內(nèi)存

我要報(bào)錯(cuò)

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

三星GALAXY F真機(jī)再曝光 5.2英寸金屬機(jī)身

之前曝光的三星新旗艦GALAXY F又有新的諜照現(xiàn)身，此前有消息稱該機(jī)將會(huì)采用金屬材質(zhì)機(jī)身，從最新曝光的照片來(lái)看，這款三星新機(jī)的邊緣采用了切角的設(shè)計(jì)，金屬的質(zhì)感非常明顯，可以基本確定材質(zhì)為金屬。配置方面，三星

顯示光電
2014-07-14

三星GALAXY 金屬內(nèi)存
DRAM與快閃記憶體仍扮演重要角色 MRAM普及尚需時(shí)日

磁阻內(nèi)存的概念幾乎是和磁盤記錄技術(shù)同時(shí)被提出來(lái)的。但是眾所周知，內(nèi)存讀寫的速度需要達(dá)到磁盤讀寫的速度的100萬(wàn)倍，所以不能直接使用磁盤記錄技術(shù)來(lái)生產(chǎn)內(nèi)存。磁阻內(nèi)存的設(shè)計(jì)看起來(lái)并不復(fù)雜，但是對(duì)材料的要求比較

消費(fèi)電子
2014-07-09

DRAM ST SPI 內(nèi)存
DDR3內(nèi)存的PCB仿真與設(shè)計(jì)

1概述當(dāng)今計(jì)算機(jī)系統(tǒng)DDR3存儲(chǔ)器技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升，現(xiàn)已高達(dá)1866Mbps.在這種高速總線條件下，要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時(shí)序要求，對(duì)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-07-01

仿真分析 DDR3 PCB仿真內(nèi)存
Intel 14nm全新架構(gòu)海量細(xì)節(jié)：4W！！

Intel將在未來(lái)一年內(nèi)連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器，其中Broadwell主打筆記本移動(dòng)平臺(tái)，Skylake則會(huì)為桌面平臺(tái)帶來(lái)全新升級(jí)，無(wú)論架構(gòu)、技術(shù)都將有質(zhì)的飛躍，尤其是支持DDR4。今天，我們又獲悉了關(guān)于Skylake的大量

智能硬件
2014-06-27

Intel DDR3 SKYLAKE 內(nèi)存
Xilinx攜手Pico Computing宣布推出業(yè)界首款 15Gb/s 混合內(nèi)存立方體(HMC)接口

21ic訊 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))和同為混合內(nèi)存立方體聯(lián)盟(HMCC)成員的Pico Computing公司，今天共同宣布攜手推出業(yè)界首款針對(duì)All Programmable UltraS

通信技術(shù)
2014-06-25

Xilinx PIC COMPUTING 內(nèi)存
計(jì)算機(jī)內(nèi)存供電電路（NCP5201）

計(jì)算機(jī)內(nèi)存供電電路（NCP5201）

電源電路
2014-06-21

計(jì)算機(jī) 供電電路 NCP 內(nèi)存
筆記本電腦的內(nèi)存供電電路（0.9-1.8V）

筆記本電腦的內(nèi)存供電電路（0.9-1.8V）

電源電路
2014-06-19

筆記本電腦供電電路 BSP 內(nèi)存
索尼筆記本電腦內(nèi)存供電電路（SC486）

索尼筆記本電腦內(nèi)存供電電路（SC486）

電源電路
2014-06-19

索尼筆記本電腦供電電路內(nèi)存
IBM-R40筆記本電腦內(nèi)存供電電路

IBM-R40筆記本電腦內(nèi)存供電電路

電源電路
2014-06-19

IBM 筆記本電腦供電電路內(nèi)存
并聯(lián)雙路輸出內(nèi)存供電電路（NEC E660筆記本電腦）

并聯(lián)雙路輸出內(nèi)存供電電路（NEC E660筆記本電腦）

電源電路
2014-06-19

并聯(lián) 雙路輸出 NEC 內(nèi)存
內(nèi)存電源控制器（MAX8550）（三星Q35筆記本電腦）

內(nèi)存電源控制器（MAX8550）（三星Q35筆記本電腦）

電源電路
2014-06-19

三星筆記本電腦電源控制器內(nèi)存
DDR內(nèi)存供電電路

DDR內(nèi)存供電電路

電源電路
2014-06-18

開關(guān) 供電電路 DDR 內(nèi)存
SK海力士大舉推進(jìn)手機(jī)內(nèi)存市場(chǎng)戰(zhàn)略

　　SK海力士邀請(qǐng)了中國(guó)移動(dòng)市場(chǎng)相關(guān)部門和企業(yè)，于2014年6月17日在中國(guó)深圳成功舉辦了“2014年SK海力士手機(jī)移動(dòng)內(nèi)存解決方案研討會(huì)”。SK海力士CMO Richard Chin致歡迎辭SK海力士最新移動(dòng)內(nèi)存的技術(shù)演示，吸引眾手

