力支持下，該工作完全采用了可兼容傳統(tǒng)CMOS集成電路的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的條件，對(duì)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實(shí)際意義的推動(dòng)作用。 圖1． STT－MRAM存儲(chǔ)芯片器件原理圖 圖2． 直徑80nm MTJ器件俯視圖 圖3． 直徑80nm MTJ器件 圖4． TMR效應(yīng)測(cè)試結(jié)果 圖5． STT效應(yīng)測(cè)試結(jié)果

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  • 世強(qiáng)總裁肖慶：成為優(yōu)秀的員工要有三個(gè)特質(zhì)

     “我們自己的未來(lái)包括我的未來(lái)、包括市場(chǎng)的未來(lái)全都靠自己奮斗出來(lái)的。” 在2017年4月世強(qiáng)的一次內(nèi)部表彰大會(huì)中，世強(qiáng)總裁肖慶總結(jié)了優(yōu)秀員工需要的三個(gè)特質(zhì)，以此來(lái)“敲打”員工。以下為講話實(shí)錄。 一、善于改變，是優(yōu)秀員工的第一個(gè)核心特質(zhì) 世界一直在變，過(guò)去五年的變化比以往十年、二十年的變化還要多，我們?nèi)绻蛔兙丸F定會(huì)成為衰落的組織。 世強(qiáng)有一批非常優(yōu)秀的員工，在過(guò)去的一年，驅(qū)動(dòng)著公司各個(gè)方面的改變，包括業(yè)務(wù)模式、管理流程、服務(wù)模式、甚至我們整個(gè)系統(tǒng)都在改變。對(duì)于世強(qiáng)而言，最大的改變就是擁抱互聯(lián)網(wǎng)。 互聯(lián)網(wǎng)給這個(gè)世界帶來(lái)了非常巨大的改變，每個(gè)人都可以感受到，但是我們作為傳統(tǒng)企業(yè)，不是每個(gè)人都跟進(jìn)了這些改變，好在我們當(dāng)中還是有一部分同事，一部分楷模，已經(jīng)在開始擁抱互聯(lián)網(wǎng)，這才有了我們現(xiàn)在的世強(qiáng)元件電商電商，并讓其保持一個(gè)高速發(fā)展的狀態(tài)。 二，持續(xù)改進(jìn)，是優(yōu)秀員工的第二個(gè)必備特質(zhì)。 優(yōu)秀員工還有一種特質(zhì)就是持續(xù)改進(jìn)，讓自己成為改變的一部分。 有一個(gè)常見(jiàn)的場(chǎng)景，在公司里我們偶爾會(huì)看到一些抱怨，抱怨其他部門有一些流程沒(méi)有及時(shí)處理，抱怨其他人下單下晚了等等，來(lái)給自己的拖延或者工作沒(méi)有按時(shí)完成找理由……但是優(yōu)秀的員工，他們面對(duì)這些不會(huì)抱怨，而是自己驅(qū)動(dòng)改變。 公司不是一個(gè)虛無(wú)的概念，是真正由大家所組成的，所有的流程、規(guī)定、系統(tǒng)、基礎(chǔ)設(shè)施，所有我們所抱怨的或者我們所喜歡的都是我們自己做出來(lái)的。只有我們自己驅(qū)動(dòng)改變，把自己變成改變的一部分，才能解決問(wèn)題，促進(jìn)公司和自我的快速發(fā)展。 三、積極奮斗，是優(yōu)秀員工的第三個(gè)特質(zhì) 在世強(qiáng)，我們很多日常工作的KPI考核設(shè)置核心目的都是基于為客戶創(chuàng)造價(jià)值，如果一個(gè)公司不能給客戶創(chuàng)造價(jià)值，那這個(gè)公司沒(méi)有存在的意義，希望世強(qiáng)的員工可以通過(guò)服務(wù)創(chuàng)新，不斷的為客戶創(chuàng)造價(jià)值。 世強(qiáng)現(xiàn)在的文化就是積極和奮斗，我們必須比我們想得到的還要積極非常非常多。我始終認(rèn)為，我們自己的美好未來(lái)一定是靠自己奮斗出來(lái)的，而不是靠在旁邊羨慕別人出來(lái)的，也不是靠所謂天天跳槽跳出來(lái)的，我們自己的未來(lái)包括我的未來(lái)、包括市場(chǎng)的未來(lái)全都靠我們自己奮斗出來(lái)的。我希望大家仔細(xì)思考這個(gè)。 中國(guó)的傳統(tǒng)文化里有個(gè)理念就是“槍打出頭鳥”，這讓員工變得比較消極，被動(dòng)，即便我們心里想著應(yīng)該要積極，但我們做的時(shí)候往往會(huì)受影響。這是需要大家調(diào)整的。 13年世強(qiáng)談?wù){(diào)整，現(xiàn)在三年過(guò)去了，我們?cè)谡劯淖儭Ｊ缽?qiáng)從建立到現(xiàn)在已經(jīng)20多年，我們經(jīng)歷過(guò)很多煎熬，也通過(guò)大家卓越而持續(xù)的努力，讓世強(qiáng)進(jìn)入到一個(gè)非常好的階段。我們已經(jīng)可以預(yù)見(jiàn)到，未來(lái)的五到十年，無(wú)論是傳統(tǒng)分銷和世強(qiáng)元件電商這一線上業(yè)務(wù)都會(huì)有一個(gè)非常大的飛速發(fā)展，這是毫無(wú)疑問(wèn)的，而這個(gè)飛速發(fā)展我希望大家都成為其中的一部分。也希望通過(guò)大家的共同努力，讓世強(qiáng)成為每個(gè)人心目中理想的“世強(qiáng)”。

