
意法(ST)半導(dǎo)體推出一款身份證微控制器(MCU)ST23YR80,新產(chǎn)品支持最新的加密技術(shù),片內(nèi)集成大容量的存儲(chǔ)器,用于保存生物測(cè)定數(shù)據(jù)。ST23YR80提供接觸式和非接觸式兩種接口,
主攻個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道,本月價(jià)格可望強(qiáng)彈;應(yīng)用行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)因補(bǔ)貨需求落空,價(jià)格看跌。
行業(yè)專家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
摘要在許多嵌入式系統(tǒng)中通常會(huì)需要外接存儲(chǔ)器保存數(shù)據(jù),例如EEPROM。由于傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器具有功能單一、接口固定、擦寫次數(shù)有限的特點(diǎn)從而限制了存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)景和范圍。本文介紹了一種基于TI 新一代MSP430FR 系列MCU
項(xiàng)目概述 1.1項(xiàng)目背景 示波器(Oscilloscope)是一種能夠顯示電壓信號(hào)動(dòng)態(tài)波形的電子測(cè)量?jī)x器。它能夠?qū)r(shí)變的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為時(shí)域上的曲線,原來(lái)不可見(jiàn)的電氣信號(hào),
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器 ──電阻式RAM(RRAM),在11nm節(jié)點(diǎn)前不可能進(jìn)入市場(chǎng);在此之前,堆疊式浮閘NAND閃存相對(duì)較具潛力,而且很可能會(huì)朝向2~4Tbit的獨(dú)立型整合芯片
CPU和解碼芯片的存儲(chǔ)器、SD存儲(chǔ)卡插座接口電路
隨著信息時(shí)代的發(fā)展,存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于跟數(shù)據(jù)存儲(chǔ)有關(guān)的各個(gè)行業(yè),從IT、數(shù)碼行業(yè)到娛樂(lè)、醫(yī)療、辦公等等。發(fā)展半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)有利于改變我國(guó)存儲(chǔ)器核心技術(shù)完全受制于
日前,本報(bào)記者獲悉,三星電子近期加快了產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)步伐,先是在行業(yè)首次研發(fā)出了30納米級(jí)(1納米為10億分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移
21ic訊 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒,中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自
21ic訊 武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開(kāi)了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評(píng)審會(huì),業(yè)內(nèi)專家對(duì)該項(xiàng)目的技術(shù)
對(duì)現(xiàn)有EDA供應(yīng)商來(lái)說(shuō),多核處理器的出現(xiàn)為他們平添了“幾分歡喜幾分愁”。歡喜之處在于,隨著晶體管數(shù)量在65nm及更小工藝下飆增,多核平臺(tái)能提供更多必需的計(jì)算能
目前,市場(chǎng)上的許多系統(tǒng)在單核處理器上運(yùn)行它們的控制和數(shù)據(jù)層以及附加的服務(wù)。然而,由于存在系統(tǒng)功率預(yù)算問(wèn)題,單核處理器已經(jīng)逼近了頻率的極限,這個(gè)問(wèn)題采用晶體管技術(shù)
CPU的輸入與輸出和存儲(chǔ)器控制電路
在花費(fèi)多年時(shí)間進(jìn)行研究后,IBM已成為首家在商用處理器中搭載交換式存儲(chǔ)器(transactional memory)的公司。IBM 為 Lawrence Livemore 國(guó)家實(shí)驗(yàn)室所開(kāi)發(fā)的 Sequoia 超級(jí)計(jì)算機(jī)
受日本地震影響,多數(shù)日系存儲(chǔ)產(chǎn)品及元器件價(jià)格出現(xiàn)上漲尚“情有可原”,但近日,《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者了解到,深圳華強(qiáng)北電子市場(chǎng)很多非日系存儲(chǔ)產(chǎn)品竟也隨之漲
世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器,W系列器件帶有串口I2C、SPI接
瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、&
Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 的MaxArias™無(wú)線存儲(chǔ)器榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)?!峨娮蛹夹g(shù)應(yīng)用》雜志是中國(guó)領(lǐng)先的電子/IT雜
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會(huì)取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒(méi)有最終會(huì)讓快閃位元單元耗損的疲乏機(jī)制(fatigue me