
三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲器先進制程,對于臺灣DRAM廠來說,又將面臨一次嚴峻的考驗。 DRAM廠目前最欠缺的就是金援,以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來看,很難靠一己之力對外籌資。也因此,包括韓國、日本等國政府
2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出,各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食,日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半,全年支出僅約16億美元,但分析師預估,將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算,
聯(lián)電旗下設計服務廠智原科技昨(14)日發(fā)表適用于聯(lián)電90納米制程的低漏電存儲器解決方案,相較于一般存儲器,智原方案最高可以降低90%以上的漏電率,讓客戶的芯片面積有效的限縮到更理想范圍,一并滿足客戶對于耗電
市調(diào)機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零
爾必達(Elpida)與力晶在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合賽過程中,雙方關系讓外界感到撲朔迷離,尤其近期適逢傳出茂德與爾必達舊情重燃,雙方將成為DRAM代工伙伴的敏感時機,爾必達卻宣布退出力晶董事會,更引發(fā)外界揣測的聲浪,惟
日前,恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求,從而
恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co.) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求,從而幫助多功能
茂德與臺灣存儲器公司(TMC)、爾必達(Elpida)三角關系逐漸撥云見日,茂德將以中科12寸廠為爾必達代工標準型DRAM產(chǎn)品,從65納米制程技術開始,值得注意的是,茂德與海力士(Hynix)合作關系并未結束,為此三角關系埋下伏
1 引言 電子對抗的最終目的之一是破壞敵方的無線電通信,最直接有效的手段是采用通信干擾方式,擾亂對方的通信。而雷達干擾機是根據(jù)雷達的工作原理發(fā)射適當?shù)母蓴_信號進人雷達接收設備,利用雷達干擾設備破壞或
NXP公司,前身為飛利浦公司的芯片部門,正在研究專有的相變存儲器(PCM),該公司的首席技術官Rene Penning de Vries表示該技術將十分“有希望”。 他表示,“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個問題是是否繼續(xù)生產(chǎn)?!?/p>
根據(jù)SEMI World Fab Forecast的最新預測,晶圓廠建設支出自2008年來持續(xù)呈現(xiàn)季度負增長,2009年預計同比減少56%。從全球來看,建設支出達到10年來最低點。然而,該報告的最新數(shù)據(jù)顯示,2009年下半年晶圓廠建設支出和設備支出將恢復增長,并將持續(xù)至2010年。2010年,晶圓廠建設支出預計成倍增長,設備支出也可能增長多達90%。
存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是,部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度
存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是,部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度
存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。更慘的是,部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度
富士通微電子(上海)有限公司推出兩款新型消費類FCRAM(*1)存儲器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口,是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴大至125°C的芯片。富士通微
美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術,并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說,新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯
半導體及面板設備大廠應用材料總裁麥可史賓林特(Mike Splinter)在昨(13)日新聞發(fā)布會上表示,科技產(chǎn)品需求似乎由谷底回升,且多受益于美國、中國的振興經(jīng)濟方案,隨著半導體廠及面板廠的利用率回升,設備需求