    半導(dǎo)體 互聯(lián)網(wǎng) 世強(qiáng)

  • Vishay公布2017年新“Super 12”明星產(chǎn)品

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公布2017年的“Super 12”明星產(chǎn)品。每一年，Vishay都會(huì)精選出12個(gè)采用新技術(shù)或改進(jìn)技術(shù)，能夠顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能的重要半導(dǎo)體和無(wú)源元器件。Vishay的“Super 12”精選產(chǎn)品彰顯了公司在半導(dǎo)體和無(wú)源元件領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力，是Vishay廣泛產(chǎn)品組合的集中體現(xiàn)。 2017年Super 12產(chǎn)品如下： Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N溝道 TrenchFET® 功率MOSFET - 這顆汽車級(jí)MOSFET采用厚度1.9mm的小尺寸PowerPAK® 8x8L封裝，導(dǎo)通電阻低至3mΩ，可減小傳導(dǎo)損耗和功率損耗，提高效率，而且可以在+175℃高溫下工作。 Vishay T59系列vPolyTanTM多陽(yáng)極聚合物表面貼裝片式電容器 - T59系列采用聚合物鉭技術(shù)和Vishay的專利多陣列包裝(MAP)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的容值密度，同時(shí)保持25mΩ的最佳ESR。電容器采用模塑EE(7343-43)外形編碼，單位體積效率比類似器件高25%。 Vishay Semiconductors VCNL4035X01接近和環(huán)境光傳感器 - 全集成的VCNL4035X01在小尺寸表面貼裝封裝里組合了接近和環(huán)境光的光探測(cè)器、信號(hào)調(diào)理IC、16位ADC，以及最多支持3個(gè)外置IRED的驅(qū)動(dòng)，可用于便攜式電子產(chǎn)品和智能家居中的手勢(shì)識(shí)別、工業(yè)和汽車應(yīng)用。 Vishay Dale WSLF2512 SMD Power Metal Strip®檢流電阻 - WSLF2512的額定功率達(dá)6W，電阻芯的TCR低至±20ppm/℃，電阻值只有0.0003Ω，外形尺寸為2512，功率密度達(dá)到192W/平方英寸(0.3W/mm2)，在高功率電路中能節(jié)省電路板空間。 Vishay Semiconductors VTVSxxASMF系列SMD TVS保護(hù)二極管 - VTVSxxASMF系列器件是業(yè)內(nèi)首批實(shí)現(xiàn)2%雪崩擊穿電壓容差TVS，采用超薄SMF封裝，可承受400W、10/1000μs的高浪涌，適用于便攜式電子產(chǎn)品。 Vishay Dale IHLE-5A系列超薄、大電流電感器 - 汽車級(jí)IHLE-5A系列器件的外形尺寸為2525、3232和4040，采用能減小EMI的集成屏蔽，不需要使用分立的板級(jí)Faraday屏蔽，從而降低成本，節(jié)省電路板空間。 Vishay Siliconix SiC462同步microBUCK®穩(wěn)壓器 - SiC462集成了高邊和低邊MOSFET，在最高1MHz開關(guān)頻率下能連續(xù)輸出6A電流，可調(diào)的輸出電壓低至0.8V，輸入電壓為4.5V～60V。 Vishay MKP1847H交流濾波膜電容器 - MKP1847H經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，能保證在各種工作條件下都保持極為穩(wěn)定的電容和ESR參數(shù)。該電容器非常適合高濕環(huán)境，是業(yè)內(nèi)首顆在額定電壓下完成1000小時(shí)的苛刻的耐濕性測(cè)試(85℃，85%相對(duì)濕度)的器件。 Vishay Semiconductors 10A～30A FRED Pt® Ultrafast整流器 - Vishay的這款超快整流器采用SMPD封裝，高度只有1.7mm，與TO-263封裝兼容。這顆器件通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，可用于汽車和工業(yè)應(yīng)用，能在+175℃高溫下工作，恢復(fù)時(shí)間只有25ns。 Vishay Dale IHXL-2000VZ-5A電感器 - IHXL-2000VZ-5A是業(yè)內(nèi)首顆通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，在電感減小20%情況下飽和電流達(dá)到190A的電感器。器件的尺寸為50.8mm x 50.8mm x 21.5mm，其2000外形尺寸是這類復(fù)合材料電感器中最大的。 Vishay Siliconix SiRA20DP 25V N溝道TrenchFET功率MOSFET - SiRA20DP在10V下的導(dǎo)通電阻低至0.58mΩ，可減少傳導(dǎo)功率損耗，提高功率密度，其典型柵極電荷為61nC，可實(shí)現(xiàn)高效的DC/DC轉(zhuǎn)換。 Vishay DCRF水冷功率繞線電阻 - DCRF電阻的功率耗散高達(dá)9000W，功率處理能力比相同尺寸采用自然冷卻的電阻高10倍。電阻采用小尺寸的模塊化設(shè)計(jì)，高過(guò)載承受能力(2倍標(biāo)稱功率下保持60秒)。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 Vishay 無(wú)源元器件

