內(nèi)存

我要報(bào)錯(cuò)

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

1月上旬DRAM合約價(jià)持平但成交價(jià)有往上趨勢(shì)

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，1月上旬DRAM合約價(jià)仍以持平價(jià)位開(kāi)出，DDR3 4GB均價(jià)固守16.5美元，DDR3 2GB均價(jià)則維持在9.25美元，但整體成交量已從低價(jià)區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價(jià)格移動(dòng)，除了減產(chǎn)效

消費(fèi)電子
2012-01-17

DRAM DDR3 內(nèi)存 GB
運(yùn)用數(shù)字圖像處理技術(shù)可實(shí)現(xiàn)型坯直徑的實(shí)時(shí)在線檢測(cè)

1 引言　　擠出吹塑成型是一種生產(chǎn)塑料容器的加工過(guò)程，型坯的成型是擠出吹塑中一個(gè)相當(dāng)重要的階段。型坯成型對(duì)吹塑制品的性能與成本均有很大影響，若能在這個(gè)階段在線檢測(cè)出型坯吹脹前的尺寸，則可用最少的原料消耗

測(cè)試測(cè)量
2012-01-17

在線檢測(cè) 數(shù)字圖像處理圖像處理技術(shù) 內(nèi)存
運(yùn)用數(shù)字圖像處理技術(shù)可實(shí)現(xiàn)型坯直徑的實(shí)時(shí)在線檢測(cè)

1 引言　　擠出吹塑成型是一種生產(chǎn)塑料容器的加工過(guò)程，型坯的成型是擠出吹塑中一個(gè)相當(dāng)重要的階段。型坯成型對(duì)吹塑制品的性能與成本均有很大影響，若能在這個(gè)階段在線檢測(cè)出型坯吹脹前的尺寸，則可用最少的原料消耗

數(shù)字電源
2012-01-15

在線檢測(cè) 數(shù)字圖像處理圖像處理技術(shù) 內(nèi)存
內(nèi)存價(jià)格轟然坍塌企業(yè)吞并現(xiàn)象步步緊逼

去年由于三星、鎂光和爾必達(dá)等企業(yè)的步步緊逼，加之隨后全球經(jīng)濟(jì)大環(huán)境不斷惡化，上游市場(chǎng)不景氣造成內(nèi)存市場(chǎng)需求不振，一場(chǎng)內(nèi)存市場(chǎng)的危機(jī)正式來(lái)臨，內(nèi)存價(jià)格全線崩盤(pán)走低，這種情況下，三星加緊腳步吞并Grandis，標(biāo)

消費(fèi)電子
2012-01-12

三星臺(tái)式機(jī) 內(nèi)存市場(chǎng) 內(nèi)存
Multitest的UltraFlat?工藝達(dá)到要求

IDM與Multitest公司日前宣布其UltraFlat?工藝達(dá)到高測(cè)試并行度垂直探針卡應(yīng)用要求。對(duì)于DDR3內(nèi)存等應(yīng)用，晶圓級(jí)測(cè)試中的電路板平面度要求變得日益重要。為優(yōu)化MLO/MLC附屬裝置和接觸單元界面，需要一個(gè)更佳的表面。此

模擬
2012-01-11

印刷電路板 ULTRA MULTITEST 內(nèi)存
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)面臨洗牌：PC市場(chǎng)疲軟導(dǎo)致供大于求

面臨洗牌自20世紀(jì)60年代以來(lái)，內(nèi)存芯片便被看作是信息時(shí)代的“原油”——它們對(duì)電腦和其他設(shè)備非常重要，以致于制造商竭盡全力改善內(nèi)存芯片性能，降低生產(chǎn)成本。然而，上周有消息稱，日本內(nèi)存芯片巨頭爾必達(dá)正尋求從

消費(fèi)電子
2012-01-10

三星電子內(nèi)存芯片 PC市場(chǎng) 內(nèi)存
華東2011年Q4營(yíng)收估降近2成

內(nèi)存封測(cè)廠華東(8110)估去年12月?tīng)I(yíng)收與11月持平，去年第4季營(yíng)收較第3季下滑近2成。華東預(yù)估去年12月?tīng)I(yíng)收和11月持平，在新臺(tái)幣5.6億元左右，去年第4季受到動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)客戶減產(chǎn)、加上行動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)

消費(fèi)電子
2012-01-09

PID MOBILE DRAM 內(nèi)存
華東2011年Q4營(yíng)收估降近2成

內(nèi)存封測(cè)廠華東(8110)估去年12月?tīng)I(yíng)收與11月持平，去年第4季營(yíng)收較第3季下滑近2成。華東預(yù)估去年12月?tīng)I(yíng)收和11月持平，在新臺(tái)幣5.6億元左右，去年第4季受到動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)客戶減產(chǎn)、加上行動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)

消費(fèi)電子
2012-01-06

PID MOBILE DRAM 內(nèi)存
東芝與爾必達(dá)將合并內(nèi)存業(yè)務(wù)

前段時(shí)間，我們報(bào)道了浪潮收購(gòu)齊夢(mèng)達(dá)整條內(nèi)存顆粒生產(chǎn)線的消息。當(dāng)時(shí)我們預(yù)測(cè)，2012年內(nèi)存行業(yè)可能將要面對(duì)新一輪的整合，而浪潮將是縱向整合的開(kāi)啟者。而今天，我們得到消息，內(nèi)存行業(yè)的橫向整合也正在展開(kāi)，而這次

