英特爾3D芯片將為醫(yī)療設(shè)備帶來革命性影響

英特爾公司開發(fā)了使用3D結(jié)構(gòu)的晶體管，這被稱為50余年微處理器設(shè)計的最大突破，并將投入大規(guī)模生產(chǎn)。英特爾公司在一份新聞稿中表示，三柵型設(shè)計師英特爾公司最早在2002年公布的，該產(chǎn)品的設(shè)計徹底擺脫了二維平面晶體

CXS-78A型晶體管床位顯示器電路

電子鬼才，僅用導(dǎo)線和晶體管DIY電腦[圖]

真的猛士，敢于DIY自己的生活；真的猛士，敢于DIY自己的電子產(chǎn)品；真的猛士，敢于只用導(dǎo)線和晶體管DIY自己的電腦。從零開始造電腦……這得是何等的生猛啊。一般人也就是自己組臺機器裝個系統(tǒng)啥的，這位叫

臺積電稱Finfet尚未成熟 芯片設(shè)計制造需改動

自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)（至少到下一個節(jié)點制程時）仍將采用傳統(tǒng)

臺積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟

自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)（至少到下一個節(jié)點制程時）仍將采用傳統(tǒng)

韓日英三國科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國聯(lián)合通訊社報道，來自韓國、日本、英國的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。 項目負責(zé)人、韓國忠北國立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而

臺積電GlobalFoundries紛紛表態(tài)稱Finfet尚未成熟

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韓日英三國科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國聯(lián)合通訊社報道，來自韓國、日本、英國的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。項目負責(zé)人、韓國忠北國立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而且能夠

韓日英三國科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國聯(lián)合通訊社報道，來自韓國、日本、英國的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。項目負責(zé)人、韓國忠北國立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而且能夠

韓日英三國科學(xué)家研制出2nm量子晶體管

據(jù)韓國聯(lián)合通訊社報道，來自韓國、日本、英國的科學(xué)家們利用量子效應(yīng)，成功地開發(fā)出了世界上最小的晶體管。 項目負責(zé)人、韓國忠北國立大學(xué)教授崔鐘范(Choi Jung-bum)表示，這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm，而

3D半導(dǎo)體制程 不是Intel柯斷？

前不久Intel把3D立體概念應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的〝FinFET技術(shù)〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術(shù)，簡單地說就是把原本二維的平面柵級用一塊非常薄的三維矽鰭片來取代，并且在立體的三個面上都放置了一個

3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請

據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

3D晶體管技術(shù)專利撞車？韓國稱比英特爾較早申請

新聞來源:Digitimes 據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲

韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用

韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用收

在一枚芯片上集成多個耐壓各異的中高壓晶體管

日立制作所宣布，開發(fā)出了有關(guān)中高耐壓（35～300V左右）晶體管的兩項技術(shù)。其一是在一枚芯片上集成源漏極耐壓各不相同的多個晶體管的技術(shù)，另一個是可將柵源極耐壓提高至300V的技術(shù)。 圖1：可將耐壓各不相同的

韓國稱較早提出3D晶體管技術(shù)專利申請

據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，日前英特爾(Intel)宣布領(lǐng)先全球開發(fā)出的3D晶體管制程技術(shù)，韓國研究團隊早已開發(fā)完成。韓國向美國提出技術(shù)專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術(shù)，韓國將可獲得龐大的專利權(quán)使用

ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)

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英特爾開發(fā)3D晶體管對ARM構(gòu)成的威脅

英特爾開發(fā)3D晶體管對ARM構(gòu)成的威脅

英特爾攜Tri-Gate技術(shù)向ARM發(fā)出挑戰(zhàn)

IHS iSuppli公司的研究顯示，憑借其新型Tri-Gate 3-D晶體管技術(shù)，英特爾將得到其所需的低功率微處理器，進軍平板與智能手機半導(dǎo)體市場，并擊退ARM芯片可能向PC領(lǐng)域發(fā)起的進攻。英特爾將利用其22納米制程技術(shù)生產(chǎn)基于