  • 臺(tái)積電又來(lái)大訂單！高通845芯片來(lái)襲！

     雖然驍龍835剛剛推出，全球也僅僅發(fā)布了四款手機(jī)產(chǎn)品(索尼XZp、三星S8、小米6、夏普Aquos R)，雖然高通的驍龍 835 仍然是一款很難得的 SoC，但目前的報(bào)告已經(jīng)在尋求確認(rèn)下一代 SoC 的開發(fā)了。不過(guò)好消息是，根據(jù)國(guó)外媒體消息稱，驍龍845已經(jīng)得到官方的確認(rèn)。 據(jù)報(bào)道，在高通的開發(fā)者中心，droidholic扒出了三款全新的處理器(現(xiàn)在叫移動(dòng)平臺(tái))，即SDM630、、SDM660和SDM845。 不過(guò)現(xiàn)身高通官網(wǎng)不久，就被撤下來(lái)(好在外國(guó)媒體有截圖，不然就。。。) 另外，據(jù)爆料人士@i冰宇宙的消息，驍龍845處理器的研發(fā)代號(hào)為Napali，擁有多核心，并將會(huì)在年底亮相。除此之外，他便沒(méi)有透露更多的細(xì)節(jié)信息了。 此前有報(bào)道稱驍龍845將采用剛剛發(fā)布的三星第二代10nm工藝，與此同時(shí)，也有消息稱該芯片將采用7nm工藝制造，功耗方面將有更加出色的表現(xiàn)。 高通845或由臺(tái)積電代工，7nm工藝無(wú)敵! 按照現(xiàn)在臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)鏈給出的消息顯示，高通將在下一代旗艦移動(dòng)處理器上重選臺(tái)積電，也就是說(shuō)驍龍845將會(huì)交給臺(tái)積電代工，采用7nm制程。而蘋果的A12也會(huì)使用這個(gè)工藝。不過(guò)今年所有處理器還都集中在10nm上，已經(jīng)到來(lái)的驍龍835、還有A11、麒麟970以及聯(lián)發(fā)科的Helio X30等。 據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的7nm工藝從今年4月份就已經(jīng)開始試產(chǎn)，而在明年首款7nm芯片就可以投入到生產(chǎn)之中了，對(duì)于已經(jīng)開始試產(chǎn)的7nm工藝，臺(tái)積電表示，與自家的10nm工藝相比，技術(shù)指標(biāo)上，7nm工藝性能提升25%，功耗降低35%。臺(tái)積電7nm工藝進(jìn)展之所以這么快，主要是它與10nm有95%的設(shè)備通用，所以進(jìn)展神速。 按照臺(tái)積電給出的規(guī)劃，2018年將開始大規(guī)模鋪開7nm工藝，不過(guò)第一代不會(huì)用上EUV工藝，而2019年的第二代增強(qiáng)型7nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)用上EUV工藝，而蘋果是后者的潛在大客戶。 