內(nèi)存

我要報(bào)錯(cuò)

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計(jì)

點(diǎn)陣式液晶接口簡(jiǎn)單，能以點(diǎn)陣或圖形方式顯示出各種信息，因此在各種電子設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。但是，它的接口必須遵循一定的硬件和時(shí)序規(guī)范，根據(jù)不同的液晶驅(qū)動(dòng)器，可能需要發(fā)出不同的命令進(jìn)行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而

顯示光電
2012-01-05

內(nèi)存模塊設(shè)計(jì) 液晶顯示模塊雙口RAM
超越NAND閃存的新一代內(nèi)存技術(shù)

雖然NAND閃存可能在2020年末引領(lǐng)企業(yè)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)的蓬勃發(fā)展，不過(guò)這種技術(shù)潛在的對(duì)手已經(jīng)出現(xiàn)，并開(kāi)始獲得業(yè)內(nèi)關(guān)注。這些技術(shù)包括相變內(nèi)存(PCM)、磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)和電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(RRAM)。在過(guò)去的數(shù)年中，

智能硬件
2012-01-04

NAND閃存 PCM 內(nèi)存
Q3 DRAM庫(kù)存指數(shù)為12.75周同比激增30.8%

據(jù)IHS iSuppli公司最新發(fā)布的研究分析報(bào)告，目前DRAM發(fā)展遭遇瓶頸，需求不旺盛，需求增長(zhǎng)緩慢，DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨極大困難，而如今DRAM的庫(kù)存又出現(xiàn)很大的增長(zhǎng)，庫(kù)存勁增可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)繼續(xù)下滑。第三季度IHS iSupp

消費(fèi)電子
2011-12-23

DRAM ARM ISUPPLI 內(nèi)存
美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是&ldq

智能硬件
2011-12-21

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
相變化內(nèi)存開(kāi)創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長(zhǎng)，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無(wú)

智能硬件
2011-12-21

系統(tǒng)設(shè)計(jì) 編碼 BSP 內(nèi)存
基于動(dòng)態(tài)輸入追蹤的模糊技術(shù)研究

　1 概述　　隨著信息技術(shù)的廣泛應(yīng)用，軟件安全漏洞所造成的危害正日益嚴(yán)重。軟件安全漏洞發(fā)掘作為一種預(yù)先發(fā)現(xiàn)軟件潛在安全漏洞、保證信息安全的重要技術(shù)，也越來(lái)越受到人們的重視。目前國(guó)內(nèi)外常用的漏洞自動(dòng)發(fā)掘技

模擬
2011-12-20

進(jìn)程安全漏洞庫(kù)函數(shù) 內(nèi)存
美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是

智能硬件
2011-12-20

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

消費(fèi)電子
2011-12-19

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi

半導(dǎo)體
2011-12-19

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
三維可視化中的地形建模與實(shí)現(xiàn)技術(shù)研究

　1 引言　　20世紀(jì)60年代以后，地形可視化的概念隨著地理信息系統(tǒng)的出現(xiàn)而逐漸形成。隨后以地形地貌為研究重點(diǎn)的地形三維可視化技術(shù)在地理信息系統(tǒng)(GIs)、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境仿真、娛樂(lè)游戲、地形的穿越飛行({1y

工業(yè)控制
2011-12-18

建模編程 PEN 內(nèi)存
日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

日月鴻董事會(huì)日前決議，向柜買(mǎi)中心申請(qǐng)終止興柜股票柜臺(tái)買(mǎi)賣。掌握99%日月鴻股權(quán)的封測(cè)大廠日月光(2311)表示，正在考慮是否將日月鴻并入。日月鴻董事會(huì)決議，基于目前業(yè)務(wù)、財(cái)務(wù)規(guī)畫(huà)及整體經(jīng)營(yíng)策略考慮，向財(cái)團(tuán)法人中

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-14

DRAM PID IC封裝內(nèi)存
日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

日月鴻董事會(huì)日前決議，向柜買(mǎi)中心申請(qǐng)終止興柜股票柜臺(tái)買(mǎi)賣。掌握99%日月鴻股權(quán)的封測(cè)大廠日月光(2311)表示，正在考慮是否將日月鴻并入。日月鴻董事會(huì)決議，基于目前業(yè)務(wù)、財(cái)務(wù)規(guī)畫(huà)及整體經(jīng)營(yíng)策略考慮，向財(cái)團(tuán)法人中

