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GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術領先地位
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">隨著半導體行業(yè)開始向下一代技術節(jié)點過渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術領先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州
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光學量子計算機芯片首次執(zhí)行運算
英國布里斯托爾大學的研究人員們ijnri制作了一顆光學量子計算機芯片的樣品，而且第一次執(zhí)行了數(shù)學運算，向?qū)嵱眯粤孔佑嬎銠C又邁出了重要的一步?！ ∵@個光學量子計算芯片非常小，之上搭載了更加迷你的二氧化硅波導。
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臺積電準備明年初提供28nm全代工藝
臺積電研發(fā)副總裁Jack Sun在日本舉行的一次研討會上宣布，28nm低功耗生產(chǎn)技術已經(jīng)研發(fā)成功，將在2010年初作為全代(full node)工藝為客戶提供代工服務，并可選高性能和低功耗兩種應用類別。 臺積電表示，借助雙/三柵
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Schiltron與Entrepix合作利用CMP達成3-D閃存制造新架構
3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學機械拋光設備及代工服務的領先供應商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flas
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Schiltron與Entrepix合作利用CMP達成3-D閃存制造新架構?
3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學機械拋光設備及代工服務的領先供應商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flas
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數(shù)字可編程增益放大器應用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實用的信號處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動態(tài)范圍內(nèi)的信號時應用。如果不能容納輸入信號振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
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數(shù)字可編程增益放大器應用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實用的信號處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動態(tài)范圍內(nèi)的信號時應用。如果不能容納輸入信號振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
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數(shù)字可編程增益放大器應用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實用的信號處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動態(tài)范圍內(nèi)的信號時應用。如果不能容納輸入信號振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
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ASM高k原子層淀積工具獲臺灣晶圓廠選用
ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點high-k柵極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar® 原子層沉積技術(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k柵極技術進行制程開發(fā)活
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聯(lián)華試制采用high-k金屬柵極的45nm工藝SRAM
臺灣聯(lián)華電子（United Microelectronics，UMC）采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極技術，試制出45nm工藝的SRAM英文發(fā)布資料。至此，實現(xiàn)32/28nm工藝用high-k/金屬柵極技術的第一階段已完成。該公司2008年10月試制出了2
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IBM制造出22nm SRAM單元
IBM研究小組聲稱，他們已與聯(lián)合行業(yè)及大學開發(fā)伙伴共同制造出世界最小的SRAM位單元。該SRAM位單元采用22nm設計規(guī)則制造，大小僅0.1mm2。 此款SRAM是IBM與AMD、飛思卡爾、意法半導體、東芝以及紐約的奧爾巴尼大學納
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電子管SRPP倒相電路
SRPP電子管共陰極倒相電路： SRPP電子管共柵極倒相電路：
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2.5G和3G基站用功率放大器的監(jiān)控
蜂窩通信的發(fā)展與先進調(diào)制方案的關系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中，設計策略包括實現(xiàn)高線性度同時把功耗減至最小的方法。
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技術探秘：英特爾45納米高k金屬柵極工藝
英特爾出貨采用高k金屬柵極技術的首款45納米微處理器。不論是為了突出這件事的重要意義，還是為了強調(diào)其著名定律仍然有效，摩爾已成為英特爾45納米技術營銷活動的主角。摩爾稱這項創(chuàng)新是“20世紀60年代多晶硅柵極MOS
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技術探秘：英特爾45納米高k金屬柵極工藝
技術探秘：英特爾45納米高k金屬柵極工藝
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臺積電將為AMD代工制造45納米工藝芯片
臺積電CEO蔡力行(RickTsai)向分析人士表示，臺積電將在2008年為尚未公布名字的客戶制造處理器。 他說，我們預計將于明年下半年開始制造處理器，這一交易將對臺積電的收入做出重大貢獻。 蔡力行沒有披露更多細節(jié)，但表