臺(tái)積電或是7nm工藝最大贏家! 從目前的消息看來(lái)，目前將使用 7nm 工藝的應(yīng)該只有驍龍 845 以及蘋果 A12 處理器。而高通也將計(jì)劃把處理器的代工交給臺(tái)積電完成。蘋果也應(yīng)該會(huì)把 A12 代工訂單交給臺(tái)積電。臺(tái)積電看來(lái)又能拿到一個(gè)不錯(cuò)的大訂單! 臺(tái)積電還表示，5nm 工藝預(yù)計(jì)將于 2019 年上半年試產(chǎn)。 這款驍龍845處理器到底如何?是否真的很強(qiáng)?就讓我們大家一起拭目以待吧。

    半導(dǎo)體 臺(tái)積電 高通845

  • C&K 推出新的 PNP 系列密封按動(dòng)開關(guān)

     C&K ─ 世界上最值得信賴的高品質(zhì)機(jī)電開關(guān)品牌之一 ─ 今日宣布推出 PNP 系列密封按動(dòng)開關(guān)。PNP 系列開關(guān), 給交通運(yùn)輸、工業(yè)控制、測(cè)試設(shè)備和自動(dòng)化領(lǐng)域的設(shè)計(jì)師提供了一個(gè)新的高品質(zhì)、極其耐用的開關(guān)選項(xiàng), 他們可以把 PNP 系列開關(guān)用于控制手柄、操縱桿、越野面板、液壓裝置、電源控制板、重型設(shè)備、工業(yè)儀表、升降設(shè)備、傳送帶控制裝置和其他應(yīng)用。 C&K 的 PNP 系列密封按動(dòng)開關(guān)采用 IP68 密封, 可承受惡劣的環(huán)境條件和強(qiáng)力水沖刷。PNP擁有多種封裝形式, 使用壽命可達(dá) 100萬(wàn)次。PNP 系列既擁有 C&K 的 NP 系列開關(guān)同樣強(qiáng)大的開關(guān)性能和 5A 額定電流, 又擁有 C&K 的 AP 系列開關(guān)的經(jīng)濟(jì)性, 同時(shí)又擁有其全新的熱塑性封裝設(shè)計(jì)。 此外, PNP 系列的關(guān)鍵特性還包括： · 焊接引線更長(zhǎng), 易于安裝電線 · 焊接孔更大, 可容納多達(dá)兩根 22 號(hào)電線 · 高達(dá) 5A 的電阻性負(fù)載 · 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) · 電氣功能：?jiǎn)蔚秵螖S、單刀雙擲 · 擴(kuò)展應(yīng)用功能(配合電線、連接器、模塊) 現(xiàn)在 C&K 的新 PNP 系列密封按動(dòng)開關(guān)已經(jīng)上市。

    半導(dǎo)體 密封 pnp c&k 按動(dòng)開關(guān)

