內(nèi)存

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內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進行運算，當運算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃

2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TM

電子設(shè)計自動化
2009-11-06

DRAM 內(nèi)存 COMPANY
相變存儲研究取得關(guān)鍵性突破

相變存儲 (PCM) 是一項結(jié)合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 日前宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM

消費電子
2009-11-05

Intel 點陣 PCM 內(nèi)存
基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究

基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究

嵌入式軟件
2009-11-02

嵌入式系統(tǒng) 函數(shù) BSP 內(nèi)存
基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究

基于嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存規(guī)劃方法的研究

嵌入式教程
2009-11-02

嵌入式系統(tǒng) 函數(shù) BSP 內(nèi)存
Spansion內(nèi)存強攻亞洲STB市場，獲多家OEM采用

Spansion日前表示，亞洲地區(qū)機頂盒(STB)OEM大廠已開始采用其MirrorBit SPI Multi-I/O閃存，包括天柏寬帶網(wǎng)絡(luò)科技(上海)有限公司、深圳創(chuàng)維數(shù)字技術(shù)股份有限公司在內(nèi)。Spansion的閃存有助制造商簡化產(chǎn)品設(shè)計、縮減外觀

消費電子
2009-10-30

ST OEM SPANSION 內(nèi)存
英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

據(jù)國外媒體報道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！　∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存

智能硬件
2009-10-29

英特爾 NAND閃存 DRAM 內(nèi)存
鐵嘴：矽品短期不做并購

半導體景氣回升，硅品董事長林文伯在昨（28）日法說會中也一改前幾季的嚴肅態(tài)度，以輕松幽默方式回答法人問題；外傳林文伯身體微恙，他坦言：「前段時間確實身體狀況比較差，但現(xiàn)在已經(jīng)恢復(fù)，除了可以上市場買菜，更

模擬
2009-10-29

半導體內(nèi)存
英特爾CTO介紹英特爾實驗室推進的四大研發(fā)項目

英特爾CTO介紹英特爾實驗室推進的四大研發(fā)項目

嵌入式動態(tài)
2009-10-19

英特爾 GPU 供電電壓內(nèi)存
內(nèi)存瘋閃存噴存儲業(yè)界漲勢深度分析

9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已

智能硬件
2009-10-19

Flash SSD DRAM 內(nèi)存
茂德努力與爾必達、臺灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

美林證券最新出爐的報告，茂德股價慘跌，技術(shù)遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項協(xié)議還在洽談之中，目前

消費電子
2009-10-13

爾必達 GB DRAM 內(nèi)存
三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式.　　多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內(nèi)存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排

智能硬件
2009-10-12

三星 NAND PCM 內(nèi)存

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內(nèi)存

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