智能硬件
2012-01-05

東芝爾必達(dá) PID 內(nèi)存
采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計(jì)

點(diǎn)陣式液晶接口簡(jiǎn)單，能以點(diǎn)陣或圖形方式顯示出各種信息，因此在各種電子設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。但是，它的接口必須遵循一定的硬件和時(shí)序規(guī)范，根據(jù)不同的液晶驅(qū)動(dòng)器，可能需要發(fā)出不同的命令進(jìn)行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而

顯示光電
2012-01-05

模塊設(shè)計(jì) 液晶顯示模塊雙口RAM 內(nèi)存
超越NAND閃存的新一代內(nèi)存技術(shù)

雖然NAND閃存可能在2020年末引領(lǐng)企業(yè)級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)的蓬勃發(fā)展，不過(guò)這種技術(shù)潛在的對(duì)手已經(jīng)出現(xiàn)，并開(kāi)始獲得業(yè)內(nèi)關(guān)注。這些技術(shù)包括相變內(nèi)存(PCM)、磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)和電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(RRAM)。在過(guò)去的數(shù)年中，

智能硬件
2012-01-04

NAND閃存 PCM 內(nèi)存
Q3 DRAM庫(kù)存指數(shù)為12.75周同比激增30.8%

據(jù)IHS iSuppli公司最新發(fā)布的研究分析報(bào)告，目前DRAM發(fā)展遭遇瓶頸，需求不旺盛，需求增長(zhǎng)緩慢，DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨極大困難，而如今DRAM的庫(kù)存又出現(xiàn)很大的增長(zhǎng)，庫(kù)存勁增可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)繼續(xù)下滑。第三季度IHS iSupp

消費(fèi)電子
2011-12-23

ARM ISUPPLI DRAM 內(nèi)存
美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是&ldq

智能硬件
2011-12-21

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
相變化內(nèi)存開(kāi)創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長(zhǎng)，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無(wú)

智能硬件
2011-12-21

系統(tǒng)設(shè)計(jì) 編碼 BSP 內(nèi)存
基于動(dòng)態(tài)輸入追蹤的模糊技術(shù)研究

　1 概述　　隨著信息技術(shù)的廣泛應(yīng)用，軟件安全漏洞所造成的危害正日益嚴(yán)重。軟件安全漏洞發(fā)掘作為一種預(yù)先發(fā)現(xiàn)軟件潛在安全漏洞、保證信息安全的重要技術(shù)，也越來(lái)越受到人們的重視。目前國(guó)內(nèi)外常用的漏洞自動(dòng)發(fā)掘技

模擬
2011-12-20

進(jìn)程安全漏洞庫(kù)函數(shù) 內(nèi)存
美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī)，而是

智能硬件
2011-12-20

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

消費(fèi)電子
2011-12-19

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi

半導(dǎo)體
2011-12-19

美光封裝 DDR4 內(nèi)存
三維可視化中的地形建模與實(shí)現(xiàn)技術(shù)研究

　1 引言　　20世紀(jì)60年代以后，地形可視化的概念隨著地理信息系統(tǒng)的出現(xiàn)而逐漸形成。隨后以地形地貌為研究重點(diǎn)的地形三維可視化技術(shù)在地理信息系統(tǒng)(GIs)、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境仿真、娛樂(lè)游戲、地形的穿越飛行({1y

工業(yè)控制
2011-12-18

建模編程 PEN 內(nèi)存
日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

日月鴻董事會(huì)日前決議，向柜買中心申請(qǐng)終止興柜股票柜臺(tái)買賣。掌握99%日月鴻股權(quán)的封測(cè)大廠日月光(2311)表示，正在考慮是否將日月鴻并入。日月鴻董事會(huì)決議，基于目前業(yè)務(wù)、財(cái)務(wù)規(guī)畫(huà)及整體經(jīng)營(yíng)策略考慮，向財(cái)團(tuán)法人中

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-14

PID IC封裝 DRAM 內(nèi)存

首頁(yè) 上一頁(yè) 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 下一頁(yè) 尾頁(yè)

內(nèi)存

1月上旬DRAM合約價(jià)持平但成交價(jià)有往上趨勢(shì)

運(yùn)用數(shù)字圖像處理技術(shù)可實(shí)現(xiàn)型坯直徑的實(shí)時(shí)在線檢測(cè)

運(yùn)用數(shù)字圖像處理技術(shù)可實(shí)現(xiàn)型坯直徑的實(shí)時(shí)在線檢測(cè)

內(nèi)存價(jià)格轟然坍塌企業(yè)吞并現(xiàn)象步步緊逼

Multitest的UltraFlat?工藝達(dá)到要求

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)面臨洗牌：PC市場(chǎng)疲軟導(dǎo)致供大于求

華東2011年Q4營(yíng)收估降近2成

華東2011年Q4營(yíng)收估降近2成

東芝與爾必達(dá)將合并內(nèi)存業(yè)務(wù)

采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計(jì)

超越NAND閃存的新一代內(nèi)存技術(shù)

Q3 DRAM庫(kù)存指數(shù)為12.75周同比激增30.8%

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

相變化內(nèi)存開(kāi)創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于動(dòng)態(tài)輸入追蹤的模糊技術(shù)研究

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

三維可視化中的地形建模與實(shí)現(xiàn)技術(shù)研究

日月光正考慮并購(gòu)日月鴻

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