  • 可植入人體的半導(dǎo)體面世：可降解半導(dǎo)體基板

     長(zhǎng)久以來(lái)人們都在幻想將芯片植入體內(nèi)來(lái)實(shí)現(xiàn)一些特殊用途，比如生命數(shù)據(jù)檢測(cè)、通信等等?，F(xiàn)在，借助科學(xué)家發(fā)明的新材料，我們距離實(shí)現(xiàn)這種愿望又近了一步。斯坦福大學(xué)Zhenan Bao率領(lǐng)的科研小組于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月1日正式宣布，成功開發(fā)出可用于人體皮膚的可降解半導(dǎo)體基板。 這種基板能夠彎曲拉伸，不需要時(shí)便會(huì)分解為無(wú)毒無(wú)害的成分，十分適合于人體植入。 據(jù)介紹，這種可降解基板使用了特殊的化學(xué)鍵聚合物，能夠在一周時(shí)間內(nèi)溶于弱酸環(huán)境當(dāng)中，比如醋。 另外，基板主要由鐵和纖維素組成，對(duì)人體無(wú)害，且容易被降解。 借助于該技術(shù)，科學(xué)家可以進(jìn)一步制作出用于測(cè)量血壓、血糖值、汗液分析的一次性貼片，或者是待技術(shù)成熟后推出可植入性裝置。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 基板

  • 臺(tái)積電7nm技術(shù)試產(chǎn)成功：蘋果高通都有興趣

     今年手機(jī)搭載處理器的尖端科技，可能要停留在10nm技術(shù)領(lǐng)域了。隨著三星S8/小米6接二連三陸續(xù)上市，還有HTC U等旗艦手機(jī)即將發(fā)布，驍龍835旗艦手機(jī)是越來(lái)越多，不過(guò)高通肯定不打無(wú)準(zhǔn)備之戰(zhàn)，被廠商重點(diǎn)提到的全球最強(qiáng)安卓芯片之驍龍835，早已被還未發(fā)布的驍龍840/845 在技術(shù)方面“斬于馬下”。 臺(tái)積電作為晶圓代工廠龍頭老大，也是蘋果鐘愛(ài)的芯片代工廠，這家廠商提前公布了最新信息，他們正在積極沖刺更先進(jìn)的制程技術(shù)，其中 7nm制程已于今年4月開始試產(chǎn)，而5nm制程預(yù)計(jì) 2019 年上半年試產(chǎn)，2020年大規(guī)模量產(chǎn)。 作為和臺(tái)積電死對(duì)頭，三星電子的7nm則鎖定在今年上半年量產(chǎn)，旗艦手機(jī)對(duì)高端芯片依賴性很強(qiáng)，所以雙方都在力爭(zhēng)提供更為先進(jìn)的芯片服務(wù)支持。 臺(tái)積電7nm芯片將應(yīng)用在蘋果A12處理器上，高通840/845也會(huì)采用，高通甚至可能會(huì)與三星終止合作關(guān)系，轉(zhuǎn)由臺(tái)積電代工，三星在10nm芯片量產(chǎn)上，曝光良品率問(wèn)題，高通 因此受到影響。 總之不管怎么說(shuō)，無(wú)論在什么戰(zhàn)場(chǎng)上，都勝在兵貴神速，臺(tái)積電現(xiàn)在積極推進(jìn)業(yè)務(wù)上的進(jìn)度，也是為了趕超自家對(duì)頭三星，因?yàn)槿沁€有其他業(yè)務(wù)可以發(fā)展，芯片研發(fā)生產(chǎn)對(duì)臺(tái)積電而言，是大頭收入。

    半導(dǎo)體 蘋果 臺(tái)積電 7nm

  • 韓國(guó)3D NAND閃存Q3有望占全球一半市場(chǎng)

      SK海力士將于三季度最先推出72層的3D NAND 市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機(jī)等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3D NAND。 調(diào)查機(jī)構(gòu)同時(shí)預(yù)測(cè)，今年一整年NAND供應(yīng)都會(huì)較為緊張。這是因?yàn)闉闇?zhǔn)備下半年新品iPhone8的面市，蘋果公司正在累積所需零配件，且新一代儲(chǔ)存設(shè)備SSD相關(guān)企業(yè)的NAND需求增加。 三星電子去年四季度在全球NAND閃存市場(chǎng)占有率為37.1%，排名第一，SK海力士以9.6%排名第五，東芝(18.3%)、西部數(shù)據(jù)(17.7%)和美光(10.6%)分別位列第二至第四。如果SK海力士成功收購(gòu)東芝儲(chǔ)存器，有望在NAND領(lǐng)域躍居第二。

