
256KB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路
存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)報(bào)(2010年10~12月),受存儲(chǔ)器價(jià)格大跌拖累,爾必達(dá)第3季大虧296億日?qǐng)A(約3.6億美元)。 2010會(huì)計(jì)年度第3季爾必達(dá)營收為970.7億日?qǐng)A,較前1年同期的1,510.1億日?qǐng)A
三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉,出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見面會(huì)時(shí)曾表示,DRAM價(jià)格可能提早于第1季觸底并回升,第1季內(nèi)價(jià)格將有小幅下跌,價(jià)格隨即出現(xiàn)反彈,但不確定會(huì)發(fā)生在2月或3月。DRAM價(jià)格
美國芯成半導(dǎo)體(ISSI )日前宣布,已與錫恩微電子公司(Si En Integration Holdings Ltd)達(dá)成收購協(xié)議,錫恩微電子是設(shè)在一家廈門,從事模擬和混合電路涉及的私營公司。芯成半導(dǎo)體總部設(shè)在美國San Jose-based,專門
為解決傳統(tǒng)可視倒車?yán)走_(dá)視頻字符疊加器結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可靠性差,成本高昂等問題,在可視倒車?yán)走_(dá)設(shè)計(jì)中采用視頻字符發(fā)生器芯片MAX7456。該芯片集成了所有用于產(chǎn)生用戶定義OSD,并將其插入視頻信號(hào)中所需的全部功能,僅需少量的外圍阻容元件即可正常工作。給出了以MAX7456為核心的可視倒車?yán)走_(dá)的軟、硬件實(shí)現(xiàn)方案及設(shè)計(jì)實(shí)例。該方案具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、符合人體視覺習(xí)慣的特點(diǎn)。經(jīng)實(shí)際裝車測(cè)試,按該方案設(shè)計(jì)的可視倒車?yán)走_(dá)視場(chǎng)清晰、提示字符醒目、工作可靠,可有效降低駕駛員倒車時(shí)的工作強(qiáng)度、減少倒車事故的發(fā)生。
瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后,然而最近以來此家存儲(chǔ)器制造商開始追趕上來,似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
IBM超高密度 Racetrack 存儲(chǔ)器開發(fā)又有新的進(jìn)展,據(jù)稱這一新型存儲(chǔ)器同時(shí)具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開發(fā)進(jìn)程,原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問世。據(jù)報(bào)導(dǎo),Racetrack 存儲(chǔ)技術(shù)首見于2004年
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后,然而最近以來此家存儲(chǔ)器制造商開始追趕上來,似乎在NAND方面己經(jīng)超過它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nm NAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
據(jù)Tech Review報(bào)導(dǎo),IBM超高密度 Racetrack 存儲(chǔ)器開發(fā)又有新的進(jìn)展,據(jù)稱這一新型存儲(chǔ)器同時(shí)具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開發(fā)進(jìn)程,原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問世。據(jù)報(bào)導(dǎo),Racetrack
摘 要:通過在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列器件中構(gòu)建軟核處理器(NIOSⅡ)來代替專用集成電路,并在NIOSⅡ中嵌入C程序,根據(jù)給定的規(guī)模,自動(dòng)實(shí)現(xiàn)了在不同規(guī)模下的各種設(shè)計(jì)參數(shù)的計(jì)算。實(shí)現(xiàn)了只需要輸入系統(tǒng)參數(shù),就能適用
基于FPGA的空間存儲(chǔ)器糾錯(cuò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)研究
基于SOPC適用于不同規(guī)格LCOS的控制器設(shè)計(jì)
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會(huì)取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會(huì)讓快閃位元單元耗損的疲乏機(jī)制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如快閃存
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會(huì)取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會(huì)讓快閃位元單元耗損的疲乏機(jī)制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如快閃存
FutureHorizons的創(chuàng)始人及分析師MalcolmPenn認(rèn)為全球半導(dǎo)體業(yè)受2009年的金融危機(jī)的影響,到2010年耀眼的超過30%的增長,所以進(jìn)入2011年將回歸到正常年景,增長6%。Penn在演講會(huì)上說,明年產(chǎn)業(yè)將回顧到正常增長,據(jù)
臺(tái)灣長久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出
全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器,計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲(chǔ)器
臺(tái)灣長久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研