半導(dǎo)體
2014-06-18

內(nèi)存市場(chǎng) SK海力士內(nèi)存
智能手機(jī)等新型應(yīng)用市場(chǎng) DRAM的新救世主

DRAM最大的應(yīng)用市場(chǎng)向來(lái)是PC，而現(xiàn)在有一個(gè)新興應(yīng)用市場(chǎng)開始涌現(xiàn)對(duì)DRAM的大量需求;根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的預(yù)測(cè)，智能手機(jī)對(duì)DRAM的需求量正以超過(guò)10倍的速度成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)將

嵌入式硬件
2014-06-15

DRAM 智能手機(jī) 應(yīng)用市場(chǎng) 內(nèi)存
三星Note 4九月發(fā)布：配柔性O(shè)LED顯示屏

除了傳說(shuō)中那款全金屬旗艦Galaxy F之外，三星今年的另一款產(chǎn)品應(yīng)該就是Galaxy Note 4了，它的硬件規(guī)格必然不會(huì)讓我們?cè)俅问⊿5的硬件規(guī)格真心不行?。８鶕?jù)外媒的報(bào)道，三星移動(dòng)通訊副總裁李永熙日前在一次會(huì)議上

顯示光電
2014-06-13

硬件 OLED顯示屏三星NOTE 內(nèi)存
封測(cè)：京元電羽翼已豐，漸成硅品對(duì)手

【導(dǎo)讀】封測(cè)：京元電羽翼已豐，漸成硅品對(duì)手自半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣于2001年跌落谷底而后翻揚(yáng)后，封測(cè)產(chǎn)業(yè)大者恒大趨勢(shì)更為明顯，硅品為了與日月光、艾克爾、新科金朋（STATS-ChipPAC）等進(jìn)行集團(tuán)式對(duì)抗，董事長(zhǎng)

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM DDR BSP 內(nèi)存
升陽(yáng)與優(yōu)利系統(tǒng)連手控告海力士涉及操縱價(jià)格

【導(dǎo)讀】升陽(yáng)與優(yōu)利系統(tǒng)連手控告海力士涉及操縱價(jià)格南韓半導(dǎo)體制造商海力士（Hynix）周二表示，美商升陽(yáng)計(jì)算機(jī)與優(yōu)利系統(tǒng)(Unisys)連手控告該公司及其它芯片業(yè)者涉及操縱價(jià)格，提出賠償要求。海力

半導(dǎo)體
2014-06-09

計(jì)算機(jī) 海力士 BSP 內(nèi)存
Hynix和意法擬籌7.5億美元中國(guó)內(nèi)存晶圓廠再擴(kuò)張

【導(dǎo)讀】Hynix和意法擬籌7.5億美元中國(guó)內(nèi)存晶圓廠再擴(kuò)張韓國(guó)芯片廠商海力士(Hynix Semiconductor)日前表示，計(jì)劃籌資7.5億美元投資基金，用于擴(kuò)大其中國(guó)子公司。這家子公司是Hynix與意法半導(dǎo)體(ST)的合

半導(dǎo)體
2014-06-09

晶圓廠 NI BSP 內(nèi)存
三星試制512MB PRAM 08年投產(chǎn)“速度為NOR型閃存30倍”

【導(dǎo)讀】三星試制512MB PRAM 08年投產(chǎn)“速度為NOR型閃存30倍” 三星電子試制的512Mbit相變內(nèi)存韓國(guó)三星電子宣布，針對(duì)非揮發(fā)性內(nèi)存--相變內(nèi)存（PRAM）“開發(fā)成功了達(dá)實(shí)用水平的試制品”。計(jì)劃08年

半導(dǎo)體
2014-06-09

三星 RAM BSP 內(nèi)存
內(nèi)存需求旺盛帶來(lái)AMAT增收增益著手開拓新的成長(zhǎng)性市場(chǎng)

【導(dǎo)讀】?jī)?nèi)存需求旺盛帶來(lái)AMAT增收增益著手開拓新的成長(zhǎng)性市場(chǎng) 強(qiáng)化面向太陽(yáng)能電池、FPD、柔性器件的業(yè)務(wù)。在包括NAND型閃存和DRAM在內(nèi)的存儲(chǔ)器的旺盛需求推動(dòng)下，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)廠商——

半導(dǎo)體
2014-06-09

PD DNS BSP 內(nèi)存

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內(nèi)存

三星GALAXY F真機(jī)再曝光 5.2英寸金屬機(jī)身

DRAM與快閃記憶體仍扮演重要角色 MRAM普及尚需時(shí)日

DDR3內(nèi)存的PCB仿真與設(shè)計(jì)

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并聯(lián)雙路輸出內(nèi)存供電電路（NEC E660筆記本電腦）

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DDR內(nèi)存供電電路

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內(nèi)存需求旺盛帶來(lái)AMAT增收增益著手開拓新的成長(zhǎng)性市場(chǎng)

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