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  • 我國(guó)集成電路市場(chǎng)自給率低 嚴(yán)重依賴進(jìn)口

     近年來(lái)，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然有其政府資金與政策的加持下，有著相當(dāng)?shù)倪M(jìn)展。不過(guò)，根據(jù)中國(guó)商業(yè)研究院的最新研究數(shù)據(jù)顯示，2017 年2 月份的中國(guó)進(jìn)口集成電路數(shù)量達(dá)到248.23 億個(gè)，較2016 年同期成長(zhǎng)23.5%。進(jìn)口金額也達(dá)到169.7 億美元，較2016 年增長(zhǎng)30.9%。如此顯示，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)雖然積極發(fā)展自主供應(yīng)鏈， 就當(dāng)前仍舊擺脫不了對(duì)國(guó)外廠商的依賴，要達(dá)到完全自主的目標(biāo)，還有一段長(zhǎng)路要走。 根據(jù)統(tǒng)計(jì)資料顯示，2017 年2 月份中國(guó)進(jìn)口集成電路248 .23 億個(gè)，較2016 年同期增長(zhǎng)23.5%。合計(jì)2017 年1 到2 月的中國(guó)進(jìn)口集成電路為491.29 億個(gè)，與2016 年同期相比成長(zhǎng)11.6%。至于，在金額方面，2 月份中國(guó)集成電路進(jìn)口金額為169.7 億美元，較2016 年同期成長(zhǎng)30.9%。合計(jì)2017 年1 到2 月，中國(guó)的集成電路進(jìn)口金額則是達(dá)326.6 億美元，也較2016 年成長(zhǎng)14.4%。 如此顯示，做為全球大的集成電路消費(fèi)國(guó)家，中國(guó)的集成電路市場(chǎng)自給率仍偏低，還依舊嚴(yán)重依賴進(jìn)口。 據(jù)了解，2015 年中國(guó)集成電路消費(fèi)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)人民幣1.102 兆元，但當(dāng)年中國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)銷售金額僅為人民幣3，609.8 億元，自給率僅為三成，也就是約七成的集成電路產(chǎn)品仍依賴進(jìn)口，使得集成電路進(jìn)口總金額已經(jīng)超過(guò)同期原油進(jìn)口金額，成為中國(guó)第一大進(jìn)口商品。其中又以英特爾、三星、高通等為代表的國(guó)際企業(yè)，在技術(shù)、產(chǎn)品、上下游和市場(chǎng)等方面都擁有雄厚的綜合實(shí)力下，占據(jù)了中國(guó)集成電路市場(chǎng)主要市占率。 有鑒于中國(guó)針對(duì)集成電路的消費(fèi)市場(chǎng)驚人，使得近年來(lái)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在政府資金與政策的支援下，相較過(guò)往有長(zhǎng)足發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈也呈現(xiàn)細(xì)分且快速發(fā)展的態(tài)勢(shì)。尤其，在2014 年6 月，中國(guó)國(guó)務(wù)院發(fā)布了旨在促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，明確將集成電路產(chǎn)業(yè)上發(fā)展提升至國(guó)家戰(zhàn)略，9 月份又成立中國(guó)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司，對(duì)行業(yè)進(jìn)行財(cái)政支持，以緩解集成電路企業(yè)融資瓶頸之后，從最新的數(shù)據(jù)來(lái)觀察，中國(guó)的機(jī)體店數(shù)市場(chǎng)仍嚴(yán)重依賴外商的供應(yīng)。