消費(fèi)電子
2011-12-13

DRAM PID IC封裝內(nèi)存
日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

日月鴻董事會(huì)日前決議，向柜買(mǎi)中心申請(qǐng)終止興柜股票柜臺(tái)買(mǎi)賣。掌握99%日月鴻股權(quán)的封測(cè)大廠日月光(2311)表示，正在考慮是否將日月鴻并入。日月鴻董事會(huì)決議，基于目前業(yè)務(wù)、財(cái)務(wù)規(guī)畫(huà)及整體經(jīng)營(yíng)策略考慮，向財(cái)團(tuán)法人中

模擬
2011-12-13

DRAM PID IC封裝內(nèi)存
力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現(xiàn)不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)

消費(fèi)電子
2011-12-09

DRAM 驅(qū)動(dòng)芯片制程技術(shù) 內(nèi)存
更多小技巧！核芯顯卡性能還能大幅提升

現(xiàn)在配獨(dú)顯的低價(jià)筆記本很多，但是大多數(shù)配備的都是入門(mén)級(jí)獨(dú)立顯卡，實(shí)際的游戲性能很弱，甚至比不上Sandy Bridge的核芯顯卡。這些入門(mén)級(jí)獨(dú)顯不光提高了整機(jī)成本，功耗也比核芯顯卡高得多，而且發(fā)熱量還很高，影響了

智能硬件
2011-12-09

超頻雙通道顯卡內(nèi)存
力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現(xiàn)不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)

模擬
2011-12-08

DRAM 驅(qū)動(dòng)芯片制程技術(shù) 內(nèi)存
力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I(yíng)收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現(xiàn)不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進(jìn)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-08

DRAM 驅(qū)動(dòng)芯片制程技術(shù) 內(nèi)存
熱敏打印機(jī)的心電圖形快速打印方法

目前，我國(guó)各醫(yī)院普遍使用的心電圖機(jī)絕大多數(shù)是機(jī)電式的，即通過(guò)電極檢測(cè)心電信號(hào)，放大后直接記錄，存在著打印效率低、噪聲污染嚴(yán)重、心電波形失真等缺點(diǎn)。與之相比，數(shù)字式心電圖機(jī)通過(guò)軟件實(shí)現(xiàn)噪聲抑制和心電參數(shù)

消費(fèi)電子
2011-12-04

熱敏打印機(jī) 心電圖 SPI 內(nèi)存
三星將在ISSCC上發(fā)布8GB相變內(nèi)存

【21ic電子網(wǎng)原創(chuàng)】：三星將在2012 ISSCC會(huì)議上發(fā)布20nm制程的8GB相變內(nèi)存（PCM），重新點(diǎn)燃業(yè)界關(guān)于相變內(nèi)存是否可投入商用的爭(zhēng)論。2011年12月5日到7日在華盛頓舉行的國(guó)際電子器件會(huì)議上，三星的工程師將先展示20nm

智能硬件
2011-12-03

三星 GB ISSCC 內(nèi)存
20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用

消費(fèi)電子
2011-12-01

三星 DDR GB 內(nèi)存

首頁(yè) 上一頁(yè) 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 下一頁(yè) 尾頁(yè)

內(nèi)存

采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計(jì)

超越NAND閃存的新一代內(nèi)存技術(shù)

Q3 DRAM庫(kù)存指數(shù)為12.75周同比激增30.8%

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

相變化內(nèi)存開(kāi)創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于動(dòng)態(tài)輸入追蹤的模糊技術(shù)研究

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

三維可視化中的地形建模與實(shí)現(xiàn)技術(shù)研究

日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

更多小技巧！核芯顯卡性能還能大幅提升

力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動(dòng)芯片量產(chǎn)

熱敏打印機(jī)的心電圖形快速打印方法

三星將在ISSCC上發(fā)布8GB相變內(nèi)存

20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

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