
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步,位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房,將同時(shí)興建,預(yù)計(jì)2013年完工,這二座新廠,未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì),有
德意志證券出具最新半導(dǎo)體報(bào)告指出,受到智慧型手機(jī)相關(guān)訂單的縮減影響,預(yù)估半導(dǎo)體族群年底前仍有獲利下修2-4%的可能性,而無線產(chǎn)品訂單確實(shí)有出現(xiàn)砍單的狀況,不過,德意志證券預(yù)估,IC設(shè)計(jì)廠將在明年第一季底重啟
臺(tái)積電資材暨風(fēng)險(xiǎn)管理資深副總左大川日前指出,現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)黃金時(shí)代,因應(yīng)未來4G行動(dòng)通訊的20納米制程會(huì)是趨勢(shì),臺(tái)積電在2012年將其中一個(gè)發(fā)展重點(diǎn),擺在加速進(jìn)入20納米制程和降低成本差距,未來仍將
巴斯夫(BASF)的電子材料事業(yè)部今(6)日宣布,榮獲臺(tái)積電(2330)頒發(fā)的卓越技術(shù)發(fā)展合作獎(jiǎng),為臺(tái)積電肯定巴斯夫共同研發(fā)臺(tái)積電28奈米技術(shù)的貢獻(xiàn),同時(shí)巴斯夫也是唯一一家獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的材料供應(yīng)商。 巴斯夫電子材料
郭培仙/綜合外電 臺(tái)積電和三星電子(Samsung Electronics)分別推出28及32奈米系統(tǒng)晶片,為爭(zhēng)奪訂單恐將掀起一波大戰(zhàn)。 三星最近發(fā)表的1.5GHz雙核心處理器和ARM Cortex-A15架構(gòu)的2.0GHz多核心應(yīng)用處理器,全都將采
臺(tái)積電資材暨風(fēng)險(xiǎn)管理資深副總左大川日前指出,現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)黃金時(shí)代,因應(yīng)未來4G行動(dòng)通訊的20納米制程會(huì)是趨勢(shì),臺(tái)積電在2012年將其中一個(gè)發(fā)展重點(diǎn),擺在加速進(jìn)入20納米制程和降低成本差距,未來仍將持
臺(tái)積電資材暨風(fēng)險(xiǎn)管理資深副總左大川日前指出,現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)黃金時(shí)代,因應(yīng)未來4G行動(dòng)通訊的20納米制程會(huì)是趨勢(shì),臺(tái)積電在2012年將其中一個(gè)發(fā)展重點(diǎn),擺在加速進(jìn)入20納米制程和降低成本差距,未來仍將持
關(guān)鍵字: 陶氏電子材料 臺(tái)積電杰出供貨商獎(jiǎng) 陶氏化學(xué)公司(NYSE: DOW)旗下的陶氏電子材料事業(yè)群今日宣布,其榮獲由臺(tái)灣集成電路制造股份有限公司(臺(tái)積電)頒發(fā)的 2011 年杰出供貨商獎(jiǎng),此項(xiàng)殊榮象征臺(tái)積電高度認(rèn)同
臺(tái)積電資材暨風(fēng)險(xiǎn)管理資深副總左大川日前指出,現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)黃金時(shí)代,因應(yīng)未來4G行動(dòng)通訊的20納米制程會(huì)是趨勢(shì),臺(tái)積電在2012年將其中一個(gè)發(fā)展重點(diǎn),擺在加速進(jìn)入20納米制程和降低成本差距,未來仍將持
盡管三星電子(Samsung Electronics)與蘋果(Apple)在手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)等市場(chǎng)處于競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系,但三星近年來在晶圓代工等半導(dǎo)體領(lǐng)域大有斬獲,包括蘋果、高通(Qualcomm)等都是客戶,臺(tái)灣在晶圓及封測(cè)全球市占率分別達(dá)60~7
