
256KB動態(tài)存儲器擴展電路
存儲器大廠爾必達(Elpida)公布2010會計年度第3季財報(2010年10~12月),受存儲器價格大跌拖累,爾必達第3季大虧296億日圓(約3.6億美元)。 2010會計年度第3季爾必達營收為970.7億日圓,較前1年同期的1,510.1億日圓
三星電子(SamsungElectronics)半導體事業(yè)部社長權五鉉,出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見面會時曾表示,DRAM價格可能提早于第1季觸底并回升,第1季內(nèi)價格將有小幅下跌,價格隨即出現(xiàn)反彈,但不確定會發(fā)生在2月或3月。DRAM價格
美國芯成半導體(ISSI )日前宣布,已與錫恩微電子公司(Si En Integration Holdings Ltd)達成收購協(xié)議,錫恩微電子是設在一家廈門,從事模擬和混合電路涉及的私營公司。芯成半導體總部設在美國San Jose-based,專門
為解決傳統(tǒng)可視倒車雷達視頻字符疊加器結(jié)構復雜,可靠性差,成本高昂等問題,在可視倒車雷達設計中采用視頻字符發(fā)生器芯片MAX7456。該芯片集成了所有用于產(chǎn)生用戶定義OSD,并將其插入視頻信號中所需的全部功能,僅需少量的外圍阻容元件即可正常工作。給出了以MAX7456為核心的可視倒車雷達的軟、硬件實現(xiàn)方案及設計實例。該方案具有電路結(jié)構簡單、價格低廉、符合人體視覺習慣的特點。經(jīng)實際裝車測試,按該方案設計的可視倒車雷達視場清晰、提示字符醒目、工作可靠,可有效降低駕駛員倒車時的工作強度、減少倒車事故的發(fā)生。
瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡設備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術有些滯后,然而最近以來此家存儲器制造商開始追趕上來,似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競爭對手。Micron公司正在進行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進行
IBM超高密度 Racetrack 存儲器開發(fā)又有新的進展,據(jù)稱這一新型存儲器同時具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開發(fā)進程,原型產(chǎn)品預估可望于2年內(nèi)問世。據(jù)報導,Racetrack 存儲技術首見于2004年
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術有些滯后,然而最近以來此家存儲器制造商開始追趕上來,似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競爭對手。Micron公司正在進行25nm NAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進行
據(jù)Tech Review報導,IBM超高密度 Racetrack 存儲器開發(fā)又有新的進展,據(jù)稱這一新型存儲器同時具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開發(fā)進程,原型產(chǎn)品預估可望于2年內(nèi)問世。據(jù)報導,Racetrack
摘 要:通過在現(xiàn)場可編程門陣列器件中構建軟核處理器(NIOSⅡ)來代替專用集成電路,并在NIOSⅡ中嵌入C程序,根據(jù)給定的規(guī)模,自動實現(xiàn)了在不同規(guī)模下的各種設計參數(shù)的計算。實現(xiàn)了只需要輸入系統(tǒng)參數(shù),就能適用
基于FPGA的空間存儲器糾錯系統(tǒng)的設計研究
基于SOPC適用于不同規(guī)格LCOS的控制器設計
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會讓快閃位元單元耗損的疲乏機制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲器如快閃存
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會讓快閃位元單元耗損的疲乏機制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲器如快閃存
FutureHorizons的創(chuàng)始人及分析師MalcolmPenn認為全球半導體業(yè)受2009年的金融危機的影響,到2010年耀眼的超過30%的增長,所以進入2011年將回歸到正常年景,增長6%。Penn在演講會上說,明年產(chǎn)業(yè)將回顧到正常增長,據(jù)
臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NANDFlash技術在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術,近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術架構下,研發(fā)出
全球大廠紛競逐下世代技術,近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器
臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術,近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下,研