使得中國(guó)近年來(lái)的努力，受限于技術(shù)與人才的情況下，集成電路產(chǎn)業(yè)的自主能力還有加強(qiáng)的空間。 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights 日前的調(diào)查數(shù)據(jù)指出，2016 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約3，600 億美元。最新的前20 家企業(yè)排名中，美國(guó)有8 家半導(dǎo)體廠入榜，日本、歐洲與臺(tái)灣各有3家，南韓與新加坡則分別各有兩家及一家企業(yè)擠進(jìn)榜單;中國(guó)大陸則仍沒(méi)有一家企業(yè)上榜。顯示，中國(guó)在集成電路產(chǎn)業(yè)列為國(guó)家重要計(jì)劃后，預(yù)計(jì)2020 年核心基礎(chǔ)零組件與關(guān)鍵基礎(chǔ)材料自給率能達(dá)到達(dá)40%，2025 年進(jìn)一步提升至70% 的目標(biāo)來(lái)看，以2015 年中國(guó)國(guó)內(nèi)集成電路內(nèi)需市場(chǎng)自給率尚不及20% 的情況來(lái)看，要達(dá)到目標(biāo)似乎有很大的難度。 根據(jù)中國(guó)在十三五計(jì)劃中的規(guī)劃，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)除晶圓代工與封裝測(cè)試的產(chǎn)能必須大幅擴(kuò)充外，IC 設(shè)計(jì)企業(yè)需要在關(guān)鍵核心產(chǎn)品上投入更多研發(fā)。對(duì)此，IC Insights 就曾經(jīng)進(jìn)一步表示，要達(dá)成中國(guó)政府的十三五規(guī)劃中，2025 年的集成電路自制率達(dá)70% 的目標(biāo)，需要依靠?jī)蓚€(gè)基本要素：也就是資金和技術(shù)，缺一不可。只是，目前在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不缺錢，只缺技術(shù)的情況下，藉由購(gòu)并方式來(lái)取得技術(shù)也遭到各國(guó)的防堵。因此，人才的挖角就成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提升技術(shù)層次的主要方式。只是，這樣的做法能獲得多少效益，就還有待進(jìn)一步的觀察。 SIA：半導(dǎo)體年增幅創(chuàng)高，各區(qū)成長(zhǎng)均達(dá)兩位數(shù) 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)1 日公布，2017 年3 月全球半導(dǎo)體銷售額來(lái)到309 億美元，和前月相比，上揚(yáng)1.6%。和去年同期相比，飆漲18.1%。今年第一季半導(dǎo)體銷售額為926 億美元，年增18.1%，但季減0.4%。 SIA 總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)John Neuffer 聲明稿指出，3 月全球半導(dǎo)體銷售穩(wěn)健成長(zhǎng)，和去年同期相較，幅度激增;和上個(gè)月相較，則略為提高。半導(dǎo)體銷售年增18%，為2010 年10 月以來(lái)最高紀(jì)錄，各主要市場(chǎng)的年增幅均達(dá)兩位數(shù)。所有主要產(chǎn)品也都出現(xiàn)年增，記憶體持續(xù)引領(lǐng)成長(zhǎng)。 和去年同期相比，中國(guó)勁揚(yáng)26.7%;美洲提高21.9%、亞太/其他地區(qū)攀升11.9%、歐洲上揚(yáng)11.1%、日本走升10.7%。 和前月相比，歐洲提升5.0%、日本揚(yáng)升3.6%、亞太/其他地區(qū)走高2.9%、中國(guó)攀揚(yáng)0.2%;不過(guò)美洲衰退0.5%。 1日費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲0.98%(9.9 點(diǎn))，收1，015.43 點(diǎn)。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 集成電路

