內(nèi)存

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內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

Spansion內(nèi)存強(qiáng)攻亞洲STB市場，獲多家OEM采用

Spansion日前表示，亞洲地區(qū)機(jī)頂盒(STB)OEM大廠已開始采用其MirrorBit SPI Multi-I/O閃存，包括天柏寬帶網(wǎng)絡(luò)科技(上海)有限公司、深圳創(chuàng)維數(shù)字技術(shù)股份有限公司在內(nèi)。Spansion的閃存有助制造商簡化產(chǎn)品設(shè)計(jì)、縮減外觀

消費(fèi)電子
2009-10-30

OEM SPANSION 內(nèi)存 ST
英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！　∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存

智能硬件
2009-10-29

DRAM 英特爾 NAND閃存內(nèi)存
鐵嘴：矽品短期不做并購

半導(dǎo)體景氣回升，硅品董事長林文伯在昨（28）日法說會中也一改前幾季的嚴(yán)肅態(tài)度，以輕松幽默方式回答法人問題；外傳林文伯身體微恙，他坦言：「前段時(shí)間確實(shí)身體狀況比較差，但現(xiàn)在已經(jīng)恢復(fù)，除了可以上市場買菜，更

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2009-10-29

半導(dǎo)體內(nèi)存
英特爾CTO介紹英特爾實(shí)驗(yàn)室推進(jìn)的四大研發(fā)項(xiàng)目

英特爾CTO介紹英特爾實(shí)驗(yàn)室推進(jìn)的四大研發(fā)項(xiàng)目

嵌入式動態(tài)
2009-10-19

英特爾 GPU 供電電壓內(nèi)存
內(nèi)存瘋閃存噴存儲業(yè)界漲勢深度分析

9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個(gè)月來，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已

智能硬件
2009-10-19

DRAM Flash SSD 內(nèi)存
茂德努力與爾必達(dá)、臺灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

美林證券最新出爐的報(bào)告，茂德股價(jià)慘跌，技術(shù)遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項(xiàng)協(xié)議還在洽談之中，目前

消費(fèi)電子
2009-10-13

DRAM 爾必達(dá) GB 內(nèi)存
三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式.　　多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排

智能硬件
2009-10-12

三星 NAND PCM 內(nèi)存
矽品9月營收近60億 2年新高

封測大廠硅品（2325）昨（5）日公布9月營收達(dá)59.78億元，創(chuàng)下近2年來新高，第三季營收約167.32億元，較第二季增加約18.4％，高于市場普遍預(yù)估的季增15％。至于測試大廠京元電昨日公布9月營收達(dá)11.05億元?jiǎng)?chuàng)下今年新高

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2009-10-06

NVIDIA 半導(dǎo)體芯片內(nèi)存
愛德萬推T5503測試系統(tǒng)

愛德萬測試于今年年中發(fā)表最新的高速內(nèi)存測試機(jī)T5503擴(kuò)充架構(gòu)，以256顆DDR3內(nèi)存之同測技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，兩倍于前一款機(jī)型，此款擴(kuò)充架構(gòu)機(jī)型，配合T5503 8448 Channels之測試頭，現(xiàn)已開始出貨。愛德萬表示，未來高質(zhì)

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2009-10-01

測試系統(tǒng) SDRAM DDR3 內(nèi)存
三星開始量產(chǎn)60nm工藝的512Mbit PRAM

韓國三星電子（Samsung Electronics）開始量產(chǎn)新一代非易失性內(nèi)存PRAM（Phase Change RAM）。此次量產(chǎn)的是采用60nm左右工藝的512Mbit產(chǎn)品。主要面向智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品。通過配備PRAM，除了可將便攜產(chǎn)品的電池壽命

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2009-09-30

三星三星電子 RAM 內(nèi)存
中芯國際在65納米和45納米CMOS邏輯工藝上選擇Kilopass OTP嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)解決方案

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">2009年9月25日，嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）硅智財(cái)（IP）的領(lǐng)先供貨商 -- Kilopass 科技公司 (Kilopass Technology

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2009-09-27

中芯國際 CMOS OPA 內(nèi)存

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天命風(fēng)流
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內(nèi)存

Spansion內(nèi)存強(qiáng)攻亞洲STB市場，獲多家OEM采用

英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

鐵嘴：矽品短期不做并購

英特爾CTO介紹英特爾實(shí)驗(yàn)室推進(jìn)的四大研發(fā)項(xiàng)目

內(nèi)存瘋閃存噴存儲業(yè)界漲勢深度分析

茂德努力與爾必達(dá)、臺灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

矽品9月營收近60億 2年新高

愛德萬推T5503測試系統(tǒng)

三星開始量產(chǎn)60nm工藝的512Mbit PRAM

中芯國際在65納米和45納米CMOS邏輯工藝上選擇Kilopass OTP嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)解決方案

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