從屬型晶體管脈沖電源原理圖電路

JF-40A晶體管脈沖電源前置放大器原理圖電路

采用三只晶體管的調(diào)幅電路

可伸縮石墨烯晶體管 克傳統(tǒng)半導(dǎo)體缺陷

據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，韓國(guó)科研人員制造出了一種以可伸縮的透明石墨烯作為基底的新型晶體管。由于石墨烯具有出色的光學(xué)、機(jī)械和電性質(zhì)，新型晶體管克服了由傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制成的晶體管面臨的很多問(wèn)題。相關(guān)研究

半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá)7nm節(jié)點(diǎn);但在7nm節(jié)點(diǎn)以下

半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)

半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)；但在 7納米

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn)；但在7納米節(jié)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)，但在 7

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)，但在 7納米

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)；但在 7納米

22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來(lái)自成本

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體工藝光刻的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá)7納米節(jié)點(diǎn)；但在7納米節(jié)

賽靈思發(fā)布利用68億個(gè)晶體管打造的可編程邏輯器件

21ic訊 賽靈思公司 （Xilinx, Inc.）日前宣布推出首批 Virtex®-7 2000T FPGA，這是利用68 億個(gè)晶體管打造的世界容量最大的可編程邏輯器件，為客戶提供了無(wú)與倫比的200 萬(wàn)個(gè)邏輯單元，相當(dāng)于 2,000 萬(wàn)個(gè) ASIC 門(mén)，

22納米3D晶體管技術(shù)

Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為T(mén)ri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，使

英特爾3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲年度科技創(chuàng)新獎(jiǎng)

10月21日上午消息，《華爾街日?qǐng)?bào)》近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變。這項(xiàng)革命性成果，其關(guān)鍵

Intel：22nm Ivy Bridge已開(kāi)始量產(chǎn)

Intel在昨日的季度財(cái)務(wù)會(huì)議上公開(kāi)確認(rèn)，下一代新工藝22nm已經(jīng)正式投入批量生產(chǎn)。3-D立體晶體管就要來(lái)了，IvyBridge就要來(lái)了。IntelCEOPaulOtellini告訴分析人士：“第三季度內(nèi)，我們使用22nm工藝開(kāi)始了IvyBridge的量

新式晶體管能傳輸質(zhì)子流 有望開(kāi)發(fā)新設(shè)備

人類的各種用電器，從電燈泡到iPod都是通過(guò)電子來(lái)傳輸信息，而人體和其他生物自身卻是用離子和質(zhì)子來(lái)傳輸信號(hào)并執(zhí)行任務(wù)。據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，華盛頓大學(xué)材料科學(xué)家制造出一種能傳輸質(zhì)子流的新式晶體管，

科學(xué)家研制出新型鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)

單極晶體管長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)器