  • “公斤”新標(biāo)準(zhǔn)恐拉低半導(dǎo)體制程良率

     IC半導(dǎo)體業(yè)大震撼!國(guó)際通用百年的“公斤”定義明年將改變，但隸屬中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部的度量衡標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室卻傳出目前仍籌不到經(jīng)費(fèi)無(wú)法跟進(jìn)，公斤量測(cè)校正標(biāo)準(zhǔn)將降為二級(jí)。如此將沖擊講求精準(zhǔn)度的“納米”晶圓制程校正，臺(tái)灣引以為傲的IC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)良率恐將大幅拉低。 臺(tái)灣量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)降為二級(jí) 臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部標(biāo)檢局昨日舉辦“國(guó)際計(jì)量趨勢(shì)研討會(huì)”，邀請(qǐng)國(guó)際度量衡委員會(huì)主席Dr. Barry Inglis等美日德專家，探討計(jì)量在產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中的運(yùn)用與貢獻(xiàn)。國(guó)際度量衡委員會(huì)并與我國(guó)分享明年初將上路的四項(xiàng)國(guó)際單位制定義新改變，包括“公斤”(質(zhì)量)、“克耳文”(溫度)、安培(電流)、莫耳(物理量)。 標(biāo)檢局官員指出，這四項(xiàng)中最重要的是“公斤”定義改變。過(guò)去準(zhǔn)確衡量1公斤，靠的是質(zhì)量1公斤的“鉑銥公斤原器”，臺(tái)灣1995年引進(jìn)放在新竹工研院的國(guó)家度量衡研究室。但這個(gè)公斤原器過(guò)去100年卻飄移50微克，相當(dāng)一顆直徑0.4毫米的小沙粒，準(zhǔn)確度產(chǎn)生偏差，因此國(guó)際度量衡大會(huì)明年將公布，改以物理性的“普朗克常數(shù)”去定義。 生產(chǎn)設(shè)備校正受影響 國(guó)際單位制度改變，臺(tái)灣當(dāng)然也得跟進(jìn)，不過(guò)因?yàn)樘嵘龑?shí)驗(yàn)室相關(guān)檢測(cè)設(shè)備要花6億臺(tái)幣，經(jīng)濟(jì)部標(biāo)檢局面臨“無(wú)錢可編”的窘境，將無(wú)法在明年跟上國(guó)際腳步。不過(guò)如此卻暗藏產(chǎn)業(yè)的大沖擊，尤其制程是以“納米”(10億分之一公尺)計(jì)算的IC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。 在半導(dǎo)體制程中，晶圓表面的清洗、蝕刻與研磨皆要仰賴特定化學(xué)溶液，標(biāo)檢局官員指出，這些化學(xué)溶液量測(cè)如果有一點(diǎn)點(diǎn)誤差，都會(huì)影響良率。未來(lái)一旦臺(tái)灣跟不上國(guó)際最新腳步，國(guó)家度量衡實(shí)驗(yàn)室的“鉑銥公斤原器”將被降為二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)機(jī)器設(shè)備校正會(huì)受影響。因國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)拉高，相對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體良率會(huì)被拉低。 以先進(jìn)的臺(tái)積電與聯(lián)電晶圓制程來(lái)說(shuō)，良率均高達(dá)9成5，新標(biāo)準(zhǔn)改變將被拉低多少良率?臺(tái)灣標(biāo)檢局官員分析，這將視不同產(chǎn)線與產(chǎn)品而定，但公斤新標(biāo)準(zhǔn)會(huì)比舊的精準(zhǔn)2到4倍，將有一定程度影響。該局也只能極力爭(zhēng)取預(yù)算，目前仍無(wú)著落。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)

  • 留給聯(lián)發(fā)科的時(shí)間不多了！高通驍龍660在春夏之交發(fā)布

     隨著搭載驍龍835的三星S8和小米6發(fā)布，這意味著接下來(lái)的國(guó)內(nèi)移動(dòng)芯片市場(chǎng)又將是高通主宰，除了海思麒麟960不外賣和三星8895不支持全網(wǎng)通，能和高通全面抗衡的就只有聯(lián)發(fā)科了，但是MTK在高端領(lǐng)域就是一個(gè)悲劇! ↑ 對(duì)標(biāo)驍龍835的是聯(lián)發(fā)科X30，但是這款移動(dòng)芯片依然沒(méi)有確切的消息，按照魅族的2017產(chǎn)品計(jì)劃來(lái)看，搭載X30芯片的恐怕要等到7月份!不過(guò)給聯(lián)發(fā)科的時(shí)間不多了，接下來(lái)除了眾多的驍龍835手機(jī)上市，連功耗與性能兼得的驍龍660都要來(lái)了! ↑ 據(jù)網(wǎng)友曝光的高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)媒體溝通會(huì)邀請(qǐng)函，高通將在春夏之交5月9日在北京王府半島酒店正式帶來(lái)驍龍660。隨后，OPPO R11和vivo X9s等眾多機(jī)型都會(huì)用上這款處理器，加上Ov在線下不錯(cuò)的出貨量，聯(lián)發(fā)科的處境更是雪上加霜!

    半導(dǎo)體 聯(lián)發(fā)科 驍龍660

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