臺(tái)積電資材暨風(fēng)險(xiǎn)管理資深副總左大川日前指出,現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)黃金時(shí)代,因應(yīng)未來4G行動(dòng)通訊的20納米制程會(huì)是趨勢(shì),臺(tái)積電在2012年將其中一個(gè)發(fā)展重點(diǎn),擺在加速進(jìn)入20納米制程和降低成本差距,未來仍將持
從臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯等大中華地區(qū)前3大晶圓代工廠單季營(yíng)收表現(xiàn)觀察,受歐債風(fēng)暴沖擊,終端需求明顯減弱,加上全球主要晶片供應(yīng)商合計(jì)存貨金額仍在高點(diǎn),客戶端調(diào)節(jié)庫存壓力仍大,使得2011年第3季大中華地區(qū)前3大晶圓
三星電子近期積極跨足晶圓代工,雖然短期仍難撼動(dòng)臺(tái)積電(2330)領(lǐng)先地位,但市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)指出,三星挾品牌、DRAM及NAND Flash勇奪全球市占之冠等優(yōu)勢(shì),未來若強(qiáng)化存儲(chǔ)器和邏輯芯片整合技術(shù),對(duì)臺(tái)積電威脅
臺(tái)積電(2330)加快28納米以下制程布建腳步,位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房,將同時(shí)興建,預(yù)計(jì)2013年完工,這二座新廠,未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。 外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)
臺(tái)積電資材暨風(fēng)險(xiǎn)管理資深副總左大川日前指出,現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)黃金時(shí)代,因應(yīng)未來4G行動(dòng)通訊的20納米制程會(huì)是趨勢(shì),臺(tái)積電在2012年將其中一個(gè)發(fā)展重點(diǎn),擺在加速進(jìn)入20納米制程和降低成本差距,未來仍將持
Cadence Design于日前宣布,該公司憑借3D集成電路技術(shù)而榮膺臺(tái)積電頒發(fā)的臺(tái)積電電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化合作夥伴獎(jiǎng)。隨著電子產(chǎn)業(yè)進(jìn)入可攜式設(shè)備新紀(jì)元,3D集成電路技術(shù)將推動(dòng)集成電路和封裝技術(shù)發(fā)展,進(jìn)一步提高集成電路的性
陶氏化學(xué)(DOW)旗下的陶氏電子材料事業(yè)群今日宣布,榮獲臺(tái)積電(2330)頒發(fā)的2011年杰出供應(yīng)商獎(jiǎng),此項(xiàng)殊榮象征臺(tái)積電高度認(rèn)同陶氏電子材料事業(yè)群過去一年里,在開發(fā)和供應(yīng)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)耗材方面的出色表現(xiàn)。
竹科2011高峰科技論壇今日熱鬧展開,臺(tái)積電(2330)資深研發(fā)副總蔣尚義也受邀演講,針對(duì)眾所矚目的3D IC何時(shí)可以正式開花結(jié)果,蔣尚義表示,3D IC在記憶體領(lǐng)域會(huì)發(fā)展較快,因?yàn)榧夹g(shù)上較容易,但邏輯IC受限于die size不
從臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯等大中華地區(qū)前3大晶圓代工廠單季營(yíng)收表現(xiàn)觀察,受歐債風(fēng)暴沖擊,終端需求明顯減弱,加上全球主要晶片供應(yīng)商合計(jì)存貨金額仍在高點(diǎn),客戶端調(diào)節(jié)庫存壓力仍大,使得2011年第3季大中華地區(qū)前3大晶圓
從臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯等大中華地區(qū)前3大晶圓代工廠單季營(yíng)收表現(xiàn)觀察,受歐債風(fēng)暴沖擊,終端需求明顯減弱,加上全球主要晶片供應(yīng)商合計(jì)存貨金額仍在高點(diǎn),客戶端調(diào)節(jié)庫存壓力仍大,使得2011年第3季大中華地區(qū)前3大