內(nèi)存

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內(nèi)存是計算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對計算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

韓國半導(dǎo)體內(nèi)存產(chǎn)品在國際市場上占有率創(chuàng)歷史新高

KBS報道，市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMEXchange的報告顯示，今年第一、二季度三星電子和海力士在國際市場上半導(dǎo)體內(nèi)存的占有率達(dá)到55.50%和53.1%，創(chuàng)歷史新高。去年一至三季度，這兩家半導(dǎo)體公司的占有率持續(xù)維持在49%的水平。

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2009-08-13

內(nèi)存半導(dǎo)體 DRAM EXCHANGE
網(wǎng)絡(luò)存儲器的設(shè)計

針對計算機(jī)系統(tǒng)中磁盤的I／O性能問題，對比各種解決這一問題的方法，提出了網(wǎng)絡(luò)存儲器設(shè)計的方法．網(wǎng)絡(luò)存儲器是通過提高處理器與存儲器之間的數(shù)據(jù)交換的速度來提高計算機(jī)系統(tǒng)性能的。通過對網(wǎng)絡(luò)存儲器的工作時間的分析證實了網(wǎng)絡(luò)存儲器設(shè)計的可行性，并提出三種網(wǎng)絡(luò)存儲器的設(shè)計方法。

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2009-08-11

存儲器 BSP 內(nèi)存
網(wǎng)絡(luò)存儲器的設(shè)計

網(wǎng)絡(luò)存儲器的設(shè)計

嵌入式軟件
2009-08-08

存儲器 BSP 內(nèi)存
內(nèi)存廠商奇夢達(dá)開始進(jìn)行破產(chǎn)清算

據(jù)國外媒體周三報道，拍賣商GoIndustry DoveBid集團(tuán)已開始在網(wǎng)站上對奇夢達(dá)最后一家工廠的設(shè)備進(jìn)行拍賣?！　〗衲?月，奇夢達(dá)成為全球經(jīng)濟(jì)衰退中第一家申請破產(chǎn)保護(hù)的大型芯片廠商。從兩年前開始，DRAM廠商遭遇了全球

智能硬件
2009-08-06

奇夢達(dá) INDUSTRY 內(nèi)存 DRAM
美光推出增加服務(wù)器內(nèi)存容量和提升性能的新方法

美光科技股份有限公司前日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負(fù)載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容

通信技術(shù)
2009-08-03

美光 GB DDR3 內(nèi)存
基于TMS320DM642的快速Hough變換圓檢測算法的實現(xiàn)

摘要：為了在DSP平臺上實時檢測圓孔或圓弧圖像的特征參數(shù)，介紹一種用于快速提取圓參數(shù)的基于TMS320DM642平臺改進(jìn)Hough變換算法。該算法利用圓的幾何對稱性估算待檢測圓的參數(shù)，從而有效縮小參與Hough變換的參數(shù)域的

測試測量
2009-07-24

BSP TMS320DM642 HOUGH變換內(nèi)存
基于TMS320DM642的快速Hough變換圓檢測算法的實現(xiàn)

摘要：為了在DSP平臺上實時檢測圓孔或圓弧圖像的特征參數(shù)，介紹一種用于快速提取圓參數(shù)的基于TMS320DM642平臺改進(jìn)Hough變換算法。該算法利用圓的幾何對稱性估算待檢測圓的參數(shù)，從而有效縮小參與Hough變換的參數(shù)域的

數(shù)字電源
2009-07-21

BSP TMS320DM642 HOUGH變換內(nèi)存
基于TMS320DM642的快速Hough變換圓檢測算法的實現(xiàn)

基于TMS320DM642的快速Hough變換圓檢測算法的實現(xiàn)

嵌入式軟件
2009-07-21

BSP TMS320DM642 HOUGH變換內(nèi)存
歐洲投資百萬進(jìn)行量子點研究可望改寫內(nèi)存歷史

歐洲將投資一百萬歐元來進(jìn)行銻化物(antimonide)量子點在數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用上的研究。這個歐洲學(xué)術(shù)聯(lián)合研究計劃將于六月開跑，研究以三五族(III-V)量子點為基礎(chǔ)的組件，做為繼承閃存(flash memory)的選擇。這個為期三年的

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2009-07-10

量子點 MEMORY UNIVERSITY 內(nèi)存
臺積電發(fā)布65nm多次寫入NVM技術(shù)

臺積電(TSMC)日前首度揭示了晶圓代工領(lǐng)域中，65納米(nm)多次寫入(MTP)非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)的技術(shù)進(jìn)展。該技術(shù)結(jié)合了與Virage Logic公司共同開發(fā)、已經(jīng)過驗證的MTP IP模塊。據(jù)表示，新技術(shù)是第一種2.5V的MTP制程，突

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2009-07-07

臺積電 MT 65NM 內(nèi)存
如何重建崩解中的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)？

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的經(jīng)營模式面臨崩解，產(chǎn)業(yè)觀察家認(rèn)為，解決之道是更理性的行為以及整并。以上是一場于美國舉行的、探討內(nèi)存技術(shù)與市場趨勢的Memcon研討會上，某業(yè)界高層所發(fā)表的看法。持續(xù)低迷的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣讓所有的供貨商

智能硬件
2009-07-03

SEMICONDUCTOR 內(nèi)存 DRAM
錢是英雄膽——DRAM王道

戰(zhàn)國時代群雄割據(jù)，秦始皇一統(tǒng)天下，成就了后來的西漢盛世。如今的臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，也面臨群雄割據(jù)與經(jīng)營艱辛的困境，到了需要有人出面主導(dǎo)整合再造的時機(jī)，因此像臺灣內(nèi)存公司（TMC）這種角色的存在，確有其必要性。然

智能硬件
2009-07-02

美光爾必達(dá) 內(nèi)存 DRAM

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內(nèi)存

韓國半導(dǎo)體內(nèi)存產(chǎn)品在國際市場上占有率創(chuàng)歷史新高

網(wǎng)絡(luò)存儲器的設(shè)計

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基于TMS320DM642的快速Hough變換圓檢測算法的實現(xiàn)

基于TMS320DM642的快速Hough變換圓檢測算法的實現(xiàn)

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歐洲投資百萬進(jìn)行量子點研究可望改寫內(nèi)存歷史

臺積電發(fā)布65nm多次寫入NVM技術(shù)

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