最近幾年隨著多Gbps傳輸?shù)钠占?,?shù)字通信標(biāo)準(zhǔn)的比特率也在迅速提升。例如, USB 3.0的比特率達(dá)到 5 Gbps。比特率的提高使得在傳統(tǒng)數(shù)字系統(tǒng)中不曾見過(guò)的問(wèn)題顯現(xiàn)了出來(lái)。諸如反射和損耗的問(wèn)題會(huì)造成數(shù)字信號(hào)失真,導(dǎo)致
由于日前在一些市場(chǎng)上出現(xiàn)了印有AMD標(biāo)志的內(nèi)存產(chǎn)品。所以有人開始認(rèn)為AMD方面會(huì)借助其3A平臺(tái)切入存儲(chǔ)市場(chǎng)。不過(guò)近日,AMD官方正式做出回應(yīng),表示只是在進(jìn)行可能性評(píng)估,不會(huì)直接制造、銷售內(nèi)存。而AMD官方網(wǎng)站上的Ra
電路原理:電路中由IC1555于47UF電容器三路輸出,CD4022工作原理是:在EN腳接地,CL腳輸入方波脈沖,R腳為零電平情況下,設(shè)芯片的初始輸出為Q7Q6Q5Q4Q3Q2Q1Q0=0 0 0 0 0 0 0 1,則輸出將隨方波脈沖做表6-1所示的變化
個(gè)人電腦(PC)中央處理器(CPU)整合時(shí)脈勢(shì)不可當(dāng),導(dǎo)致傳統(tǒng)獨(dú)立時(shí)脈晶片商面臨收益威脅,且時(shí)序市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,無(wú)單一廠商可通吃市場(chǎng),芯科實(shí)驗(yàn)室(Silicon Labs)正積極透過(guò)創(chuàng)新的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)突顯產(chǎn)品差異化,并
摘要:在SoC開發(fā)過(guò)程中,基于FPGA的原型驗(yàn)證是一種有效的驗(yàn)證方法,它不僅能加快SoC的開發(fā),降低SoC應(yīng)用系統(tǒng)的開發(fā)成本,而且提高了流片的成功率。文章主要描述了基于FPGA的SoC原型驗(yàn)證的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),針對(duì)FPGA基驗(yàn)證
作為中國(guó)本土最大的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件工具廠商,華大九天 (HES)近日宣布,通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字媒體集成電路設(shè)計(jì)公司海思半導(dǎo)體有限公司(HiSilicon Technologies)已選中華大九天的ClockExplorer 和 TimingExplorer
作為中國(guó)本土最大的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件工具廠商,華大九天 (HES)近日宣布,通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)字媒體集成電路設(shè)計(jì)公司海思半導(dǎo)體有限公司(HiSilicon Technologies)已選中華大九天的ClockExplorer 和 TimingExplo
如今,所有SOC都使用掃描結(jié)構(gòu)來(lái)檢測(cè)設(shè)計(jì)中的任何制造缺陷。掃描鏈專為測(cè)試而設(shè)計(jì),按串行形式連接芯片的時(shí)序元件。由于掃描元件之間缺少組合邏輯,因此這些掃描鏈容易出現(xiàn)保持故障。除了采用小于90納米的技術(shù)外,OCV
關(guān)于時(shí)序工具的一些FAE解答:?jiǎn)枺耗銈兊墓ぞ呤欠裰惶峁┧休斎胼敵龉苣_完全一致的時(shí)序約束?如tsu,th,tco,tpd的約束?如果不同管腳可以有不 同約束值,如何設(shè)置?FAE:我們的工具提供的是時(shí)序分析功能,尚未提供時(shí)
80C51單片機(jī)的上電復(fù)位POR(Power On Reset)實(shí)質(zhì)上就是上電延時(shí)復(fù)位,也就是在上電延時(shí)期間把單片機(jī)鎖定在復(fù)位狀態(tài)上。為什么在每次單片機(jī)接通電源時(shí),都需要加入一定的延遲時(shí)間呢?分析如下。1 上電復(fù)位時(shí)序 在
單片機(jī)內(nèi)部的時(shí)序 單片機(jī)執(zhí)行各種操作時(shí),CPU都是嚴(yán)格按照規(guī)定的時(shí)間順序完成相關(guān)的工作,這種時(shí)間上的先后順序成為時(shí)序。 單周期指令的操作時(shí)序 雙周期指令的操作時(shí)序 時(shí)鐘電路 時(shí)鐘電路參數(shù): 頻
臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心 (IEK)產(chǎn)業(yè)分析師劉美君表示,若8月底面板跌幅擴(kuò)大,代表面板報(bào)價(jià)仍未回穩(wěn),仍將持續(xù)下跌;若跌幅縮小,不排除跌勢(shì)已近底部。奇美電子執(zhí)行長(zhǎng)段行建日前在法人說(shuō)明會(huì)指出,最
摘要:隨著現(xiàn)代信息技術(shù)的高速發(fā)展,數(shù)據(jù)采集方面的技術(shù)也在不斷地向前發(fā)展,并在信息技術(shù)中占有重要地位,溫度、壓力等參數(shù)在智能家居、工業(yè)控制、智能農(nóng)業(yè)等方面都得到很高的重視,如何實(shí)時(shí)直觀地采集到溫度成為焦
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納,DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一,例如韓國(guó)
EMCCD ( E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice) 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD( Charg e Coupled Device) 相比, 它采用了片上電子增益技術(shù), 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
DDR測(cè)試技術(shù)與工具
EMCCD ( E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice) 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD( Charg e Coupled Device) 相比, 它采用了片上電子增益技術(shù), 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
EMCCD ( E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice) 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD( Charg e Coupled Device) 相比, 它采用了片上電子增益技術(shù), 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
EMCCD ( E lectr on Mult iply ing Charg e Co upledDevice) 是新一代高質(zhì)量微光成像器件。與傳統(tǒng)CCD( Charg e Coupled Device) 相比, 它采用了片上電子增益技術(shù), 利用片上增益寄存器使圖像信息在電子轉(zhuǎn)移
IC封測(cè)廠矽格(6257)自結(jié)2011年三月份合并營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣3.98億元,較上月增加20%,比較去年同期減少5.3%;累計(jì)2011年第一季之營(yíng)業(yè)額為新臺(tái)幣11.14億,比較去年同期增加1.3%,矽格自結(jié)2011年第一季稅前凈利為新